080903-微电子学与固体电子学

短波红外探测器
偏振红外探测器
智能红外探测器

2007-09--2010-07   中国科学院上海技术物理研究所   理学博士

   

2017-09~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 研究员
2015-04~2015-07,University of Illinois at Chicago, Visiting Research Associate Professor
2012-10~2017-09,中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员
2010-07~2012-09,中国科学院上海技术物理研究所, 助理研究员
2007-09~2010-07,中国科学院上海技术物理研究所, 理学博士

短波红外InGaAs探测器

   

（ 1 ） 一种焦平面探测器两步倒焊工艺方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN109877479B

（ 2 ） 一种多层InGaAs探测器材料结构和制备方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN110896120A

（ 3 ） 一种控制铟镓砷光敏芯片平面度的平衡层结构, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN110491950A

（ 4 ） 一种用于延伸波长InGaAs焦平面探测器的耦合方法, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN109980044A

（ 5 ） 单片集成长线列金属偏振光栅的InGaAs焦平面探测器, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN208902268U

（ 6 ） 一种背照射型的可见及短波红外宽光谱InGaAs探测器, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109461788A

（ 7 ） 一种正照射型的可见及短波红外宽光谱InGaAs探测器, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109461785A

（ 8 ） 一种单片集成在光电探测器上的金属纳米光天线, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108445563A

（ 9 ） 铟镓砷短波红外探测器, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN205810840U

（ 10 ） 一种铟镓砷短波红外探测器, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105914250A

（ 11 ） 单片集成在高折射率衬底的亚波长金属光栅偏振片, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN204679671U

（ 12 ） 一种单片集成在高折射率衬底的亚波长金属光栅偏振片, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104880755A

（ 13 ） 一种延伸波长的平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103413863A

（ 14 ） 一种台面型铟镓砷探测器制备方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102376824A

（ 15 ） 一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102544222A

（ 16 ） 一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102544043A

（ 17 ） 单片集成亚波长微偏振光栅的铟镓砷近红外探测器, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102221406A

（ 18 ） 硅－铁均匀包覆型复合粉的制备方法, 2003, 第 5 作者, 专利号: CN1433860

   

（1） Precision integration of grating-based polarizers onto focal plane arrays of near-infrared photovoltaic detectors for enhanced contrast polarimetric imaging, Precision integration of grating-based polarizers onto focal plane arrays of near-infrared photovoltaic detectors for enhanced contrast polarimetric imaging, INTERNATIONAL JOURNAL OF EXTREME MANUFACTURING, 2021, 通讯作者
（2） Direct correlation of defects and dark currents of InGaAs/InP photodetectors, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 9 作者
（3） Fabrication of highly-uniform indium ball bumps for small unit-cell infrared focal plane arrays, AOPC 2020: INFRARED DEVICE AND INFRARED TECHNOLOGY, 2020, 第 6 作者
（4） Mie-Type Surface Texture-Integrated Visible and Short-Wave Infrared InGaAs/InP Focal Plane Arrays, ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 第 7 作者
（5） High electron mobility InP grown by solid source molecular beam epitaxy, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2020, 第 8 作者
（6） Design ａｎｄ fabrication o f an InGaAs focal plane array integrated with linear-array polarization grating, Optics Letters, 2020, 第 2 作者
（7） 短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展, Developments of short-wave infrared InGaAs focal plane detectors, 红外与激光工程, 2020, 第 3 作者
（8） Dark current and 1/f noise characteristics of In0.74Ga0.26As photodiode passivated by SiNx/Al2O3 bilayer, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2020, 第 8 作者
（9） Optimization study of metallic sub-wavelength gratings as the polarizer in infrared wavelengths, APPLIED OPTICS, 2020, 第 7 作者
（10） A study of nano-structural effect on the polarization characteristics of metallic sub-wavelength grating polarizers in visible wavelengths, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2020, 第 7 作者
（11） Ultra-low spectral reflectances of InP Mie resonators on an InGaAs/InP focal plane array, AIP ADVANCES, 2020, 第 5 作者
（12） Design and fabrication of an InGaAs focal plane array integrated with linear-array polarization grating, OPTICS LETTERS, 2020, 第 4 作者
（13） Characterization and calibration of blind pixels in short-wave infrared InGaAs focal plane arrays, OPTICAL ENGINEERING, 2019, 第 3 作者
（14） 结电容对不同光敏元尺寸InGaAs探测器I-V特性测试的影响, Impact of Junction Capacitance on Measurement of I-V Characteristic of InGaAs Detectors with Different Photosensitive Element Sizes, 光电子, 2019, 第 2 作者
（15） Research on polarization performance of InGaAs focal plane array integrated with superpixel-structured subwavelength grating, OPTICS EXPRESS, 2019, 第 2 作者
（16） Integrating subwavelength polarizers onto InP-InxGa1-xAs sensors for polarimetric detection at short infrared wavelength, PHOTONICS AND NANOSTRUCTURES-FUNDAMENTALS AND APPLICATIONS, 2019, 第 4 作者
（17） Inert gas packaging of InGaAs detector with multistage thermoelectric cooler, 9TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ADVANCED OPTICAL MANUFACTURING AND TESTING TECHNOLOGIES: ADVANCED OPTICAL MANUFACTURING TECHNOLOGIES, 2019, 第 5 作者
（18） 中心距10μm截止波长2.6μm的延伸波长InGaAs焦平面探测器, InGaAs focal plane array with the sub-10μm pixel pitch and 2.6μm cut-off wavelength, 红外与毫米波学报, 2018, 第 10 作者
（19） 增强短波红外InGaAs探测器透过率的纳米光天线研究, Enhanced Transmissivity of InP-based InGaAs Photodetectors by Optical Nano-antenna, 红外技术, 2018, 第 2 作者
（20） 中心距10μm截止波长2.6μm的延伸波长InGaAs焦平面探测器, InGaAs focal plane array with the sub-10μm pixel pitch and 2.6μm cut-off wavelength, 红外与毫米波学报, 2018, 第 10 作者
（21） InGaAs focal plane array with the sub-10 mu m pixel pitch and 2.6 mu m cut-off wavelength, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2018, 第 10 作者
（22） Study on the performance of 2.6 µm In0.83Ga0.17As detector with different etch gases, INFRARED PHYSICS AND TECHNOLOGY, 2017, 第 3 作者
（23） Study on the performance of 2.6 mu m In0.83Ga0.17As detector with different etch gases, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2017, 第 3 作者
（24） An optical nano-antenna structure of metallic ball array for enhancement of near-infrared photodetection, AOPC 2017: OPTICAL SENSING AND IMAGING TECHNOLOGY AND APPLICATIONS, 2017, 第 2 作者
（25） Measuring the Minority-Carrier Diffusion Length of n-Type In0.53Ga0.47As Epilayers Using Surface Photovoltage, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2017, 第 3 作者
（26） 高性能短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展, Developments of High Performance Short-wave Infrared InGaAs Focal Plane Detectors, 红外技术, 2016, 第 6 作者
（27） 不同退火处理的台面型In_（0.83）Ga_（0.17）As pin光电二极管暗电流分析, Dark current analysis of mesa type In0.83Ga0.17As p-i-n photodiodes with different annealing treatment, 红外与激光工程, 2016, 第 2 作者
（28） n- on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺, ICPCVD passivation of n on p structure deep mesa extended wavelength InGaAs photodetectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 第 4 作者
（29） ICPCVD passivation of n on p structure deep mesa extended wavelength InGaAs photodetectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 第 4 作者
（30） Dynamic gamma irradiation effects on mid-wavelength HgCdTe photovoltaic detectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 第 2 作者
（31） 中波碲镉汞光伏探测器的实时gamma辐照效应, Dynamic gamma irradiation effects on mid-wavelength HgCdTe photovoltaic detectors, 红外与毫米波学报, 2016, 第 2 作者
（32） 中波碲镉汞光伏探测器的实时gamma辐照效应, Dynamic gamma irradiation effects on mid-wavelength HgCdTe photovoltaic detectors, 红外与毫米波学报, 2016, 第 2 作者
（33） 不同退火处理的台面型In_（0.83）Ga_（0.17）As pin光电二极管暗电流分析, Dark current analysis of mesa type In0.83Ga0.17As p-i-n photodiodes with different annealing treatment, 红外与激光工程, 2016, 第 2 作者
（34） Interface property of silicon nitride films grown by inductively coupled plasma chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor deposition on In0.82Al0.18As, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2015, 第 7 作者
（35） 异质结InP/InGaAs探测器欧姆接触温度特性研究, Temperature-dependent characteristics of ohmic contact in hetero-junction InP /InGaAs detector, 红外与毫米波学报, 2015, 第 3 作者
（36） Low leakage of In0.83Ga017As photodiode with Al2O3/SiNx stacks, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2015, 第 4 作者
（37） 短波红外In_（0.53）Ga_（0.47）As探测器的实时γ辐照研究, Study on Real-timeγIrradiation Effect on Short Wavelength Infrared In_(0.53)Ga_(0.47)As Detectors, 半导体光电, 2015, 第 4 作者
（38） 可见增强的32×32元平面型InGaAs/InP面阵探测器, 32 × 32 pixel planar InGaAs/InP detector with response extended to visible wavelength band, 红外与毫米波学报, 2015, 第 8 作者
（39） Temperature dependence of Ohmic contacts of In0.83Ga0.17As photodiodes and its correlation with interface microstructure, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2015, 第 5 作者
（40） Anneal treatment to improve the performance of extended wavelength In0.83Ga0.17As photodetectors, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2015, 第 2 作者
（41） Temperature-dependent characteristics of ohmic contact in hetero-junction InP/InGaAs detector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 3 作者
（42） InGaAs焦平面探测器电串音性能的研究, Electrical crosstalk in InGaAs focal plane array, 红外与毫米波学报, 2015, 第 5 作者
（43） Electrical crosstalk in InGaAs focal plane array, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 6 作者
（44） Role of dielectric film in metal grating for improved polarized transmittance in 0.9-1.7 mu m range, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 第 4 作者
（45） 32 x 32 pixel planar InGaAs/InP detector with response extended to visible wavelength band, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 8 作者
（46） The simulation of localized surface plasmon and surface plasmon polariton in wire grid polarizer integrated on InP substrate for InGaAs sensor, AIP ADVANCES, 2015, 第 2 作者
（47） Subwavelength Gold Grating as Polarizers Integrated with InP-Based InGaAs Sensors, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2015, 第 2 作者
（48） Light trapping characteristics of metal nanoshells deposited on photovoltaic silicon films, OPTICS COMMUNICATIONS, 2015, 第 4 作者
（49） Effect of proton irradiation on extended wavelength In0.83Ga0.17As infrared detector, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2015, 第 5 作者
（50） Metal semishell-substrate coupled structures with enlargened near-field enhancement area, OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2015, 第 3 作者
（51） Responsivity Performance of Extended Wavelength InGaAs Shortwave Infrared Detector Arrays, IMAGE SENSING TECHNOLOGIES: MATERIALS, DEVICES, SYSTEMS, AND APPLICATIONS, 2014, 第 1 作者
（52） Inductively coupled plasma chemical vapor deposition silicon nitride for passivation of In0.83Ga0.17As photodiodes, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2014, 第 4 作者
（53） Surface passivation of In0.83Ga0.17As photodiode with high-quality SiN layer fabricated by ICPCVD at the lower temperature, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2014, 第 3 作者
（54） The 1/f noise characteristics of In0.83Ga0.17As photodiodes with SiNx passivation films fabricated by two different techniques, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2014, 第 5 作者
（55） The Influence of Sunlight Irradiation on the Characteristics of InGaAs Detectors, INFRARED SENSORS, DEVICES, AND APPLICATIONS IV, 2014, 第 5 作者
（56） Extended wavelength InGaAs infrared detector arrays based on three types of material structures grown by MBE, INFRARED TECHNOLOGY AND APPLICATIONS XL, 2014, 第 3 作者
（57） Performance of near-infrared InGaAs focal plane array with different series resistances to p-InP layer, IMAGE SENSING TECHNOLOGIES: MATERIALS, DEVICES, SYSTEMS, AND APPLICATIONS, 2014, 第 3 作者
（58） ICP刻蚀InGaAs的微观损伤机制研究, Microcosmic damage mechanism of inductively couple plasma etching for InGaAs, 红外与激光工程, 2013, 第 6 作者
（59） Performance of Low Dark Current InGaAs Shortwave Infrared Detector, 6TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ADVANCED OPTICAL MANUFACTURING AND TESTING TECHNOLOGIES: OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES FOR SENSING, IMAGING, AND SOLAR ENERGY, 2012, 通讯作者
（60） The temperature-dependent photoresponse uniformity of an InGaAs subpixels infrared detector by the LBIC technique, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2012, 第 3 作者
（61） Front-illuminated planar type InGaAs sub-pixels infrared detector, 6THINTERNATIONALSYMPOSIUMONADVANCEDOPTICALMANUFACTURINGANDTESTINGTECHNOLOGIESOPTOELECTRONICMATERIALSANDDEVICESFORSENSINGIMAGINGANDSOLARENERGY, 2012, 第 4 作者
（62） 平面型24元InGaAs短波红外探测器, Planar-type 24×1 InGaAs Short Wave Infrared Detectors, 红外技术, 2011, 第 2 作者
（63） OPTIMUM GUARD-RING FOR PLANAR InP/InGaAs PHOTODIODE: CHARACTERIZED WITH AFM, SCM and LBIC, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2010, 第 4 作者
（64） OPTIMUM GUARD-RING FOR PLANAR InP/InGaAs PHOTODIODE: CHARACTERIZED WITH AFM, SCM and LBIC, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2010, 第 4 作者
（65） Suppression of extension of the photo-sensitive area for a planar-type front-illuminated InGaAs detector by the LBIC technique, Suppression of extension of the photo-sensitive area for a planar-type front-illuminated InGaAs detector by the LBIC technique, 半导体学报, 2010, 第 3 作者
（66） 台面型InGaAs探测器暗电流及低频噪声研究, Investigation on dark current and low frequency noise of mesa type InGaAs infrared detector, 光电子．激光, 2010, 第 1 作者
（67） 近红外InGaAs探测器台面结构对器件性能的影响, Influence of mesa structure on the characteristics of the near infrared InGaAs photodiodes, 激光与红外, 2010, 第 5 作者
（68） AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的应用, OPTIMUM GUARD-RING FOR PLANAR InP/InGaAs PHOTODIODE:CHARACTERIZED WITH AFM,SCM and LBIC, 红外与毫米波学报, 2010, 第 1 作者
（69） 延伸波长InGaAs红外探测器的实时γ辐照研究, Real-time study of γ irradiation effect on extended wavelength InGaAs infrared detectors, 激光与红外, 2010, 第 1 作者
（70） Low frequency noise characteristics of extended wavelength InGaAs infrared detector, Proc. of SPIE, 2009, 第 1 作者
（71） InP／InxGa1-xAs异质结构中Zn元素的扩散机制, Zn diffusion mechanism in InP/InxGa1-xAs hetero structure, 红外与激光工程, 2009, 第 3 作者
（72） Effects of an anodic oxide passivation layer on mesa-type InGaAs (PIN) photodetectors, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2009, 第 5 作者
（73） InGaAs短波红外探测器的偏振响应特性分析, Polarization-dependent Responsivity of InGaAs SWIR Photodetector, 红外, 2009, 第 5 作者
（74） 平面型InGaAs红外探测器I-V特性研究, Current-voltage characteristics of planar-type InGaAs infrared detectors, 光电子．激光, 2009, 第 3 作者
（75） 平面型2．6μmInGaAs红外探测器变温特性研究, Temperature-dependent characteristics study of 2.6μm planar-type InGaAs infrared detector, 激光与红外, 2009, 第 4 作者
（76） InGaAs探测器性能与结面积和周长的关系研究, The dependence of InGaAs photodetectors′ performance on area and perimeter of the PN junction, 光电子．激光, 2009, 第 3 作者
（77） InGaAs探测器制备的ICP刻蚀方法研究, Fabrication of InGaAs Detector Using ICP Etching Method, 激光与红外, 2009, 第 4 作者
（78） InGaAs台面探测器的AIN钝化研究, Effect of AIN passivation on mesa structured PIN InGaAs detector, 红外与激光工程, 2009, 第 2 作者
（79） 平面型InGaAs红外探测器Ⅰ-Ⅴ特性研究, Current-voltage characteristics of planar-type InGaAs infrared detectors, 光电子·激光, 2009, 第 3 作者
（80） 空间遥感用近红外InGaAs焦平面组件, Near-infrared InGaAs FPAs for space applications, 红外与激光工程, 2009, 第 6 作者

   

（ 1 ） 高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证, 参与, 国家任务, 2012-01--2016-08
（ 2 ） 航空机载用平面型大光敏元InGaAs短波红外探测器, 负责人, 研究所自主部署, 2012-01--2013-12
（ 3 ） 基于纳米天线增强效应的新型短波红外探测器研究, 负责人, 国家任务, 2017-01--2019-12
（ 4 ） 基于阻挡层结构外延材料的InGaAs探测器的可见-短波红外光谱拓展方法研究, 参与, 国家任务, 2013-01--2017-12
（ 5 ） 数字化铟镓砷, 负责人, 国家任务, 2019-11--2021-12
（ 6 ） 偏振铟镓砷, 负责人, 国家任务, 2020-01--2022-06
（ 7 ） XXX系统, 负责人, 国家任务, 2022-10--2024-10