基本信息
张波 男 硕导 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： bozhang@mail.sim.ac.cn
通信地址： 上海市长宁路865号5号楼十楼
邮政编码：
电子邮件： bozhang@mail.sim.ac.cn
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体材料与器件
教育背景
2009-09--2011-08 德国Juelich研究中心 合作研究
2007-09--2011-05 中科院上海微系统所 攻读博士学位
2004-09--2007-03 华中科技大学 攻读硕士学位
2007-09--2011-05 中科院上海微系统所 攻读博士学位
2004-09--2007-03 华中科技大学 攻读硕士学位
工作经历
工作简历
2013-12~现在, 中科院上海微系统所, 副研究员
2011-09~2013-12,中科院上海微系统所, 助理研究员
2009-09~2011-08,德国Juelich研究中心, 合作研究
2007-09~2011-05,中科院上海微系统所, 攻读博士学位
2004-09~2007-03,华中科技大学, 攻读硕士学位
2011-09~2013-12,中科院上海微系统所, 助理研究员
2009-09~2011-08,德国Juelich研究中心, 合作研究
2007-09~2011-05,中科院上海微系统所, 攻读博士学位
2004-09~2007-03,华中科技大学, 攻读硕士学位
专利与奖励
专利成果
（ 1 ） 一种基于SOI衬底的高迁移率双沟道材料的制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN 102820253
科研活动
科研项目
（ 1 ） 中科院高端硅基材料工程实验室, 参与, 中国科学院计划, 2020-07--2023-06
（ 2 ） 中科院上海微系统所技术转移服务机构示范, 负责人, 地方任务, 2019-06--2020-06
（ 3 ） 中科院上海微系统所双创示范基地“超越摩尔”支撑平台建设, 负责人, 国家任务, 2019-01--2020-12
（ 4 ） 情报分析可持续服务能力建设, 负责人, 中国科学院计划, 2015-01--2016-12
（ 5 ） 铝调制外延生长单晶镍硅锗化物及形成机理的研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
（ 6 ） 高迁移率全耗尽绝缘体上SiGe材料研究, 负责人, 中国科学院计划, 2014-01--2016-12
（ 2 ） 中科院上海微系统所技术转移服务机构示范, 负责人, 地方任务, 2019-06--2020-06
（ 3 ） 中科院上海微系统所双创示范基地“超越摩尔”支撑平台建设, 负责人, 国家任务, 2019-01--2020-12
（ 4 ） 情报分析可持续服务能力建设, 负责人, 中国科学院计划, 2015-01--2016-12
（ 5 ） 铝调制外延生长单晶镍硅锗化物及形成机理的研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
（ 6 ） 高迁移率全耗尽绝缘体上SiGe材料研究, 负责人, 中国科学院计划, 2014-01--2016-12