基本信息
马骁  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: maxiao@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
140100-集成电路科学与工程
招生方向
射频/微波/毫米波器件与电路、数模混合集成电路设计

教育背景

2011-09--2015-07   中国科学院大学   博士

工作经历

   
工作简历
2011-09~2015-07,中国科学院大学, 博士
2008-01~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种跨多倍频程的数字延时线电路及其数字延时方法, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN116707522A

( 2 ) 逐次逼近型模数转换器, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113965202A

( 3 ) 一种IPD超宽频带功分器, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108493551A

( 4 ) 一种带隙基准电路, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108287584A

( 5 ) 一种带隙基准电路, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108287584A

( 6 ) 一种可变增益放大器系统, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103259498A

( 7 ) 一种逐次逼近型ADC版图结构, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103023504A

( 8 ) 一种可配置多通道逐次逼近结构的模数转换器, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103023505A

( 9 ) 一种宽电源电压低功耗定时器电路, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102983847A

( 10 ) 电容器结构, 2006, 第 3 作者, 专利号: CN1783373A

出版信息

   
发表论文
(1) X波段宽带数控移相器180°移相单元的设计, Design of 180��Phase Shift Unit of X-Band Logic Control Phase Shifter, 厦门理工学院学报, 2023, 第 3 作者
(2) 基于IPD工艺的滤波器设计, Filter Design Based on IPD Technology, 半导体技术, 2022, 第 3 作者
(3) 30 MHz~512 MHz FSK/OOK双模射频发射机设计, Design of 30 MHz���512 MHz FSK/OOK Dual-mode RF Transmitter, 微电子学与计算机, 2018, 第 2 作者
(4) 一种基于IPD工艺的超宽频带功率分配器设计, Design of the RF Wideband Power Divider Based on the Integrated Passive Devices Technology, 微电子学与计算机, 2018, 第 2 作者
(5) 一款增益可调的 28nm三通道10位DAC, 微电子学与计算机, 2017, 第 5 作者
(6) 28 nm CMOS工艺下800 MS/s 10 bit DAC的设计, Design of a 800 MS / s 10 bit DAC in 28 nm CMOS Technology, 半导体技术, 2016, 第 3 作者
(7) 应用于无线传感器网络的射频发射机电路, RF Transmitter Circuit for WSN Applications, 半导体技术, 2015, 第 1 作者
(8) 面向WSN结点SoC的逐次逼近模数转换器, Successive Approximation Register ADC for SoC in WSN, 半导体技术, 2013, 第 3 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) PCIe 5.0 IP开发, 参与, 中国科学院计划, 2024-01--2025-12
( 2 ) 面向GPON高速数据接口芯片研究, 参与, 研究所自主部署, 2023-01--2026-01
( 3 ) 面向高速数据通信的关键芯片研发, 参与, 中国科学院计划, 2022-03--2025-03