基本信息
陈一仁  男  硕导  中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
电子邮件: chenyr@ciomp.ac.cn
通信地址: 吉林省长春市东南湖大路3888号东配楼
邮政编码: 130033

研究领域

III族氮化物半导体材料MOCVD外延生长及其光电子器件研究

招生信息

招收有志于从事第三代半导体——III族氮化物半导体材料与光电器件研究,光电器件应用开发研究,具有物理、电子和微电子背景的学生。

招生专业
070205-凝聚态物理
招生方向
III族氮化物光电子材料与器件

教育背景

   

教授课程

   

专利与奖励

   
奖励信息
(1) GaN基紫外探测器研究, 一等奖, 省级, 2013
专利成果
( 1 ) 具有可重复的双极阻抗开关特性的III族氮化物忆阻器, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN201610073857.5
( 2 ) 光电探测成像系统及其成像方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN201410182047.4
( 3 ) 一种III族氮化物半导体材料螺位错的标定方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710180416.X

合作情况

   

指导学生