基本信息
吕顺鹏  男  博导  中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
电子邮件: lvshunpeng@ciomp.ac.cn
通信地址: 吉林省长春市东南湖大路3888号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
氮化物材料外延,micro-LED,氮化物忆阻器,光电器件同质集成

教育背景

2012-08--2017-08   新加坡南洋理工大学   博士
2008-09--2012-06   天津大学   本科

工作经历

   
工作简历
2022-01~现在, 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 研究员
2017-08~2021-09,新加坡南洋理工大学, 博士后研究员
2016-08~2017-08,新加坡南洋理工大学, 项目研究员
2012-08~2017-08,新加坡南洋理工大学, 博士
2008-09~2012-06,天津大学, 本科

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种多色探测器及制备方法, 2023, 第 6 作者, 专利号: CN202310064034.6

( 2 ) 一种同质集成器件及制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202211725754.4

( 3 ) 一种二维纳米图形化衬底及其制备方法, 2022, 第 9 作者, 专利号: CN202211646649.1

( 4 ) 一种卵式合金焊球的制备装置及其制备方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN102210998A

出版信息

   
发表论文
(1) Plasmonic-enhanced efficiency of AlGaN-based deep ultraviolet LED by graphene/Al nanoparticles/graphene hybrid structure, Optics Letters, 2023, 第 6 作者
(2) Tunable piezoelectric and ferroelectric responses of Al1-xScxN: The role of atomic arrangement, 中国科学 物理学 力学 天文学, 2023, 第 7 作者
(3) The stacking fault annihilation in a-plane AlN during high-temperature annealing, CRYSTENGCOMM, 2023, 第 7 作者
(4) Engineered ultraviolet InGaN/AlGaN multiple-quantum-well structures for maximizing cathodoluminescence efficiency, AIP ADVANCES, 2022, 第 5 作者
(5) Experimental and Modeling Investigations of Miniaturization in InGaN/GaN Light-Emitting Diodes and Performance Enhancement by Micro-Wall Architecture, FRONTIERS IN CHEMISTRY, 2021, 第 2 作者
(6) High-Performance Triangular Miniaturized-LEDs for High Current and Power Density Applications, ACS PHOTONICS, 2021, 第 1 作者
(7) Efficiency Boosting by Thermal Harvesting in InGaN/GaN Light-Emitting Diodes, FRONTIERS IN PHYSICS, 2021, 第 1 作者
(8) Strain-Reduced Micro-LEDs Grown Directly Using Partitioned Growth, FRONTIERS IN CHEMISTRY, 2021, 第 1 作者
(9) Effect of Mg doping in the barriers on the electrical performance of InGaN/GaN-based light-emitting diodes, PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2018, 第 4 作者
(10) High-efficiency and low-loss gallium nitride dielectric metasurfaces for nanophotonics at visible wavelengths, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 6 作者
(11) Investigation of p-type depletion doping for InGaN/GaN-based light-emitting diodes, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 6 作者
(12) Decoupling contact and mirror: an effective way to improve the reflector for flip-chip InGaN/GaN-based light-emitting diodes, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 第 3 作者
(13) Improved performance of InGaN/GaN flip-chip light-emitting diodes through the use of robust Ni/Ag/TiW mirror contacts, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 第 4 作者
(14) Modulating Ohmic Contact Through InGaxNyOz Interfacial Layer for High-Performance InGaN/GaN-Based Light-Emitting Diodes, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2016, 第 4 作者
(15) Nonradiative recombination - critical in choosing quantum well number for InGaN/GaN light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2015, 其他(合作组作者)
(16) Advantages of the Blue InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with an AlGaN/GaN/AlGaN Quantum Well Structured Electron Blocking Layer, ACS PHOTONICS, 2014, 第 8 作者
(17) On the mechanisms of InGaN electron cooler in InGaN/GaN light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 10 作者
(18) Low thermal-mass LEDs: size effect and limits, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 1 作者
(19) A hole accelerator for InGaN/GaN light-emitting diodes, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 8 作者
(20) Simultaneous enhancement of electron overflow reduction and hole injection promotion by tailoring the last quantum barrier in InGaN/GaN light-emitting diodes, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 10 作者
(21) On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 10 作者
(22) On the origin of the electron blocking effect by an n-type AlGaN electron blocking layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 9 作者
(23) Improved hole distribution in InGaN/GaN light-emitting diodes with graded thickness quantum barriers, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 

科研活动

   
科研项目
( 1 ) BR计划, 负责人, 中国科学院计划, 2022-01--2024-12
( 2 ) GaN基化合物半导体同质集成光电子芯片关键技术研究, 参与, 地方任务, 2022-01--2025-12
( 3 ) 绿色光子器件研究, 参与, 国家任务, 2022-01--2026-12
( 4 ) 基于掩埋金属电极的深紫外micro-LED研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2025-12
( 5 ) 氮化物宽禁带半导体高速忆阻器研究, 负责人, 国家任务, 2022-11--2025-10
参与会议
(1)高性能氮化物micro-LED研究   第三届人工晶体材料青年学术会议   吕顺鹏,蒋科,贲建伟,张山丽,孙晓娟,黎大兵   2023-04-07
(2)高电流密度高光能密度micro-LED   2022年能源、材料与光子学会议(EMP)   吕顺鹏   2022-07-23
(3)High-performance LEDs from UVA to UVC   Lu Shunpeng   2019-11-07
(4)Low thermal-mass LEDs:size effect of partition growth   Lu Shunpeng   2016-07-12