基本信息

王仍 女 硕导 中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件: rwang@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 上海虹口玉田路500号
邮政编码:
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
红外材料,红外探测器
教育背景
2006-04--2009-06 中科院上海技术物理研究所 理学博士
工作经历
工作简历
2009-07~现在, 中科院上海技术物理研究所, 副研究员
2006-04~2009-06,中科院上海技术物理研究所, 理学博士
2006-04~2009-06,中科院上海技术物理研究所, 理学博士
专利与奖励
专利成果
( 1 ) 一种高饱和阈值的碲镉汞探测器芯片及制备方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115513315A
( 2 ) 一种低成本HgTe三维拓扑材料生长的方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109750358A
( 3 ) 高密闭性碲镉汞气相外延的石英套管, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN206279283U
( 4 ) 一种高密闭性碲镉汞气相外延的石英套管, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106435718A
( 5 ) 一种用于碲镉汞气相外延的多功能石墨舟, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104630883A
( 6 ) 用于碲镉汞气相外延生长的多功能石墨舟, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN204325543U
( 7 ) 碲化锌晶体空间生长用石英安瓿, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN203768487U
( 8 ) 一种单片集成式红外微透镜线列的制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103855251A
( 9 ) 一种碲化锌晶体空间生长用石英安瓿, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103849935A
( 10 ) 一种金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103668448A
( 11 ) 碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103343390A
( 12 ) 碲镉汞气相外延材料的N型热处理工艺方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103305918A
( 13 ) 一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN203134797U
( 14 ) 无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103187424A
( 15 ) 一种无蜡研磨精抛碲锌镉晶片的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102729132A
( 16 ) 高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102392294A
( 17 ) 一种用于等温气相外延工艺的晶体生长容器, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN202054924U
( 18 ) 一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102181922A
( 19 ) 锌镉碲单晶的生长和退火方法以及退火专用坩埚, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101275281A
( 20 ) 一种可见/红外宽光谱分色片的膜系结构, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101226244A
( 2 ) 一种低成本HgTe三维拓扑材料生长的方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109750358A
( 3 ) 高密闭性碲镉汞气相外延的石英套管, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN206279283U
( 4 ) 一种高密闭性碲镉汞气相外延的石英套管, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106435718A
( 5 ) 一种用于碲镉汞气相外延的多功能石墨舟, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104630883A
( 6 ) 用于碲镉汞气相外延生长的多功能石墨舟, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN204325543U
( 7 ) 碲化锌晶体空间生长用石英安瓿, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN203768487U
( 8 ) 一种单片集成式红外微透镜线列的制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103855251A
( 9 ) 一种碲化锌晶体空间生长用石英安瓿, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103849935A
( 10 ) 一种金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103668448A
( 11 ) 碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103343390A
( 12 ) 碲镉汞气相外延材料的N型热处理工艺方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103305918A
( 13 ) 一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN203134797U
( 14 ) 无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103187424A
( 15 ) 一种无蜡研磨精抛碲锌镉晶片的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102729132A
( 16 ) 高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102392294A
( 17 ) 一种用于等温气相外延工艺的晶体生长容器, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN202054924U
( 18 ) 一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102181922A
( 19 ) 锌镉碲单晶的生长和退火方法以及退火专用坩埚, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101275281A
( 20 ) 一种可见/红外宽光谱分色片的膜系结构, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101226244A
出版信息
发表论文
(1) 碲锌镉衬底晶面极性对水平液相外延碲镉汞薄膜的影响, Effect of polarity of CdZnTe substrate on slider liquid phase epitaxy of HgCdTe, 红外与毫米波学报, 2023, 第 4 作者
(2) 具有组分梯度的HgCdTe探测器光电特性, Photoelectric characteristics of compositionally graded HgCdTe detector, 红外与毫米波学报, 2023, 第 2 作者
(3) Cathodoluminescence(CL) analysis of ZnSe crystal from 350 nm to 850nm at room temperature, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2020, 第 1 作者 通讯作者
(4) 室温350~850 nm ZnSe晶体生长及阴极荧光光谱图谱分析, Cathodoluminescence(CL) analysis of ZnSe crystal from 350 nm to 850nm at room temperature, 红外与毫米波学报, 2020, 第 1 作者
(5) 天宫二号ZnTe: Cu晶体生长及能谱分析, Energy spectrum analysis and growth of ZnTe: Cu under Microgravity on TG-2 spacecraft, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 1 作者
(6) 天宫二号ZnTe:Cu晶体生长及能谱分析, Energy spectrum analysis and growth of ZnTe: Cu under Microgravity on TG-2 spacecraft, 红外与毫米波学报, 2019, 第 1 作者
(7) 微重力条件下红外材料的空间生长, Infrared Materials Growth under Microgravity in Spaceormalsize, 空间科学学报, 2018, 第 2 作者
(8) Materials Experiment on Tiangong-2 Space Laboratory, Materials Experiment on Tiangong-2 Space Laboratory, 空间科学学报, 2018, 第 5 作者
(9) 天宫二号碲化锌晶体生长, Growth of ZnTe Crystal in Microgravity on Tiangong-2 Spaceshipormalsize, 空间科学学报, 2018, 第 2 作者
(10) 微重力ZnTe: Cu晶体生长及阴极荧光光谱(CL)分析, Cathodoluminescence characterization analysis and growth of ZnTe: Cu under Microgravity, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2018, 第 1 作者 通讯作者
(11) Diode-pumped passively Q-switched Nd:YVO4 laser using a reticularly ordered single-walled carbon nanotube saturable absorber, OPTICS AND LASER TECHNOLOGY, 2017, 第 8 作者
(12) 双波段芯片集成封装组件的低温光谱定量化, 中国光学, 2017, 第 8 作者
(13) Strained HgTe plates grown on SrTiO3 investigated by micro-Raman mapping, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 2 作者
(14) 金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究, Study of Vapor Phase Epitaxy Growth of Au-doped Hg_(1-x)Cd_xTe and its Secondary Ion Mass Spectrum, 红外, 2016, 第 1 作者
(15) Zeeman splitting and spin-orbit interaction in Hg1-xCdxTe inversion layers, EPL, 2016, 第 5 作者
(16) Hg1-xCdxTe梯度带隙薄膜材料生长及红外透射光谱研究, Study on the Growth of Hgcdte Graded-Gap Films and the Infrared Transmission Spectra, 光子学报, 2015, 第 2 作者
(17) CdZnTe衬底对碲镉汞气相外延表面形貌的影响, Influence of CdZnTe substrateon surface topography of Hg1-x Cdx Te by vapor phase epitaxial, 激光与红外, 2015, 第 1 作者
(18) Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能, Growth of Au-doped Hg_(1-x)Cd_x Te epitaxial crystals and its Raman spectrum, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 1 作者
(19) Growth of Au-doped Hg1-x Cd-x Te epitaxial crystals and its Raman spectrum, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 1 作者
(20) 集成浸没透镜结构碲镉汞光伏器件的研制, Development of HgCdTe Photovoltaic Detectors with Integrated Immersion Lens Structure, 红外, 2015, 第 2 作者
(21) Passive Q-switching with GaAs or Bi-doped GaAs saturable absorber in Tm : LuAG laser operating at 2 mu m wavelength, OPTICS EXPRESS, 2015, 第 6 作者
(22) Conductivity type conversion in ion-beam-milled HgCdTe, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 3 作者
(23) Spin susceptibility of two-dimensional electron system in HgTe surface quantum well, APPLIEDPHYSICSLETTERS, 2014, 第 3 作者
(24) 金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究, Growth and Raman spectrum of Au-doped Hg1-xCdxTe epitaxial crystals, 红外与激光工程, 2014, 第 1 作者
(25) 干湿结合法在CdZnTe衬底上制备折射型红外微透镜的研究, Study on Infrared Refractive Micro-lens Prepared by Dry and Wet Etching on Cdznte Substrate, 半导体光电, 2014, 第 3 作者
(26) 离子束刻蚀碲镉汞中转型宽度, Conductivity type conversion in ion-beam-milled HgCdTe, 红外与毫米波学报, 2014, 第 3 作者
(27) 空间微重力汽相生长CdZnTe的研究进展, Research Advances in Vapor Phase Growth of CdZnTe under Microgravity, 红外, 2013, 第 1 作者
(28) Hg1-xCdxTe 晶体生长及太赫兹性能研究, Growth and terahertz characterization of Hg1-xCdxTe crystal, 红外与毫米波学报, 2011, 第 1 作者
(29) Growth and terahertz characterization of Hg1-x Cd-x Te crystal, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 1 作者 通讯作者
(30) 弱p型碲镉汞材料和陷阱模式光导探测器, Slight p-Type HgCdTe and Trapping-Mode Photoconductive HgCdTe Detectors, 激光与光电子学进展, 2011, 第 4 作者
(31) Study on p-type HgCdTe single crystals by mobility spectrum analysis, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 4 作者
(32) “弱p型”和低迁移率n型碲镉汞体材料的迁移率谱研究, Study of Mobility Spectra of Slight p-Type and Low Mobility n-Type Bulk HgCdTe Materials, 红外, 2011, 第 4 作者
(33) 〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射-探测性能理论研究, Calculation of Terahertz Pulse Propagation and Detection in���331��� ZnTe Single Crystal, 光子学报, 2010, 第 1 作者
(34) Distinguishment of the different parts of objects by terahertz imaging, 5th international symposium on advanced optical manufacturing and testing technologies - optoelectronic materials and devices for detector, imager, display, and energy conversion technology, 2010, 第 2 作者
(35) Influence of nonlinear effects in ZnTe on generation and detection of terahertz waves, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 第 7 作者
(36) 碲-熔剂方法生长ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测, THz EMISSION AND DETECTION OF ZnTe BULK CRYSTALS GROWN BY Te SOLVENT METHOD, 红外与毫米波学报, 2009, 第 1 作者
(37) 〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测, Radiation and detection of terahertz pulse in���331��� oriented ZnTe single crystal, 光子学报, 2009, 第 1 作者
(38) Properties of thin silver films with different thickness, PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2009, 第 3 作者
(39) 碲-熔剂方法生长ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测, THz EMISSION AND DETECTION OF ZnTe BULK CRYSTALS GROWN BY Te SOLVENT METHOD, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2009, 第 1 作者 通讯作者
(40) 碲-熔剂方法生长ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测, THz EMISSION AND DETECTION OF ZnTe BULK CRYSTALS GROWN BY Te SOLVENT METHOD, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2009, 第 1 作者 通讯作者
(41) UNDERLAYER ROUGHNESS INFLUENCE ON THE PROPERTIES OF Ag THIN FILM, SURFACE REVIEW AND LETTERS, 2008, 第 2 作者
(42) Growth and characteristics of ZnTe single crystal for THz technology, CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2008, 第 1 作者
(43) Growth and Characterization of (110) oriented ZnTe single crystal, INFRARED MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS, 2007, 第 1 作者
(2) 具有组分梯度的HgCdTe探测器光电特性, Photoelectric characteristics of compositionally graded HgCdTe detector, 红外与毫米波学报, 2023, 第 2 作者
(3) Cathodoluminescence(CL) analysis of ZnSe crystal from 350 nm to 850nm at room temperature, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2020, 第 1 作者 通讯作者
(4) 室温350~850 nm ZnSe晶体生长及阴极荧光光谱图谱分析, Cathodoluminescence(CL) analysis of ZnSe crystal from 350 nm to 850nm at room temperature, 红外与毫米波学报, 2020, 第 1 作者
(5) 天宫二号ZnTe: Cu晶体生长及能谱分析, Energy spectrum analysis and growth of ZnTe: Cu under Microgravity on TG-2 spacecraft, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 1 作者
(6) 天宫二号ZnTe:Cu晶体生长及能谱分析, Energy spectrum analysis and growth of ZnTe: Cu under Microgravity on TG-2 spacecraft, 红外与毫米波学报, 2019, 第 1 作者
(7) 微重力条件下红外材料的空间生长, Infrared Materials Growth under Microgravity in Spaceormalsize, 空间科学学报, 2018, 第 2 作者
(8) Materials Experiment on Tiangong-2 Space Laboratory, Materials Experiment on Tiangong-2 Space Laboratory, 空间科学学报, 2018, 第 5 作者
(9) 天宫二号碲化锌晶体生长, Growth of ZnTe Crystal in Microgravity on Tiangong-2 Spaceshipormalsize, 空间科学学报, 2018, 第 2 作者
(10) 微重力ZnTe: Cu晶体生长及阴极荧光光谱(CL)分析, Cathodoluminescence characterization analysis and growth of ZnTe: Cu under Microgravity, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2018, 第 1 作者 通讯作者
(11) Diode-pumped passively Q-switched Nd:YVO4 laser using a reticularly ordered single-walled carbon nanotube saturable absorber, OPTICS AND LASER TECHNOLOGY, 2017, 第 8 作者
(12) 双波段芯片集成封装组件的低温光谱定量化, 中国光学, 2017, 第 8 作者
(13) Strained HgTe plates grown on SrTiO3 investigated by micro-Raman mapping, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 2 作者
(14) 金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究, Study of Vapor Phase Epitaxy Growth of Au-doped Hg_(1-x)Cd_xTe and its Secondary Ion Mass Spectrum, 红外, 2016, 第 1 作者
(15) Zeeman splitting and spin-orbit interaction in Hg1-xCdxTe inversion layers, EPL, 2016, 第 5 作者
(16) Hg1-xCdxTe梯度带隙薄膜材料生长及红外透射光谱研究, Study on the Growth of Hgcdte Graded-Gap Films and the Infrared Transmission Spectra, 光子学报, 2015, 第 2 作者
(17) CdZnTe衬底对碲镉汞气相外延表面形貌的影响, Influence of CdZnTe substrateon surface topography of Hg1-x Cdx Te by vapor phase epitaxial, 激光与红外, 2015, 第 1 作者
(18) Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能, Growth of Au-doped Hg_(1-x)Cd_x Te epitaxial crystals and its Raman spectrum, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 1 作者
(19) Growth of Au-doped Hg1-x Cd-x Te epitaxial crystals and its Raman spectrum, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 1 作者
(20) 集成浸没透镜结构碲镉汞光伏器件的研制, Development of HgCdTe Photovoltaic Detectors with Integrated Immersion Lens Structure, 红外, 2015, 第 2 作者
(21) Passive Q-switching with GaAs or Bi-doped GaAs saturable absorber in Tm : LuAG laser operating at 2 mu m wavelength, OPTICS EXPRESS, 2015, 第 6 作者
(22) Conductivity type conversion in ion-beam-milled HgCdTe, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 3 作者
(23) Spin susceptibility of two-dimensional electron system in HgTe surface quantum well, APPLIEDPHYSICSLETTERS, 2014, 第 3 作者
(24) 金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究, Growth and Raman spectrum of Au-doped Hg1-xCdxTe epitaxial crystals, 红外与激光工程, 2014, 第 1 作者
(25) 干湿结合法在CdZnTe衬底上制备折射型红外微透镜的研究, Study on Infrared Refractive Micro-lens Prepared by Dry and Wet Etching on Cdznte Substrate, 半导体光电, 2014, 第 3 作者
(26) 离子束刻蚀碲镉汞中转型宽度, Conductivity type conversion in ion-beam-milled HgCdTe, 红外与毫米波学报, 2014, 第 3 作者
(27) 空间微重力汽相生长CdZnTe的研究进展, Research Advances in Vapor Phase Growth of CdZnTe under Microgravity, 红外, 2013, 第 1 作者
(28) Hg1-xCdxTe 晶体生长及太赫兹性能研究, Growth and terahertz characterization of Hg1-xCdxTe crystal, 红外与毫米波学报, 2011, 第 1 作者
(29) Growth and terahertz characterization of Hg1-x Cd-x Te crystal, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 1 作者 通讯作者
(30) 弱p型碲镉汞材料和陷阱模式光导探测器, Slight p-Type HgCdTe and Trapping-Mode Photoconductive HgCdTe Detectors, 激光与光电子学进展, 2011, 第 4 作者
(31) Study on p-type HgCdTe single crystals by mobility spectrum analysis, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 4 作者
(32) “弱p型”和低迁移率n型碲镉汞体材料的迁移率谱研究, Study of Mobility Spectra of Slight p-Type and Low Mobility n-Type Bulk HgCdTe Materials, 红外, 2011, 第 4 作者
(33) 〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射-探测性能理论研究, Calculation of Terahertz Pulse Propagation and Detection in���331��� ZnTe Single Crystal, 光子学报, 2010, 第 1 作者
(34) Distinguishment of the different parts of objects by terahertz imaging, 5th international symposium on advanced optical manufacturing and testing technologies - optoelectronic materials and devices for detector, imager, display, and energy conversion technology, 2010, 第 2 作者
(35) Influence of nonlinear effects in ZnTe on generation and detection of terahertz waves, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 第 7 作者
(36) 碲-熔剂方法生长ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测, THz EMISSION AND DETECTION OF ZnTe BULK CRYSTALS GROWN BY Te SOLVENT METHOD, 红外与毫米波学报, 2009, 第 1 作者
(37) 〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测, Radiation and detection of terahertz pulse in���331��� oriented ZnTe single crystal, 光子学报, 2009, 第 1 作者
(38) Properties of thin silver films with different thickness, PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2009, 第 3 作者
(39) 碲-熔剂方法生长ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测, THz EMISSION AND DETECTION OF ZnTe BULK CRYSTALS GROWN BY Te SOLVENT METHOD, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2009, 第 1 作者 通讯作者
(40) 碲-熔剂方法生长ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测, THz EMISSION AND DETECTION OF ZnTe BULK CRYSTALS GROWN BY Te SOLVENT METHOD, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2009, 第 1 作者 通讯作者
(41) UNDERLAYER ROUGHNESS INFLUENCE ON THE PROPERTIES OF Ag THIN FILM, SURFACE REVIEW AND LETTERS, 2008, 第 2 作者
(42) Growth and characteristics of ZnTe single crystal for THz technology, CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2008, 第 1 作者
(43) Growth and Characterization of (110) oriented ZnTe single crystal, INFRARED MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS, 2007, 第 1 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 航天工程用红外探测器研制, 参与, 国家任务, 2016-06--2018-12
( 2 ) TG2 ZnTe:Cu 晶体生长, 参与, 国家任务, 2014-09--2019-09
( 2 ) TG2 ZnTe:Cu 晶体生长, 参与, 国家任务, 2014-09--2019-09