080903-微电子学与固体电子学

宽禁带半导体器件的研制

2005-07--2010-07   中国科学院上海技术物理研究所   博士

   

2010-07~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员
2005-07~2010-07,中国科学院上海技术物理研究所, 博士

   

（ 1 ） 一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113054057A

（ 2 ） 一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109148623A

（ 3 ） 具有异质结结构的GaN基p型场效应管, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN205376534U

（ 4 ） 具有异质结结构的GaN基p型场效应管及制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105514156A

（ 5 ） 集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN204680670U

（ 6 ） 集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器及制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104882455A

（ 7 ） 嵌有环形栅MOSFET的抗辐射SCR静电防护器件, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN203883004U

（ 8 ） 一种嵌有环形栅MOSFET的抗辐射SCR静电防护器件, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103915433A

（ 9 ） 背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器及制备方法, 2009, 第 4 作者, 专利号: CN101494244A

（ 10 ） 一种具有内增益的紫外探测器及制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101335308A

   

（1） 小像元量子阱FPA抗光学串音的FDTD仿真, FDTD Simulation of the Performance on Anti-optical Crosstalk of Small Pixel Quantum Well Focal Plane Array, 半导体光电, 2023, 第 2 作者
（2） 利用AlGaN薄膜透射谱提取材料参数的研究, Extraction of Material Parameters by Transmission Spectra of AlGaN Film, 光学学报, 2021, 第 2 作者
（3） High-performance beta-Ga2O3 thickness dependent solar blind photodetector, OPTICS EXPRESS, 2020, 第 2 作者
（4） GaAs/AlGaAs量子阱长波10.55μm红外焦平面探测器, GaAs/AlGaAs QWIP IRFPA for 10.55��m long wavelength, 红外与激光工程, 2020, 第 6 作者
（5） ESD design of radiation-hardened for UV AlGaN focal plane arrays readout circuit, OPTICAL SENSING AND IMAGING TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS, 2018, 第 2 作者
（6） AlGaN基日盲紫外探测器成像系统设计与实现, 光学与光电技术, 2018, 第 3 作者
（7） Study of monolithic integrated solar blind GaN-based photodetectors, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2018, 第 1 作者  通讯作者
（8） 背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟, Fabrication and Numerical Simulation of Back-Illuminated InGaN Ultraviolet Photodetector, 半导体光电, 2017, 第 3 作者
（9） Performance of back-illuminated In0.09Ga0.91N-based p-i-n photodetector, OPTICALANDQUANTUMELECTRONICS, 2017, 第 3 作者
（10） Analysis and Design of Low Noise Column Stage in CMOS ROIC for UV GaN Focal Plane Array, SELECTED PAPERS FROM CONFERENCES OF THE PHOTOELECTRONIC TECHNOLOGY COMMITTEE OF THE CHINESE SOCIETY OF ASTRONAUTICS 2014, PT I, 2015, 第 6 作者
（11） GaN基雪崩光电二极管及其研究进展, GaN-based avalanche photodiodes and its recent development, 红外与激光工程, 2014, 第 3 作者
（12） Dependence of dark current and photoresponse characteristics on polarization charge density for GaN-based avalanche photodiodes, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 第 5 作者
（13） 紫外DPS中DA控制器的NiosⅡ-IP核设计与实现, Design and implementation of DAC controller IP core based on Nios��� for UV DPS, 激光与红外, 2010, 第 3 作者
（14） 紫外DPS中DA控制器的NiosII-IP核设计与实现, Design and implementation of DAC controller IP core based on NiosII for UV DPS, 激光与红外, 2010, 第 3 作者
（15） GaN基紫外数字像素光电传感器设计与实现, Design and implementation of GaN-based UV digital pixel sensor, 激光与红外, 2010, 第 3 作者
（16） 日盲型AlGaN PIN紫外探测器的电容特性, Capacitance characteristics of solar-blind AlGaN PIN UV detector, 红外与激光工程, 2010, 第 4 作者
（17） KOH溶液处理对AlGaN紫外探测器暗电流的影响, The effect of KOH solution process on dark current of AlGaN ultraviolet photodetectors, 光电子．激光, 2009, 第 1 作者
（18） Effects of the intrinsic layer width on the band-to-band tunneling current in p-i-n GaN-based avalanche photodiodes, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2009, 第 1 作者  通讯作者
（19） 结电容对光伏器件I—V特性测试的影响, Impact of Junction Capacitance on Measurement of I-V Characteristics of Photovoltaic Detector, 红外, 2008, 第 2 作者
（20） 氮化镓基雪崩光电二极管的研制, Fabrication and Device Characteristics of GaN-based Avalanche Photodiodes, 激光与红外, 2007, 第 7 作者

   

（ 1 ） 航天工程用紫外探测器研制, 负责人, 国家任务, 2016-06--2019-06