基本信息
郑军  男  硕导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: zhengjun06@mails.ucas.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
硅基光电子学
半导体材料与器件物理

教育背景

2006-09--2011-06   中国科学院研究生院   博士
2002-09--2006-06   北京理工大学   本科

工作经历

   
工作简历
2015-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2011-07~2014-12,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2006-09~2011-06,中国科学院研究生院, 博士
2002-09~2006-06,北京理工大学, 本科

教授课程

低维材料制备、表征及应用

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 集成加热型锗波导热光调制器结构及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910526911.0

出版信息

   
发表论文
(1) Investigation of lead surface segregation during germanium–lead epitaxial growth, Journal of Materials Science, 2020, 通讯作者
(2) Epitaxial growth and characterization of Ge1-x-ySnxPby ternary alloys, Journal of Alloys and Compounds, 2020, 通讯作者
(3) Well-aligned periodic germanium nanoisland arrays with large areas and improved field emission performance induced by femtosecond laser, Applied Surface Science, 2020, 通讯作者
(4) Spontaneously conversion from film to high crystalline quality stripe during Molecular Beam Epitaxy for high Sn content GeSn, Scientific Reports, 2020, 第 7 作者
(5) Horizontal GeSn/Ge multi-quantum-well ridge waveguide LEDs on silicon substrates, Photonics Research, 2020, 第 5 作者
(6) 56 Gbps high-speed Ge electro-absorption modulator, Photonics Research, 2020, 第 4 作者
(7) Growth of single crystalline GePb film on Ge substrate by magnetron sputtering epitaxy, Journal of Alloys and Compounds, 2019, 通讯作者
(8) Study of GePb photodetectors for shortwave infrared detection, Optics Express, 2019, 通讯作者
(9) Fabrication of Low-Resistance Ni Ohmic Contacts on n+-Ge1−xSnx, IEEE Transactions On Electron Devices, 2018, 第 1 作者
(10) Growth of high-Sn content (28%) GeSn alloy films by sputtering epitaxy, Journal of Crystal Growth, 2018, 第 1 作者
(11) Dual-Emission and Two Charge-Transfer States in Ytterbium-doped Cesium Lead Halide Perovskite Solid Nanocrystals, The Journal of Physical Chemistry C, 2018, 通讯作者
(12) Numerical calculation of strain-N+-Ge1-xSnx/P+-δGe1-xSnx/N-Ge1-y-zSiySnz/P+-Ge1-y-zSiySnz heterojunction tunnel field-effect transistor, Japanese Journal of Applied Physics, 2017, 通讯作者
(13) Characterization of a Ge1−x−ySiySnx/Ge1−xSnx multiple quantum well structure grown by sputtering epitaxy, Optics Letters, 2017, 第 1 作者
(14) Device simulation of GeSn/GeSiSn pocket n-type tunnel field-effect transistor for analog and RF applications,, Superlattices and Microstructures, 2017, 通讯作者
(15) GeSn p-i-n photodetectors with GeSn layer grown by magnetron sputtering epitaxy, Applied Physics Letters, 2016, 第 1 作者
(16) Influence of H2 on strain evolution of high-Sn-content Ge1-xSnx alloys, Journal of Materials Science, 2016, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 高锡组分锗锡合金外延生长及中红外光电探测器研究, 主持, 国家级, 2019-08--2023-06
( 2 ) 16通道100Gbps高响应低暗电流硅基微纳锗硅探测器阵列研究, 参与, 国家级, 2017-07--2022-06
( 3 ) 锗铅合金材料外延生长及能带结构的基础研究, 主持, 国家级, 2021-01--2021-12
( 4 ) 锗硅雪崩光电探测器阵列及相干成像激光雷达系统的研制, 主持, 国家级, 2021-01--2025-12
参与会议
(1)Ge1-xSnx及Ge1-xPbx合金的溅射外延生长研究   第十三届全国分子束外延学术会议   2019-08-14
(2)Ge1-xPbx合金的外延生长及光电探测器研究   第十三届全国硅基光电子材料及器件研讨会   2019-06-13
(3)Ge1-xSnx和Ge1-x-ySixSny单晶薄膜的溅射外延制备研究   中国材料大会   2018-07-12