080903-微电子学与固体电子学

碲镉汞探测器

2009-09--2015-07   上海技术物理研究所   博士学位
2003-09--2006-07   上海大学   硕士学位

   

2015-10~现在, 上海技术物理研究所, 副研究员
2009-09~2015-07,上海技术物理研究所, 博士学位
2003-09~2006-07,上海大学, 硕士学位

   

（ 1 ） 一种高饱和阈值的碲镉汞探测器芯片及制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115513315A

（ 2 ） 一种提高n型碲镉汞体晶载流子输运参数的方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113013026A

（ 3 ） 高密闭性碲镉汞气相外延的石英套管, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN206279283U

（ 4 ） 一种高密闭性碲镉汞气相外延的石英套管, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106435718A

（ 5 ） 碲镉汞材料的表面清洗方法, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105655237A

（ 6 ） 一种用于碲镉汞气相外延的多功能石墨舟, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104630883A

（ 7 ） 用于碲镉汞气相外延生长的多功能石墨舟, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN204325543U

（ 8 ） 一种金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103668448A

（ 9 ） 碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103343390A

（ 10 ） 碲镉汞气相外延材料的N型热处理工艺方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103305918A

（ 11 ） 一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN203134797U

（ 12 ） 无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103187424A

（ 13 ） 铟镓砷台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法, 2009, 第 4 作者, 专利号: CN100541830C

   

（1） 瞬态光响应法测试中波碲镉汞器件少子寿命的新方法, A New Method for Measuring The Minority Carrier Lifetime of MWIR HgCdTe Materials by Transient Photoresponse Method, 半导体光电, 2023, 第 4 作者
（2） 室温中波红外碲镉汞探测器激光辐照饱和特性的仿真, Simulation on the saturation properties of room-temperature mid-wave infrared HgCdTe detectors, 红外与毫米波学报, 2023, 第 3 作者
（3） 具有组分梯度的HgCdTe探测器光电特性, Photoelectric characteristics of compositionally graded HgCdTe detector, 红外与毫米波学报, 2023, 第 1 作者
（4） 大气环境监测卫星宽幅成像仪高性能碲镉汞红外探测芯片, High Performance HgCdTe Infrared Detectors for Wide Swath Imager Instrument Onboard DQ-1 Satellite, 上海航天(中英文), 2023, 第 6 作者
（5） 基于梯度能带结构的高速非制冷中波红外HgCdTe探测器, High speed uncooled MWIR infrared HgCdTe photodetector based on graded bandgap structure, 红外与毫米波学报, 2022, 第 2 作者
（6） GaAs/AlGaAs量子阱长波10.55μm红外焦平面探测器, GaAs/AlGaAs QWIP IRFPA for 10.55��m long wavelength, 红外与激光工程, 2020, 第 5 作者
（7） 基于水平集方法的离子束刻蚀碲镉汞的轮廓演变模拟, Simulation of profile evolution in HgCdTe ion beam etching by the level set method, 红外与毫米波学报, 2019, 第 2 作者
（8） Simulation of profile evolution in HgCdTe ion beam etching by the level set method, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 2 作者
（9） Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能, Growth of Au-doped Hg_(1-x)Cd_x Te epitaxial crystals and its Raman spectrum, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 3 作者
（10） Growth of Au-doped Hg1-x Cd-x Te epitaxial crystals and its Raman spectrum, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 3 作者
（11） 离子束刻蚀碲镉汞晶体的电学特性研究, Study on electrical properties of ion-beam-etched HgCdTe crystal, ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 第 1 作者  通讯作者
（12） 离子束刻蚀碲镉汞晶体的电学特性研究, Study on electrical properties of ion-beam-etched HgCdTe crystal, 物理学报, 2015, 第 1 作者
（13） Multi-pedestrian tracking based on feature learning method with lateral inhibition, 2015 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFORMATION AND AUTOMATION, 2015, 第 11 作者
（14） Modeling of Acoustic Propagation Channel in Underwater Wireless Sensor Networks, 2014 2ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON SYSTEMS AND INFORMATICS (ICSAI), 2014, 第 3 作者
（15） 离子束刻蚀碲镉汞中转型宽度的研究, 红外与毫米波学报, 2014, 第 1 作者
（16） Conductivity type conversion in ion-beam-milled HgCdTe, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 1 作者  通讯作者
（17） 金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究, Growth and Raman spectrum of Au-doped Hg1-xCdxTe epitaxial crystals, 红外与激光工程, 2014, 第 3 作者
（18） 离子束刻蚀碲镉汞中转型宽度, Conductivity type conversion in ion-beam-milled HgCdTe, 红外与毫米波学报, 2014, 第 1 作者
（19） A Highly Integrated Converter Topology in SRM Drive System with Battery Charge and V2G Function, 2014 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFORMATION AND AUTOMATION (ICIA), 2014, 第 3 作者
（20） Mobility spectrum analysis of ion-etching-induced p-to-n type converted layers in HgCdTe single crystal, SPIE, 2012, 第 1 作者
（21） Surface passivation of variable-area HgCdTe photovoltaic detectors, CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2008, 第 2 作者

   

（ 1 ） 航天工程用红外探测器研制, 负责人, 其他国际合作项目, 2016-06--2018-06