080903-微电子学与固体电子学

红外探测器研制

2009-09--2013-06   中国科学院上海技术物理研究所   博士
2002-09--2005-06   中国科学院上海技术物理研究所   硕士
1998-09--2002-06   北京师范大学   物理学学士

   

2009-09~2013-06,中国科学院上海技术物理研究所, 博士
2005-07~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员
2002-09~2005-06,中国科学院上海技术物理研究所, 硕士
1998-09~2002-06,北京师范大学, 物理学学士

   

（ 1 ） 集成温度监测结构的红外探测器, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN219303681U

（ 2 ） 一种用于红外宽光谱分光快速测温的碲镉汞光导器件, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN110931516B

（ 3 ） 一种倒装式聚四氟乙烯半导体晶片夹具, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113458995A

（ 4 ） 碲镉汞材料的表面清洗方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105655237A

（ 5 ） 一种改善光谱平整度的红外探测器, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN203631575U

（ 6 ） 一种改善光谱平整度的红外探测器结构, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103579406A

（ 7 ） 具有双面反射层的碲镉汞光电导探测器的参考元, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN202405296U

（ 8 ） 一种具有双面反射层的碲镉汞红外光电导探测器的参考元, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102354714A

（ 9 ） 从背面引电极的碲镉汞长波红外光电导探测器, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN201812821U

（ 10 ） 具有参考元结构的碲镉汞红外光电导探测器, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102004002A

（ 11 ） 具有曲线延伸电极结构的碲镉汞红外线列探测器, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN101997052A

（ 12 ） 一种细长型的碲镉汞单元探测器, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN201689901U

（ 13 ） 一种细长型的碲镉汞单元光导探测器, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101866974A

（ 14 ） 背照式碲镉汞长波红外探测器, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN201556621U

（ 15 ） 背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101728403A

（ 16 ） 高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101728450A

（ 17 ） 背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器及制备方法, 2009, 第 7 作者, 专利号: CN101494244A

（ 18 ） 碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101261998A

（ 19 ） 铝镓氮－锆钛酸铅焦平面探测器, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101211958A

（ 20 ） 铟镓砷线列红外焦平面探测器, 2008, 第 5 作者, 专利号: CN201004463Y

（ 21 ） 甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的抗反膜及制备方法, 2007, 第 5 作者, 专利号: CN1937233A

   

（1） 瞬态光响应法测试中波碲镉汞器件少子寿命的新方法, A New Method for Measuring The Minority Carrier Lifetime of MWIR HgCdTe Materials by Transient Photoresponse Method, 半导体光电, 2023, 第 3 作者
（2） 具有组分梯度的HgCdTe探测器光电特性, Photoelectric characteristics of compositionally graded HgCdTe detector, 红外与毫米波学报, 2023, 第 7 作者
（3） 大气环境监测卫星宽幅成像仪高性能碲镉汞红外探测芯片, High Performance HgCdTe Infrared Detectors for Wide Swath Imager Instrument Onboard DQ-1 Satellite, 上海航天(中英文), 2023, 第 2 作者
（4） Review of Geostationary Interferometric Infrared Sounder, Review of Geostationary Interferometric Infrared Sounder, 中国光学快报：英文版, 2018, 第 16 作者
（5） 红外探测器组件的光串测试及模拟, Measurement and Simulation of Optical Crosstalk of Infrared Detector Modules, 光学学报, 2016, 第 4 作者
（6） 感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶掩模的异常性, Abnormality of Photoresist Mask Exposed to Inductively Coupled Plasma Dry Etching, 半导体光电, 2016, 第 7 作者
（7） 不同结构红外光导探测器组件光串分析, Analysis on optical crosstalk of infrared photoconductive detector modules with different structures, 红外与激光工程, 2016, 第 4 作者
（8） MTF of infrared detector modules with different structures, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 第 4 作者
（9） 不同结构长波红外探测器组件的MTF分析, MTF of infrared detector modules with different structures, 红外与毫米波学报, 2016, 第 4 作者
（10） 化学机械抛光产生的碲镉汞材料亚表面损伤层的研究, Study of the sub-surface damage of HgCdTe induced by chemical-mechanical polishing method, 红外与激光工程, 2016, 第 5 作者
（11） The effect of electrode process on properties of HgCdTe detectors, SPIE, 2014, 第 1 作者
（12） 长波碲镉汞材料阳极氧化膜ZnS界面电学特性参数的研究, 红外与毫米波学报, 2013, 第 1 作者
（13） Electrical properties of a MIS structure consisting of AOF/ZnS and LWIR HgCdTe film, JOURNALOFINFRAREDANDMILLIMETERWAVES, 2013, 第 1 作者  通讯作者
（14） 长波碲镉汞材料阳极氧化膜/ZnS界面的电学特性参数, Electrical properties of a MIS structure consisting of AOF/ZnS and LWIR HgCdTe film, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 1 作者
（15） 两种不同方法测试HgCdTe材料少数载流子寿命, Minority carrier lifetime of HgCdTe measured by two different methods, 红外与激光工程, 2012, 第 1 作者
（16） The interfacial Properties of AOF ZnS and LWIR Bulk HgCdTe Materials By MIS Structures, SPIE, 2012, 第 1 作者
（17） “弱p型”和低迁移率n型碲镉汞体材料的迁移率谱研究, Study of Mobility Spectra of Slight p-Type and Low Mobility n-Type Bulk HgCdTe Materials, 红外, 2011, 第 7 作者
（18） 弱p型碲镉汞材料和陷阱模式光导探测器, Slight p-Type HgCdTe and Trapping-Mode Photoconductive HgCdTe Detectors, 激光与光电子学进展, 2011, 第 7 作者
（19） Study on p-type HgCdTe single crystals by mobility spectrum analysis, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 3 作者
（20） 新型的AlGaN／PZT材料紫外／红外双波段探测器, New AlGaN/PZT ultraviolet/infrared dual-band detector, 红外与激光工程, 2009, 第 2 作者
（21） SiNx钝化256元InGaAs短波红外焦平面探测器, 256 elements linear InGaAs SWIR focal plane array with SiNx passivation, 红外与激光工程, 2008, 第 4 作者
（22） （NH4）2S硫化处理后InGaAs表面特性的研究, The Surface Properties of InGaAs Passivated with (NH4 )2 S, 激光与红外, 2007, 第 2 作者
（23） p＋-InP／n-InGaAs／n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析, Microwave Photoconductivity Decay (pL-PCD) Characterization and Mechanismof p^���-InP/n-InGaAs/n-InP Double Heterojunction Material, 半导体学报, 2007, 第 2 作者
（24） The uniformity of ingaas in inp/ingaas/inp by microwave photoconductivity decay (mu-pcd) carrier lifetime measurement, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2006, 第 2 作者
（25） 微波反射光电导衰减法测量InGaAs 吸收层的均匀性, 半导体光电, 2006, 第 3 作者
（26） HgCdTe的位错及其对器件性能影响的研究, 红外, 2005, 第 1 作者

   

（ 1 ） 风云三号xxx红外探测器, 参与, 国家任务, 2023-08--2024-12
（ 2 ） 航天工程用红外探测器研制, 参与, 国家任务, 2016-01--2018-12