基本信息
孙浩  男  硕导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: sh@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号8号楼11层
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
毫米波与太赫兹固体电子学器件,半导体微结构器件与工艺,毫米波三维系统集成

教育背景

2003-09--2008-07   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   博士
1999-09--2003-07   浙江大学   学士

工作经历

   
工作简历
2003-09~2008-07,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士
1999-09~2003-07,浙江大学, 学士

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 三维集成微组装雷达前端模块, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113552540A

( 2 ) 异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111244188A

( 3 ) 一种微型化、低功耗、长寿命资产追踪终端, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN206922490U

( 4 ) 一种小型化高增益超材料喇叭天线, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106848593A

( 5 ) 一种微型化、低功耗、长寿命资产追踪终端, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106787104A

( 6 ) 一种光伏自供能、遥控车位地锁管理系统及其实施方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105576798A

( 7 ) 一种空间三维多参数分布测试系统及其实施方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105486349A

( 8 ) 一种用于三维集成的大厚度光敏BCB的涂覆方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105244291A

( 9 ) 一种用于光刻掩膜板制作过程的夹具, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN105204287A

( 10 ) 一种3mm波段小型探测器前端, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104833955A

( 11 ) 一种外周血循环肿瘤细胞检测芯片及系统, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104297298A

( 12 ) 可用于实现太赫兹特异介质的电磁谐振单元结构, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN202949024U

( 13 ) 可用于实现太赫兹特异介质的电磁谐振单元结构及方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102820512A

( 14 ) 一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102800986A

( 15 ) 双异质结双极晶体管结构, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102779846A

( 16 ) 一种射频单刀多掷开关及用于毫米波全息成像的开关阵列, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102468836A

( 17 ) 一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102386239A

( 18 ) 数字模拟混合移相电路, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102270977A

( 19 ) GSMBE制备Ⅲ-Ⅴ化合物半导体纳米管结构材料的方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101591811B

( 20 ) 毫米波全息成像系统前端收发阵列天线与开关的集成结构, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN202004155U

( 21 ) 一种用于全息成像安检系统的毫米波收发模块, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102135629A

( 22 ) 硅基Al 2 O 3 薄膜芯片电容器及制作方法, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102117699A

( 23 ) 硅基Al 2 O 3 薄膜芯片电容器及制作方法, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102117699A

( 24 ) 化合物半导体基肖特基二极管作为开关的相变存储器及方法, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN101964351A

( 25 ) 一种用于毫米波全息成像安检系统的射频收发前端, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101866018A

出版信息

   
发表论文
(1) Process Control Monitoring for Fabrication Technology of Superconducting Integrated Circuits, IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 2021, 第 15 作者
(2) 异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管毫米波开关优化设计及其成像应用, Optimal Design of Heterojunction AlGaAs/GaAs PIN Diode Millimeter-Wave Switch and Its Imaging Application, 激光与光电子学进展, 2021, 第 4 作者
(3) A facile approach for significantly enhancing fluorescent gas sensing by oxygen plasma treatments, SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL, 2021, 第 3 作者
(4) 异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管结构仿真设计及分析, 激光与光电子学进展, 2020, 第 5 作者
(5) 异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管结构的设计及分析, Design and Analysis of a Heterojunction AlGaAs/GaAs PIN Diode Structure, 激光与光电子学进展, 2020, 第 5 作者
(6) Si基埋置型GaAs芯片封装技术及其热分析, Si-Based Embedded GaAs Chip Packaging Technology and Its Thermal Analysis, 电子器件, 2020, 第 3 作者
(7) Simulation and Verification of Heterojunction AlGaAs/GaAs PIN Diode, 2019 CROSS STRAIT QUAD-REGIONAL RADIO SCIENCE AND WIRELESS TECHNOLOGY CONFERENCE (CSQRWC), 2019, 第 5 作者
(8) W-Band Miniaturized Multistage MMIC Low-Noise Amplifier, 2019 CROSS STRAIT QUAD-REGIONAL RADIO SCIENCE AND WIRELESS TECHNOLOGY CONFERENCE (CSQRWC), 2019, 第 3 作者
(9) Novel Graphene Biosensor Based on the Functionalization of Multifunctional Nano���bovine Serum Albumin for the Highly Sensitive Detection of Cancer Biomarkers, NANO-MICRO LETTERS, 2019, 第 3 作者
(10) 定量分析癌胚抗原的谐振式无线生物传感器, Resonant wireless biosensor for quantitative analysis on carcinoembryonic antigen, 传感器与微系统, 2018, 第 2 作者
(11) 基于超材料的毫米波汽车雷达喇叭天线设计与优化, Design and Optimization of Millimeter-wave Automobile Radar Horn Antennas Based on Metamaterial, 现代雷达, 2017, 第 3 作者
(12) Investigation of Controllable Nanoscale Heat-Denatured Bovine Serum Albumin Films on Graphene, LANGMUIR, 2016, 第 5 作者
(13) 基于反向平行二极管对管的高性能W波段谐波混频器(英文), A High-Performance W-Band Subharmonic Mixer Based on Anti-Parallel Diode Pair, 电子器件, 2016, 第 2 作者
(14) A novel dual-band terahertz metamaterial modulator, JOURNAL OF OPTICS, 2016, 第 2 作者
(15) 基于紫外吸收原理的硝酸盐在线监测传感器研制及应用, Development and application of sensor for nitrate detection based on principle of ultraviolet absorption, 环境工程学报, 2016, 第 1 作者
(16) On-chip tri-band bandpass filters using square ring open-stub loaded resonator on gaas substrate, MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, 2016, 第 4 作者
(17) 一种基于基板缺陷的共面波导电磁带隙结构, An EBG Structure Based on Substrate-Defected Coplanar Waveguide, 半导体光电, 2015, 第 3 作者
(18) A comparative study of Ge/Au/Ni/Au-based ohmic contact on graphene, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2014, 第 2 作者
(19) A DUAL-RESONANT METAMATERIAL IN TERAHERTZ REGIME, MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, 2013, 第 3 作者
(20) An InP-based heterodimensional Schottky diode for terahertz detection, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2012, 第 2 作者
(21) High peak-to-valley current ratio In_(0.53)Ga_(0.47)As/AlAs resonant tunneling diode with a high doping emitter, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2012, 第 2 作者
(22) 用于InP基DHBT制备的GaAs(0.51)Sb(0.49)湿法腐蚀研究, Study on Wet Etching of GaAs_(0.51)Sb_(0.49) Used for InP Based DHBT Fabrication, 电子器件, 2011, 第 1 作者
(23) Compound semiconductor nanotube materials grown and fabricated, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2011, 第 5 作者
(24) 用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文), 电子器件, 2011, 第 1 作者
(25) InP/InGaAs/InP DHBT structures with graded composition base grown by gas source molecular beam epitaxy, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 第 4 作者
(26) InP基RTD制备与特性分析, 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集, 2010, 第 2 作者
(27) InP基HEMT结构上制备的肖特基二极管, 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集, 2010, 第 1 作者
(28) GSMBE生长的带有渐变基区的InP/InGaAs/InP DHBT, 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集, 2010, 第 3 作者
(29) 新结构InGaP/GaAs/InGaPDHBT生长及特性研究, Growth and Characterization of a Novel InGaP/GaAs/InGaP DHBT, 固体电子学研究与进展, 2010, 第 3 作者
(30) 带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究, Study on InP/InGaAs/lnP DHBT Structure with Step-graded Composite Collector, 固体电子学研究与进展, 2008, 第 3 作者
(31) Heavily carbon-doped p-type InGaAs grown by gas source molecular beam epitaxy for application to heterojunction bipolar transistors, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 第 4 作者
(32) 重碳掺杂P型GaAsSb的GSMBE生长及其特性, Heavily Carbon-Doped p-Type GaAsSb Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy, 半导体学报, 2007, 第 1 作者
(33) InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性, Growth and Characterization of InP-Based and Phosphorous-Involved HBT Materials by GSMBE, 半导体学报, 2007, 第 4 作者
(34) 带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析, Analysis of an InP/InGaAs/InP DHBT with Composite Doping Collector, 半导体学报, 2006, 第 1 作者
(35) InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性研究, 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2006, 第 4 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 干涉-质心-自准直光学共路的六自由度测量方法研究, 参与, 国家任务, 2024-01--2027-12
( 2 ) 基于异质集成技术的xx前端芯片, 负责人, 中国科学院计划, 2023-07--2025-12
( 3 ) 毫米波阵列开关芯片及产业化, 负责人, 中国科学院计划, 2019-01--2020-12
( 4 ) 基于超材料的太赫兹调制器, 负责人, 地方任务, 2014-07--2017-06