080903-微电子学与固体电子学

氮化物材料外延，micro-LED，氮化物忆阻器，光电器件同质集成

2012-08--2017-08   新加坡南洋理工大学   博士
2008-09--2012-06   天津大学   本科

   

2022-01~现在, 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 研究员
2017-08~2021-09,新加坡南洋理工大学, 博士后研究员
2016-08~2017-08,新加坡南洋理工大学, 项目研究员
2012-08~2017-08,新加坡南洋理工大学, 博士
2008-09~2012-06,天津大学, 本科

   

（ 1 ） 一种用于 AlGaN 外延 MOCVD 反应腔结构及其控制方法, 2024, 第 3 作者, 专利号: 202410357208.2

（ 2 ） 一种 Micro-LED 器件及其制备方法, 2023, 第 1 作者, 专利号: 202311862086.4

（ 3 ） 一种 MOCVD 用托盘组件、反应腔、晶圆温度调控方法, 2023, 第 3 作者, 专利号: 202311594825.6

（ 4 ） 一种 MOCVD 用托盘、反应腔、晶圆生长压力调节方法, 2023, 第 3 作者, 专利号: 202311595353.6

（ 5 ） 一种AlScN/nGaN异质结忆阻器及制备方法, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN116685194A

（ 6 ） 一种多色探测器及制备方法, 2023, 第 6 作者, 专利号: CN202310064034.6

（ 7 ） 一种MOCVD反应腔及材料生长的方法, 2023, 第 4 作者, 专利号: 202310064077.4

（ 8 ） 一种同质集成器件及制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202211725754.4

（ 9 ） 一种二维纳米图形化衬底及其制备方法, 2022, 第 9 作者, 专利号: CN202211646649.1

（ 10 ） 一种基于AlScN铁电材料的紫外探测器及其制备方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN115458627A

（ 11 ） 一种卵式合金焊球的制备装置及其制备方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN102210998A

   

（1） AlScN/n-GaN Ferroelectric Memristors with Controllable ON/OFF ratios and Reversible Bipolar Resistive Switching Characteristics, Ieee Electron Device Letters, 2024, 第 2 作者
（2） Nonvolatile and reconfigurable two-terminal electro-optic duplex memristor based on III-nitride semiconductors, LIGHT: SCIENCE & APPLICATIONS, 2024, 第 6 作者
（3） 240 nm AlGaN-based deep ultraviolet micro-LEDs: size effect versus edge effect, Journal of semiconductors, 2024, 第 1 作者
（4） Plasmonic-enhanced efficiency of AlGaN-based deep ultraviolet LED by graphene/Al nanoparticles/graphene hybrid structure, Optics Letters, 2023, 第 6 作者
（5） Tunable piezoelectric and ferroelectric responses of Al1-xScxN: The role of atomic arrangement, 中国科学 物理学 力学 天文学, 2023, 第 7 作者
（6） The stacking fault annihilation in a-plane AlN during high-temperature annealing, CRYSTENGCOMM, 2023, 第 7 作者
（7） 台阶聚束AlN高温热退火形貌演化研究, Evolution of AlN Step Bunching Morphology During High-Temperature Annealing, 人工晶体学报, 2023, 第 7 作者
（8） Engineered ultraviolet InGaN/AlGaN multiple-quantum-well structures for maximizing cathodoluminescence efficiency, AIP ADVANCES, 2022, 第 5 作者
（9） High-Performance Triangular Miniaturized-LEDs for High Current and Power Density Applications, ACS PHOTONICS, 2021, 第 1 作者
（10） Experimental and Modeling Investigations of Miniaturization in InGaN/GaN Light-Emitting Diodes and Performance Enhancement by Micro-Wall Architecture, FRONTIERS IN CHEMISTRY, 2021, 第 2 作者
（11） Efficiency Boosting by Thermal Harvesting in InGaN/GaN Light-Emitting Diodes, FRONTIERS IN PHYSICS, 2021, 第 1 作者
（12） Strain-Reduced Micro-LEDs Grown Directly Using Partitioned Growth, FRONTIERS IN CHEMISTRY, 2021, 第 1 作者
（13） Effect of Mg doping in the barriers on the electrical performance of InGaN/GaN-based light-emitting diodes, PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2018, 第 4 作者
（14） High-efficiency and low-loss gallium nitride dielectric metasurfaces for nanophotonics at visible wavelengths, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 6 作者
（15） Investigation of p-type depletion doping for InGaN/GaN-based light-emitting diodes, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 6 作者
（16） Decoupling contact and mirror: an effective way to improve the reflector for flip-chip InGaN/GaN-based light-emitting diodes, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 第 3 作者
（17） Improved performance of InGaN/GaN flip-chip light-emitting diodes through the use of robust Ni/Ag/TiW mirror contacts, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 第 4 作者
（18） Modulating Ohmic Contact Through InGaxNyOz Interfacial Layer for High-Performance InGaN/GaN-Based Light-Emitting Diodes, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2016, 第 4 作者
（19） Nonradiative recombination - critical in choosing quantum well number for InGaN/GaN light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2015, 第 12 作者
（20） Advantages of the Blue InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with an AlGaN/GaN/AlGaN Quantum Well Structured Electron Blocking Layer, ACS PHOTONICS, 2014, 第 8 作者
（21） On the mechanisms of InGaN electron cooler in InGaN/GaN light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 10 作者
（22） Low thermal-mass LEDs: size effect and limits, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 1 作者
（23） A hole accelerator for InGaN/GaN light-emitting diodes, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 8 作者
（24） Simultaneous enhancement of electron overflow reduction and hole injection promotion by tailoring the last quantum barrier in InGaN/GaN light-emitting diodes, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 10 作者
（25） On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 10 作者
（26） On the origin of the electron blocking effect by an n-type AlGaN electron blocking layer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 9 作者
（27） Improved hole distribution in InGaN/GaN light-emitting diodes with graded thickness quantum barriers, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 
（28） How do the oxygen vacancies affect the photoexcited carriers dynamics in ��-Ga2O3?, MATERIALS TODAY PHYSICS, 第 9 作者

   

（ 1 ） 高效氮化物半导体紫外Micro-LED材料器件及应用研究, 负责人, 地方任务, 2024-01--2026-12
（ 2 ） 基于掩埋金属电极的深紫外micro-LED研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2025-12
（ 3 ） 氮化物宽禁带半导体高速忆阻器研究, 负责人, 国家任务, 2022-11--2025-10
（ 4 ） BR计划, 负责人, 中国科学院计划, 2022-01--2024-12
（ 5 ） GaN基化合物半导体同质集成光电子芯片关键技术研究, 参与, 地方任务, 2022-01--2025-12
（ 6 ） 绿色光子器件研究, 参与, 国家任务, 2022-01--2026-12

（1）氮化物宽禁带半导体Micro-LED光效提升研究   第五届全国宽禁带半导体学术会议   2023-10-24
（2）III族氮化物宽禁带半导体micro-LED光效提升研究   2023年光学、显示与新能源国际会议   吕顺鹏，蒋科，贲建伟，张山丽，孙晓娟，黎大兵   2023-09-16
（3）高性能氮化物micro-LED研究   第三届人工晶体材料青年学术会议   吕顺鹏，蒋科，贲建伟，张山丽，孙晓娟，黎大兵   2023-04-07
（4）高电流密度高光能密度micro-LED   吕顺鹏，蒋科，贲建伟，张山丽，孙晓娟，黎大兵   2022-07-23
（5）High-performance LEDs from UVA to UVC   Lu Shunpeng   2019-11-07
（6）Low thermal-mass LEDs：size effect of partition growth   Lu Shunpeng   2016-07-12