基本信息
邓惠雄  男  硕导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: hxdeng@semi.ac.cn
通信地址: 半导体所2号楼501
邮政编码: 100086
部门/实验室:超晶格国家重点实验室

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
070205-凝聚态物理
085208-电子与通信工程
招生方向
半导体材料理论计算、物性探究与设计,半导体缺陷物理

教育背景

2005-09--2010-12   中国科学院半导体所   理学博士
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2015-01~2015-06,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2014-02~2014-12,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2011-04~2014-01,美国再生能源国家实验室, 博士后
2011-01~2011-04,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2005-09~2010-12,中国科学院半导体所, 理学博士
社会兼职
   

教授课程

   

专利与奖励

   
奖励信息
   
专利成果
   

出版信息

   
发表论文
(1) -Atomic-Ordering-Induced Quantum Phase Transition between Topological Crystalline Insulator and Z 2 Topological Insulator, Chinese Physics Letters, 2018, 第 1 作者
(2) Comment on ``Fundamental Resolution of Difficulties in the Theory of Charged Point Defects in Semiconductors', Physical Review Letters, 2018, 第 1 作者
(3) Highly polarization sensitive photodetectors based on quasi-1D titanium trisulfide (TiS 3 ), Nanotechnology, 2018, 第 6 作者
(4) Tuning transport performance in two-dimensional metal-organic framework semiconductors: Role of the metal d band, Applied Physics Letters, 2018, 第 7 作者
(5) Modulation of electronic and optical properties in mixed halide perovskites CsPbCl3xBr3(1-x) and CsPbBr3xI3(1-x), Applied Physics Letters, 2017, 第 3 作者
(6) Light induced double ‘on’ state anti-ambipolar behavior and self-driven photoswitching in p-WSe 2 /n-SnS 2 heterostructures, 2D Materials, 2017, 第 6 作者
(7) Earth-Abundant and Non-Toxic SiX (X = S, Se) Monolayers as Highly Efficient Thermoelectric Materials, The Journal of Physical Chemistry C, 2017, 第 3 作者
(8) Composition-tunable 2D SnSe2(1−x)S2x alloys towards efficient bandgap engineering and high performance (opto)electronics, J. Mater. Chem. C, 2017, 第 7 作者
(9) Stable 6%-efficient Sb2Se3 solar cells with a ZnO buffer layer, Nature Energy, 2017, 第 5 作者
(10) Suppress carrier recombination by introducing defects: The case of Si solar cell, Appl. Phys. Lett., 2016, 第 3 作者
(11) Origin of the Distinct Diffusion Behaviors of Cu and Ag in Covalent and Ionic Semiconductors, PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2016, 第 1 作者
(12) Wavelength dependent UV-Vis photodetectors from SnS2 flakes, RSC Adv., 2016, 第 4 作者
(13) Tailoring the interfacial exchange coupling of perpendicularly magnetized Co/L10-Mn1.5Ga bilayers, J. Phys. D: Appl. Phys., 2016, 第 11 作者
(14) Chemical trends of stability and band alignment of lattice-matched II-VI/III-V semiconductor interfaces., Phys. Rev. B, 2015, 第 1 作者
(15)  Hui-Xiong Deng, Bing Huang, Su-Huai Wei, Stable interface structures of heterovalent semiconductor superlattices: The case of (GaSb)n(ZnTe)n. , Comput. Mater. Sci., 2015, 第 1 作者
(16) Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets, Nanoscale, 2015, 第 2 作者
(17) Highly sensitive and fast phototransistor based on large size CVD-grown SnS2 nanosheets, Nanoscale, 2015, 第 2 作者
(18) The origin of electronic band structure anomaly in topological crystalline insulator group-IV tellurides, npj Computational Materials, 2015, 第 2 作者
(19) Origin of the failed ensemble average rule for the band gaps of disordered nonisovalent semiconductor alloys., Phys. Rev. B, 2014, 第 11 作者
(20) Exceptional Optoelectronic Properties of Hydrogenated Bilayer Silicene, Phys. Rev. X, 2014, 第 2 作者
(21) Electronic origin of the conductivity imbalance between covalent and ionic amorphous semiconductors, Phys. Rev. B, 2013, 第 1 作者
(22) Origin of Reduced Efficiency in Cu(In,Ga)Se _2 Solar Cells With High Ga Concentration: Alloy Solubility Versus Intrinsic Defects, EEE Journal of Photovoltaics , 2013, 第 3 作者
(23) First-principles study of magnetic properties in Mo-doped graphene, JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER , 2013, 第 2 作者
(24) Effect of hydrogen passivation on the electronic structure of ionic semiconductor nanostructures., Phys. Rev. B, 2012, 第 1 作者
(25) Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs, Phys. Rev. B, 2010, 第 1 作者
(26) Origin of antiferromagnetism in CoO: A density functional theory study ,  Appl. Phys. Lett., 2010, 第 1 作者
(27) Quantum Confinement Effects and Electronic Properties of SnO2 Quantum Wires and Dots.,  J. Phys. Chem. C, 2010, 第 1 作者
(28) Quantum mechanical simulation of nanosized metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using empirical pseudopotentials: A comparison for charge density occupation methods, J. Appl. Phys., 2009, 第 2 作者
(29) Multiple valley couplings in nanometer Si metal–oxide–semiconductor–field–effect transistors., J. Appl. Phys., 2008, 第 1 作者
(30) A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm MOSFETs,  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2008, 第 2 作者
(31) 
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 先进半导体热电材料微观机理的第一性原理研究及性能优化和设计, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12
( 2 ) 环境友好型高稳定性太阳能电池的材料设计与器件研究, 参与, 国家级, 2016-07--2020-06
( 3 ) 透明导电氧化物纳米结构的掺杂、形状及尺寸效应的第一性原理研究, 主持, 国家级, 2012-01--2014-12
( 4 ) 透明导电体的物理机理研究与新材料设计, 参与, 国家级, 2017-01--2021-12
( 5 ) 中国科学院青年创新促进会会员, 主持, 部委级, 2017-06--2020-12
( 6 ) 温度引起的半导体能带结构和输运性质的 重整化:电-声子相互作用效应, 主持, 国家级, 2019-01--2022-12
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生