基本信息
叶小玲  女    中国科学院半导体研究所
电子邮件: xlye@semi.ac.cn
通信地址: 北京市清华东路甲35号中国科学院半导体研究所
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
招生方向
半导体低维结构材料物理

教育背景

1998-09--2001-06   中国科学院研究生院   工学博士
1995-09--1998-06   中国科技大学国家同步辐射实验室   工学硕士
1991-09--1995-06   中国科学技术大学物理系   理学学士

工作经历

   
工作简历
2003-11~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2001-07~2003-10,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
1998-09~2001-06,中国科学院研究生院, 工学博士
1995-09~1998-06,中国科技大学国家同步辐射实验室, 工学硕士
1991-09~1995-06,中国科学技术大学物理系, 理学学士

教授课程

半导体光学

出版信息

   
发表论文
(1) Quantitative investigation of intrinsic shear strain and asymmetric interface conditions in semiconductor superlattices, Journal of Applied Physics, 2019, 第 3 作者
(2) InAs-based interband cascade lasers at 4.0um operating at room temperature, Journal of semiconductors, 2018, 第 9 作者
(3) Defect Formation and Elimination During the Growth of GaSb Epilayer, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 3 作者
(4) Fabrication of Low-Density Long-Wavelength InAs Quantum Dots using a Formation-Dissolution-Regrowth Method, Chinese Physics Letters, 2013, 第 2 作者
(5) Effect of rapid thermal annealing on the luminescence of self-assembled In As quantum dots embedded in GaAs-based photonic crystal nanocavities, Microelectronic Engineering, 2012, 第 3 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 量子级联探测材料的光电转换机理、制备及性能, 参与, 国家级, 2013-01--2017-12