080903-微电子学与固体电子学

新型化合物半导体辐射效应

2011-09--2017-01   中国科学院大学   博士学位
2006-09--2010-06   合肥工业大学   学士学位

   

2022-11~现在, 中国科学院新疆理化技术研究所, 副研究员
2017-03~2022-10,中国科学院新疆理化技术研究所, 助理研究员
2011-09~2017-01,中国科学院大学, 博士学位
2006-09~2010-06,合肥工业大学, 学士学位

   

（1） 星用光电成像器件辐射效应与抗辐射加固研究, 一等奖, 省级, 2018

（ 1 ） 一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114217199A

（ 2 ） 一种垂直腔面发射激光器的外量子效率测试方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113125111A

（ 3 ） 一种使用变温光致发光谱测试分析太阳电池辐射效应的方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109459418A

（ 4 ） 一种低温光致发光快速高效测试方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109238969A

（ 5 ） 一种光致发光测试中避免激发激光谐波影响的方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109187445A

（ 6 ） 互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN108401151A

（ 7 ） 一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤的测试方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106370629A

（ 8 ） 一种用于光电成像器件光谱响应辐射损伤的测试方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103616385A

   

（1） 100 keV质子辐照InGaAs单结太阳电池性能退化机理研究, 太阳能学报, 2023, 第 1 作者
（2） 850nm垂直腔面发射激光器的辐射效应, Radiation effect of 850nm vertical-cavity surface-emitting laser, 红外与激光工程, 2022, 第 11 作者
（3） 850 nm垂直腔面发射激光器的辐射效应和仿真, Radiation effect and simulation of 850 nm vertical-cavity surface-emitting laser, 核技术, 2022, 第 11 作者
（4） Annealing effects of 850 nm vertical-cavity surface-emitting lasers after proton irradiation, HELIYON, 2022, 第 11 作者
（5） Displacement damage effects in proton irradiated vertical-cavity surface-emitting lasers, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2022, 第 11 作者
（6） Investigation of displacement damage to vertical-cavity surface-emitting red lasers due to 1 MeV electron radiation, AIP ADVANCES, 2020, 第 11 作者
（7） 1meV electron irradiation and post-annealing effects of GaInAsN diluted nitride alloy with 1eV bandgap energy, THIN SOLID FILMS, 2020, 第 4 作者
（8） Degradation characteristics of electron and proton irradiated InGaAsP/InGaAs dual junction solar cell, SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2020, 
（9） Effects of 1-MeV Electron Irradiation on the Photoluminescence of GaInNAs|GaAs Single Quantum Well Structure, SEMICONDUCTORS, 2020, 
（10） GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律, Degradation of GaAsN/GaAs Quantum Well Under 1 MeV Electron Beam Irradiation, 发光学报, 2020, 
（11） Spectral and electrical properties of 3 mev and 10 mev proton irradiated ingaasp single junction solar cell, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 
（12） Degradation analysis of 1 MeV electron and 3 MeV proton irradiated InGaAs single junction solar cell, AIP ADVANCES, 2019, 
（13） Changes in output parameters of 1 MeV electron irradiated upright metamorphic GaInP/GaInAs/Ge triple junction solar cell, AIP ADVANCES, 2018, 
（14） Electron-beam-irradiation-induced crystallization of amorphous solid phase change materials, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 
（15） 1MeV电子辐照对HgCdTe材料红外透射光谱的影响, 现代应用物理, 2017, 第 6 作者
（16） 1MeV电子辐照对InGaAsP/InGaAs双结电池电学参数的影响, 现代应用物理, 2017, 第 1 作者
（17） 基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法, 现代应用物理, 2017, 第 9 作者
（18） In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究, 光学学报, 2017, 
（19） CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究, Electron Beam Radiation Effects on CMOS Active Pixel Sensor, 发光学报, 2017, 
（20） 深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应, 微电子学, 2015, 
（21） Photoluminescence spectra of 1 MeV electron beam irradiated In0.53Ga0.47As/InP quantum well and bulk materials, ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 
（22） 电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应, Total Ionizing Dose Effects Induced by Electron in Deep Submicron MOS Devices, 微电子学, 2015, 
（23） CCD与CMOS图像传感器辐射效应测试系统, Testing system for radiation effects of CCD and CMOS image sensors, 光学精密工程, 2013, 

   

（ 1 ） 位移损伤对高速GaAs基VCSEL弛豫振荡频率的影响机制研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2025-12
（ 2 ） 碳XXX辐照效应及可靠性协同优化研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2026-12
（ 3 ） 中国科学院青年创新促进会人才项目, 负责人, 中国科学院计划, 2023-01--2026-12
（ 4 ） 质子辐照对XXX的影响机制研究, 负责人, 国家任务, 2022-09--2023-05
（ 5 ） 用于光收发的InGaAs量子点激光器空间辐射效应研究, 负责人, 中国科学院计划, 2017-07--2020-08