基本信息
薛春来  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: clxue@semi.ac.cn
通信地址: 北京市912信箱
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
招生方向
硅基光电子材料与器件
硅基光子集成
新型硅基红外探测器件

教育背景

2002-09--2007-07   中国科学院研究生院   博士
1998-09--2002-07   吉林大学   学士

工作经历

   
工作简历
2015-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2012-02~2015-01,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2007-09~2012-02,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2002-09~2007-07,中国科学院研究生院, 博士
1998-09~2002-07,吉林大学, 学士

教授课程

硅基光电子学材料与器件

出版信息

   
发表论文
(1) 56 Gbps high-speed Ge electro-absorption modulator, Photonics Research, 2020, 第 5 作者
(2) Spontaneously Conversion from Film to High Crystalline Quality Stripe during Molecular Beam Epitaxy for High Sn Content GeSn,, Scientific Reports, 2020, 通讯作者
(3) Plasma Treatment for Nitrogen-Doped 3D Graphene Framework by a Conductive Matrix with Sulfur for High-Performance Li–S Batteries, Small, 2019, 通讯作者
(4) Germanium/perovskite heterostructure for high-performance and broadband photodetector from visible to infrared telecommunication band, Light Science & Application, 2019, 通讯作者
(5) Highly-enhanced SWIR image sensors based on Ge1-xSnx – graphene heterostructure photodetector, ACS Photonics, 2019, 通讯作者
(6) High-performance waveguide-integrated Ge/Si avalanche photodetector with small contact angle between selectively epitaxial growth Ge and Si layers,, Chin. Phys. B, 2019, 通讯作者
(7) Enhanced light trapping in Ge-on-Si-on-insulator photodetector by guided mode resonance effect, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 第 6 作者
(8) Growth of high-Sn content (28%) GeSn alloy films by sputtering epitaxy, Journal of Crystal Growth, 2018, 第 6 作者
(9) Fabrication of Low-Resistance Ni Ohmic Contacts on n+-Ge1−xSnx, IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 第 6 作者
(10) Multilayer Graphene–GeSn Quantum Well Heterostructure SWIR Light Source, Small, 2018, 通讯作者
(11) Characterization of a Ge1−x−ySiySnx/Ge1−xSnx multiple quantum well structure grown by sputtering epitaxy, Optics Letters, 2017, 第 6 作者
(12) 48 GHz high-performance Ge-on-SOI photodetector with zero-bias 40 Gbps grown by selective epitaxial growth, Journal of Lightwave Technology, 2017, 第 7 作者
(13) Device simulation of GeSn/GeSiSn pocket n-type tunnel field-effect transistor for analog and RF applications, Superlattices & Microstructures, 2017, 第 3 作者
(14) Numerical calculation of strain-N+-Ge1-xSnx/P+-δGe1-xSnx/N-Ge1-y-zSiySnz/P+-Ge1-y-zSiySnz heterojunction tunnel field-effect transistor, Japanese Journal of Applied Physics, 2017, 第 3 作者
(15) Defect-free high Sn-content GeSn on insulator grown by rapid melting growth, Scientific Reports, 2016, 第 6 作者
(16) High-responsivity vertical-illumination Si/Ge uni-traveling-carrier photodiodes based on silicon-on-insulator substrate, Scientific Reports, 2016, 第 2 作者
(17) Silicon Based GeSn p-i-n Photodetector for SWIR Detection, IEEE Photonics Journal, 2016, 通讯作者
(18) High-speed waveguide-integrated Ge/Si avalanche photodetector, Chinese Physics B, 2016, 通讯作者
(19) High performance silicon waveguide germanium photodetector, Chinese Physics B, 2015, 通讯作者
(20) Inhibitation of Si-Ge interdiffusion in Ge-on-insulator structures formed by rapid melt growth, Thin Solid Films, 2015, 第 4 作者
(21) Strain Evolution of Ge on Insulator Formed by Rapid Melting Growth, Journal of Solid State Science and Technology, 2015, 第 4 作者
(22) A first-principles calculation with GGA plus U approach, Journal of Applied Physics, 2015, 第 3 作者
(23) Influence of growth and annealing temperature on the strain and surface morphology of Ge995Sn0.005 epilayer, Applied Surface Science, 2015, 第 3 作者
(24) Zero-Bias High-Responsivity and High-Bandwidth Top-Illuminated Germanium p-i-n Photodetectors, Chin. Phys. B , 2014, 通讯作者
(25) Sixteen-element Ge-on-SOI PIN photo-detector arrays for parallel optical interconnects, Chinese Physics B, 2014, 通讯作者
(26) High-responsivity GeSn short-wave infrared p-i-n photodetectors, Applied Physics Letters, 2013, 通讯作者
(27) High-Bandwidth and High-Responsivity Top-Illuminated Germanium Photodiodes for Optical Interconnection, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2013, 第 2 作者
(28) High bandwidth surface-illuminated InGaAs/InP uni-travelling-carrier photodetector, Chin. Phys. B, 2013, 通讯作者
(29) 1×16 Ge-on-SOI PIN Photo-detector Array for Parallel Optical Interconnects, Chin. Phys. B , 2013, 通讯作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 硅基能带调控发光材料与激光器件, 主持, 国家级, 2013-01--2017-12
( 2 ) 硅基Ⅳ族材料红外光子学探测器件的基础研究, 主持, 国家级, 2012-01--2015-12
( 3 ) Si/Ge长波长单光子探测器基础研究, 主持, 国家级, 2010-01--2012-12
( 4 ) 硅基Ⅳ族合金材料能带调控机制与双异质结激光器的构建, 主持, 国家级, 2014-01--2017-12
( 5 ) 硅基锗锡多量子阱材料制备及发光特性研究, 主持, 国家级, 2017-01--2020-12
( 6 ) 单细胞蛋白定量分析及肿瘤研究中的应用创新交叉团队, 主持, 部委级, 2018-01--2020-12
( 7 ) 硅基短波红外雪崩光电探测器及其阵列的基础研究, 主持, 国家级, 2019-01--2022-12
( 8 ) 光子集成芯片智能化耦合封测设备, 主持, 部委级, 2019-01--2020-12
( 9 ) 面向单片集成的硅基短波红外成像新技术研究, 主持, 部委级, 2019-09--2024-08