080903-微电子学与固体电子学

SOI材料及器件
300mm单晶硅生长与缺陷表征

2008-04--2011-06   中科院上海微系统与信息技术研究所   博士研究生
1999-09--2002-06   山东大学   硕士研究生
1995-09--1999-06   山东大学   本科

   

2022-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员
2014-01~2021-12,中科院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2011-07~2013-12,中科院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员
2008-04~2011-06,中科院上海微系统与信息技术研究所, 博士研究生
2002-07~2008-03,积成电子股份有限公司, 工程师
1999-09~2002-06,山东大学, 硕士研究生
1995-09~1999-06,山东大学, 本科

   

（1） 300mm硅片关键技术开发及产业化, 特等奖, 省级, 2022

（ 1 ） 一种改善绝缘层上硅晶圆表面粗糙度的方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114156179A

（ 2 ） 一种硅晶体原生缺陷的检测方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114023667A

（ 3 ） 一种硅片电阻率的测量方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113721076A

（ 4 ） 石墨烯连续膜的干法转移方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113666364A

（ 5 ） 一种确定硅片导电类型的方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113655094A

（ 6 ） 一种用于单晶生产炉的热屏结构及单晶生产炉, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111763985B

（ 7 ） 一种用于单晶生产炉的热屏装置、控制方法及单晶生产炉, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111926380B

（ 8 ） 一种检测半导体材料中缺陷的方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113394126A

（ 9 ） 一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯的方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN109055896B

（ 10 ） 确定单晶炉引晶温度的方法及直拉法制备单晶硅的方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113282878A

（ 11 ） 一种退火炉降温速率校准的方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113281304A

（ 12 ） 一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构及单晶硅生长炉, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN111893561B

（ 13 ） 一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片及单晶硅生长炉, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN111893558B

（ 14 ） 多晶硅薄膜衬底的制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113161229A

（ 15 ） 晶体缺陷的监控方法及晶棒生长方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113138195A

（ 16 ） 一种表征硅晶体中缺陷的方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113109363A

（ 17 ） 硅片导电类型的判定方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113109625A

（ 18 ） 一种顶栅结构的制备方法及半导体结构, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113078053A

（ 19 ） 一种电极层的制备方法及半导体结构, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113078054A

（ 20 ） TMDs二维材料薄膜、器件及制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113072099A

（ 21 ） 一种介电材料的制备方法及半导体结构, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113078044A

（ 22 ） 一种晶体管结构及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113078052A

（ 23 ） 一种石墨烯纳米带器件阵列及其制备方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN111129113B

（ 24 ） 一种绝缘体上硅结构及其方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112582332A

（ 25 ） 一种光电探测器的制备方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112331744A

（ 26 ） 一种热屏障装置及熔炼炉, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111926379A

（ 27 ） 一种用于隔绝热量的热屏障装置及熔炼炉, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111893557A

（ 28 ） 一种用于单晶硅生长炉的热屏及单晶硅生长炉, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111876822A

（ 29 ） 一种二维材料层制备后转移方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111763923A

（ 30 ） 在绝缘衬底上直接制备石墨烯量子点阵列的方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN109055895B

（ 31 ） 基于硅-石墨烯的光电探测器的制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN108933183B

（ 32 ） 一种CMOS器件及其制作方法, 2020, 专利号: CN107464783B

（ 33 ） 一种二维材料层及制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110117780A

（ 34 ） 具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110065271A

（ 35 ） 具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110065939A

（ 36 ） 二维材料生长的定位观测方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109883950A

（ 37 ） 石墨烯纳米带的转移方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109850877A

（ 38 ） 晶圆级石墨烯薄膜的转移方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109824032A

（ 39 ） 低势垒高度肖特基二极管及其制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109509705A

（ 40 ） 高敏感度中红外光电探测器及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109473506A

（ 41 ） 具有石墨烯的器件及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109473507A

（ 42 ） 三维硅纳米线阵列场效应晶体管、生物传感器及制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109427908A

（ 43 ） 高密度锗纳米线的制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109280903A

（ 44 ） 一种利用离子注入制备掺杂石墨烯的方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108862252A

（ 45 ） 一种转移石墨烯的方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108793146A

（ 46 ） 一种晶体管结构及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108649029A

（ 47 ） 一种绝缘体上石墨烯的制备方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN107887319A

（ 48 ） 场效应晶体管结构及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN107871780A

（ 49 ） 一种转移石墨烯的方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN105088179B

（ 50 ） 一种在绝缘衬底上直接制备层数可控石墨烯的方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106927459A

（ 51 ） 一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106904600A

（ 52 ） 一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106904599A

（ 53 ） 一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106276873A

（ 54 ） 一种对医用钛材料表面进行改性的方法, 2016, 第 8 作者, 专利号: CN105983132A

（ 55 ） 一种应变量子点的制备方法及应变量子点, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105977145A

（ 56 ） 一种去除石墨烯上光刻胶的方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105895522A

（ 57 ） 掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法, 2016, 第 8 作者, 专利号: CN105655242A

（ 58 ） 吸附剥离制备绝缘体上材料的方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105428300A

（ 59 ） 利用低温剥离技术制备绝缘体上材料的方法, 2016, 第 7 作者, 专利号: CN105428302A

（ 60 ） 利用微波退火技术低温制备GOI的方法, 2016, 第 7 作者, 专利号: CN105428301A

（ 61 ） 纳米线与石墨烯的复合材料及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN105174268A

（ 62 ） 一种绝缘体上石墨烯的制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN105129785A

（ 63 ） 一种绝缘体上材料的制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN105140171A

（ 64 ） 一种制备无褶皱的石墨烯的方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN105110324A

（ 65 ） 一种褶皱状石墨烯的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN105060286A

（ 66 ） 一种基于混合加热制备绝缘体上材料的方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104752308A

（ 67 ） 剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104752309A

（ 68 ） 一种利用离子注入技术制备绝缘体上半导体材料的方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104517883A

（ 69 ） 一种低剂量注入制备绝缘体上半导体材料的方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104425341A

（ 70 ） 一种厚度可控的绝缘体上半导体材料的制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104425342A

（ 71 ） 一种多沟道全包围栅极的半导体器件结构的制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN104157579A

（ 72 ） 具有特定形状且排列整齐的石墨烯单晶畴的制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN104152991A

（ 73 ） 一种超薄绝缘体上材料的制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103972148A

（ 74 ） 基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103943547A

（ 75 ） GOI结构的制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103646909A

（ 76 ） 一种SGOI结构的制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103646910A

（ 77 ） 利用掺杂超薄层吸附制备超薄绝缘体上材料的方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103633010A

（ 78 ） 利用超薄层吸附制备绝缘体上超薄改性材料的方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103632930A

（ 79 ） 一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103474386A

（ 80 ） 具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103219275A

（ 81 ） 基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103219274A

（ 82 ） 一种嵌入超晶格制备应变Si的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103165408A

（ 83 ） 一种SiGe中嵌入超晶格制备应变Si的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103165420A

（ 84 ） 一种嵌入超晶格层组制备应变Si的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103165409A

（ 85 ） 一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103065932A

（ 86 ） 一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103065933A

（ 87 ） 一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103065931A

（ 88 ） 微结构保角性转移方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103021818A

（ 89 ） 一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103014847A

（ 90 ） 混合共平面衬底结构及其制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103021815A

（ 91 ） 混合共平面SOI衬底结构及其制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103021927A

（ 92 ） 一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103021848A

（ 93 ） 硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102842495A

（ 94 ） 硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102842496A

（ 95 ） 一种基于键合工艺的高K介质埋层的SOI材料制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102820251A

（ 96 ） 一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102820252A

（ 97 ） 一种基于SOI衬底的高迁移率双沟道材料的制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102820253A

（ 98 ） 一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102820209A

（ 99 ） 一种降低Si表面粗糙度的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102751184A

（ 100 ） 一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102737963A

（ 101 ） 一种GOI晶片结构的制备方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102738060A

（ 102 ） 一种绝缘体上半导体及其制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102683178A

（ 103 ） 一种晶向旋转键合晶片的制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102651306A

（ 104 ） 锗悬浮膜式二维光子晶体微腔及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102590936A

（ 105 ） 锗悬臂梁式二维光子晶体微腔及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102590935A

（ 106 ） 一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102468123A

（ 107 ） 一种利用Al插入层外延生长NiSiGe材料的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102468124A

（ 108 ） 锗衬底的生长方法以及锗衬底, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102383192A

（ 109 ） 锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102386068A

（ 110 ） 一种薄GOI晶片及其制备方法, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102290369A

（ 111 ） 用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102104048A

（ 112 ） 一种混晶材料的制备方法及用该材料制备的半导体器件, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102064097A

（ 113 ） 利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101958271A

（ 114 ） 一种制备悬空应变材料的方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101958238A

（ 115 ） 一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101958270A

（ 116 ） 一种绝缘体上应变硅制备方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101916741A

（ 117 ） 一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101866875A

（ 118 ） 一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101866874A

（ 119 ） 一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上应变硅材料的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101740463A

（ 120 ） 混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101719498A

（ 121 ） 混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101719499A

（ 122 ） 混合晶向反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101719501A

（ 123 ） 混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101719500A

（ 124 ） 一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上锗材料的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101710576A

（ 125 ） 混合材料积累型全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101710584A

（ 126 ） 混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101710585A

   

（1） Determination of conduction type in high-resistivity silicon by combining spreading resistance profiling (SRP) with hydrofluoric acid treatment, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2023, 第 5 作者
（2） Investigation of a Highly Sensitive Surface-Enhanced Raman Scattering Substrate Formed by a Three-Dimensional/Two-Dimensional Graphene/Germanium Heterostructure, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2022, 通讯作者
（3） High-performance gold/graphene/germanium photodetector based on a graphene-on-germanium wafer, NANOTECHNOLOGY, 2022, 通讯作者
（4） Graphene-assisted metal transfer printing for wafer-scale integration of metal electrodes and two-dimensional materials, NATURE ELECTRONICS, 2022, 第 4 作者
（5） Atomistic Observation of the Local Phase Transition in MoTe2 for Application in Homojunction Photodetectors, SMALL, 2022, 第 3 作者
（6） Fast and controllable synthesis of AB-stacked bilayer MoS2 for photoelectric detection, 2D MATERIALS, 2022, 第 9 作者
（7） 2D Transition Metal Dichalcogenide with Increased Entropy for Piezoelectric Electronics, ADVANCED MATERIALS, 2022, 第 9 作者
（8） Highly heterogeneous epitaxy of flexoelectric BaTiO3-delta membrane on Ge, NATURE COMMUNICATIONS, 2022, 第 6 作者
（9） The Fabrication of Wrinkle-Free Graphene Patterns on Ge(110) Substrate, PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2021, 通讯作者
（10） Ti Interlayer Mediated Uniform NiGe Formation under Low-Temperature Microwave Annealing, METALS, 2021, 第 5 作者
（11） Centimeter-Scale Ge-Assisted Grown Graphene Directly on SiO2/Si for NO2 Gas Sensors, IEEE SENSORS JOURNAL, 2021, 通讯作者
（12） Investigation on surface smoothing of silicon-on-insulator with gas phase hydrogen chloride etching, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 5 作者
（13） Structural and optical studies of molybdenum oxides thin films obtained by thermal evaporation and atomic layer deposition methods for photovoltaic application, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2021, 第 4 作者
（14） Characterization of grown-in defects in Si wafers by gas decoration, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 5 作者
（15） Epitaxial growth of wafer scale antioxidant single-crystal graphene on twinned Pt(111), CARBON, 2021, 第 15 作者
（16） Reaction of titanium-modulated nickel with germanium-tin under microwave and rapid thermal annealing, ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 第 4 作者
（17） Enhanced Peltier Effect in Wrinkled Graphene Constriction by Nano-Bubble Engineering, SMALL, 2020, 第 5 作者
（18） Direct Growth of Unidirectional Graphene Nanoribbons on Vicinal Ge(001), PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2020, 通讯作者
（19） High-Performance Broadband Tungsten Disulfide Photodetector Decorated with Indium Arsenide Nanoislands, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2020, 通讯作者
（20） Interface Engineering-Assisted 3D-Graphene/Germanium Heterojunction for High-Performance Photodetectors, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 2 作者
（21） Interface Engineering-Assisted 3D-Graphene/Germanium Heterojunction for High-Performance Photodetect, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2020, 第 1 作者
（22） Fabrication of silicon-on-insulator with high uniform top Si for silicon photonics applications, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2020, 第 4 作者
（23） Formation of uniform and homogeneous ternary NiSi2-xAlx on Si(001) by an Al interlayer mediation, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2020, 第 6 作者
（24） Ambipolar Plasmon-Enhanced Photodetector Built on Germanium Nanodots Array/Graphene Hybrid, ADVANCED MATERIALS INTERFACES, 2020, 第 6 作者
（25） Graphene Quantum Dot-Decorated Vertically Oriented Graphene/Germanium Heterojunctions for Near-Infrared Photodetectors, ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2020, 第 2 作者
（26） Ferroelectric Enhanced Performance of a GeSn/Ge Dual-Nanowire Photodetector, NANO LETTERS, 2020, 第 6 作者
（27） Delamination-Free Functional Graphene Surface by Multiscale, Conformal Wrinkling, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2020, 第 4 作者
（28） Semidry release of nanomembranes for tubular origami, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 第 3 作者
（29） 采用低剂量H~+注入技术制备绝缘体上锗材料, Preparation of GOI by Low Dose H~+ Implantation Technology, 半导体技术, 2020, 第 2 作者
（30） High-Performance Broadband Tungsten Disulfifide Photodetector Decorated with Indium Arsenide Nanoislands, Phys. Status Solidi A, 2020, 通讯作者
（31） Perfect near-infrared absorption of graphene with hybrid dielectric nanostructures, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 6 作者
（32） Wafer-scale fabrication of single-crystal graphene on Ge(1 1 0) substrate by optimized CH4/H2 ratio, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 第 6 作者
（33） Ge field-effect transistor with asymmetric metal source/drain fabricated on Ge-on-Insulator: Schottky tunneling source mode operation and conventional mode operation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 第 5 作者
（34） Programmable graphene nanobubbles with three-fold symmetric pseudo-magnetic fields, NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 第 6 作者
（35） Fermi level depinning in Ti/n-type Ge Schottky junction by the insertion of fluorinated graphene, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 通讯作者
（36） Gas sensor based on defective graphene/pristine graphene hybrid towards high sensitivity detection of NO2, AIP ADVANCES, 2019, 第 6 作者
（37） Tension-Induced Raman Enhancement of Graphene Membranes in the Stretched State, SMALL, 2019, 第 2 作者
（38） NO2 gas sensor based on graphene decorated with Ge quantum dots, NANOTECHNOLOGY, 2019, 第 5 作者
（39） Corrigendum to "Probing built-in stress effect on the defect density of stretched monolayer graphene membranes" Carbon 152 (2019) 233–240, CARBON, 2019, 第 2 作者
（40） Biaxially strained germanium micro-dot array by hydrogen ion implantation, SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, 2019, 通讯作者
（41） Probing built-in stress effect on the defect density of stretched monolayer graphene membranes, CARBON, 2019, 第 2 作者
（42） Probing built-in stress effect on the defect density of stretched monolayer graphene membranes (vol 152, pg 233, 2019), CARBON, 2019, 第 2 作者
（43） Improvement of Nickel-Stanogermanide Contact Properties by Platinum Interlayer, Improvement of Nickel-Stanogermanide Contact Properties by Platinum Interlayer, 中国物理快报：英文版, 2018, 第 6 作者
（44） The effect of copper pretreatment on graphene synthesis by ion implantation into Ni/Cu substrate, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 3 作者
（45） Double quantum criticality in superconducting tin arrays-graphene hybrid. Nature Communications, Nature Communications, 2018, 第 1 作者
（46） Improvement of Nickel-Stanogermanide Contact Properties by Platinum Interlayer, Improvement of Nickel-Stanogermanide Contact Properties by Platinum Interlayer, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 第 6 作者
（47） Enhanced cracking in Si/B-doped Si0.70Ge0.30/Si heterostructures via hydrogen trapping effect, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2018, 第 2 作者
（48） Double quantum criticality in superconducting tin arrays-graphene hybrid., NATURE COMMUNICATIONS, 2018, 第 4 作者
（49） Vapor-solid-solid grown Ge nanowires at integrated circuit compatible temperature by molecular beam epitaxy, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 第 8 作者
（50） Fabrication of radiation hardened SOI with embedded Si nanocrystal by ion-cut technique, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2017, 第 5 作者
（51） Germanium-Assisted Direct Growth of Graphene on Arbitrary Dielectric Substrates for Heating Devices, SMALL, 2017, 第 2 作者
（52） Impact of Al addition on the formation of Ni germanosilicide layers under different temperature annealing, CHINESE PHYSICS B, 2017, 第 4 作者
（53） Ti mediated highly oriented growth of uniform and smooth Ni(Si0.8Ge0.2) layer for advanced contact metallization, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 第 5 作者
（54） Mechanism of NiSi0.7Ge0.3 epitaxial growth by Al interlayer mediation at 700 degrees C, ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 第 6 作者
（55） Investigation of coulomb scattering on ssi/si0.5ge0.5/ssoi quantum-well p-mosfets, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 6 作者
（56） Ion-sensitive field-effect transistor with ssi/si0.5ge0.5/ssoi quantum-well for high voltage sensitivity, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 第 6 作者
（57） Influence of hydrogen fluence on surface blistering of H and He co-implanted Ge, NUCLEAR INST. AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH, B, 2016, 第 2 作者
（58） 700℃退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理, Mechanism of NiSi_(0.7)Ge_(0.3) epitaxial growth by Al interlayer mediation at 700 ℃, 物理学报, 2016, 第 6 作者
（59） Influence of hydrogen fluence on surface blistering of H and He co-implanted Ge, NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2016, 第 2 作者
（60） The reduction of critical H implantation dose for ion cut by incorporating B-doped SiGe/Si superlattice into Si substrate, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 通讯作者
（61） High quality extremely thin SOI fabricated by facilitated ion-cut with H-trapping effect, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 第 2 作者
（62） Catalyst-free approach for growth of graphene sheets on high-density silica nanowires by cvd, MATERIALS LETTERS, 2016, 通讯作者
（63） Uniaxial and tensile strained germanium nanomembranes in rolled-up geometry by polarized Raman scattering spectroscopy, AIP ADVANCES, 2015, 第 3 作者
（64） Deterministic Assembly of Flexible Si/Ge Nanoribbons via Edge-Cutting Transfer and Printing for van der Waals Heterojunctions, SMALL, 2015, 第 3 作者
（65） Impact of an ultra-thin Ti interlayer on the formation of NiSiGe/SiGe, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2015, 第 5 作者
（66） 高锡含量锗锡合金和镍反应的形貌研究, Morphology research of high Sn concentration GeSn alloy reacted with Nickel, 功能材料与器件学报, 2015, 第 6 作者
（67） Manipulation of strain state in silicon nanoribbons by top-down approach, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 3 作者
（68） Ge-on-insulator wafer with ultralow defect density fabricated by direct condensation of SiGe-on-insulator structure, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 
（69） High performance strained si0.5ge0.5 quantum-well p-mosfets fabricated using a high-kappa/metal-gate last process, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 第 5 作者
（70） Strain analysis of free-standing strained silicon-on-insulator nanomembrane, CHINESE PHYSICS B, 2015, 第 3 作者
（71） Equivalent Trap Energy Level Extraction for SiGe Using Gate-Induced-Drain-Leakage Current Analysis, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 第 4 作者
（72） Ultrasmooth epitaxial Ge grown on (001) Si utilizing a thin B-doped SiGe buffer layer, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2014, 第 3 作者
（73） Mobility Enhancement and Gate-Induced-Drain-Leakage Analysis of Strained-SiGe Channel p-MOSFETs with Higher-kappa LaLuO3 Gate Dielectric, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 第 4 作者
（74） Ultrathin low temperature Si0.75Ge0.25/Si buffer layer for the growth of high quality Ge epilayer on Si (100) by RPCVD, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 第 3 作者
（75） Equivalent Trap Energy Level Extraction for SiGe Using Gate-Induced-Drain-Leakage Current Analysis, Equivalent Trap Energy Level Extraction for SiGe Using Gate-Induced-Drain-Leakage Current Analysis, 中国物理快报：英文版, 2014, 第 4 作者
（76） Strain relaxation of Si0.75Ge0.25 in hydrogen-implanted Si0.75Ge0.25/B-doped Si0.70Ge0.30/Si heterostructure, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2014, 第 2 作者
（77） 热处理中Si/SiGe/Si界面互扩散, Ge Inter-diffusion in Si/SiGe/Si Hetero-structure during Thermal Processing, 功能材料与器件学报, 2014, 第 5 作者
（78） 离子注入剥离法制备绝缘体上应变硅及其表征, Fabrication of Strained Silicon on the Insulator by the Ion Implantation Cut Process and Its Characterization, 半导体技术, 2014, 第 3 作者
（79） Ultralow temperature ramping rate of LT to HT for the growth of high quality Ge epilayer on Si (1 0 0) by RPCVD, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 第 2 作者
（80） Strain redistribution in free-standing bridge structure released from strained silicon-on-insulator, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 3 作者
（81） Mobility Enhancement and Gate-Induced-Drain-Leakage Analysis of Strained-SiGe Channel p-MOSFETs with Higher-k LaLuO_3 Gate Dielectric, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 第 4 作者
（82） C~+离子注入SiGe衬底提高NiSiGe表面和界面特性研究, Improved NiSiGe Surface and Interface Morphologies on C Pre - implanted SiGe, 功能材料与器件学报, 2013, 第 3 作者
（83） Three dimensional strain distribution of wrinkled silicon nanomembranes fabricated by rolling-transfer technique, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
（84） Electrical Characteristics of High Mobility Si/Si_(0.5)Ge_(0.5)/SOI Quantum-Well p-MOSFETs with a Gate Length of 100 nm and an Equivalent Oxide Thickness of 1.1 nm, Electrical Characteristics of High Mobility Si/Si_(0.5)Ge_(0.5)/SOI Quantum-Well p-MOSFETs with a Gate Length of 100 nm and an Equivalent Oxide Thickness of 1.1 nm, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 第 4 作者
（85） Sharp crack formation in low fluence hydrogen implanted Si0.75Ge0.25/B doped Si0.70Ge0.30/Si heterostructure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 6 作者
（86） 选择性腐蚀Si_（1-x）Ge_x与Si制备绝缘体上超薄应变硅, Fabrication of Ultra-Thin Strained Silicon on the Insulator by Selective Etching of Si_(1-x)Ge_x and Si, 半导体技术, 2013, 第 2 作者
（87） SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究, Research on the Loading Effects and Performance of SiGe Film Growth by RPCVD, 材料导报, 2012, 第 3 作者
（88） Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD, CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2012, 通讯作者
（89） Fabrication of Direct Silicon Bonded Hybrid Orientation Substrate by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer and Oxide Dissolution Annealing, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2011, 第 2 作者
（90） Epitaxial growth of fully relaxed Si 0.75Ge 0.25 on SOI substrate, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 第 1 作者
（91） Investigation of silicon on insulator fabricated by two-step O+ implantation, CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2011, 第 2 作者
（92） Etch characteristics of Si1-xGex films in HNO3:H2O:HF, SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2011, 第 1 作者
（93） 体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料, Growth of ultrathin Si1-xGex Films on Si Substrate for Fabricating SGOI, 功能材料与器件学报, 2011, 第 1 作者
（94） 两步氧离子注入工艺制备SOI材料研究, 科学通报, 2010, 第 2 作者
（95） 图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究, Fabrication of GaN on patterned silicon-on-insulator by epitaxial lateral overgrowth, 功能材料, 2010, 第 5 作者
（96） TCAD study on gate-all-around cylindrical (GAAC) transistor for CMOS scaling to the end of the roadmap, MICROELECTRONICS JOURNAL, 2009, 第 6 作者

   

（ 1 ） 原子级平滑表面剥离技术、机理研究及GOI材料制备, 负责人, 国家任务, 2018-01--2021-12
（ 2 ） 层转移超薄SOI材料技术开发, 参与, 国家任务, 2016-01--2018-12
（ 3 ） 绝缘体上单晶石墨烯晶圆（sGrOI）制造表征及应用研究, 参与, 地方任务, 2016-01--2018-12
（ 4 ） 825, 参与, 中国科学院计划, 2021-01--2023-12
（ 5 ） 兆级抗辐射 SOI 晶圆可控制备技术研究, 负责人, 国家任务, 2022-11--2026-10