基本信息
伊晓燕  女  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: spring@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码:
部门/实验室:半导体照明研发中心

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
080501-材料物理与化学
招生方向
GaN基LED量子效率提升技术研究
氮化物新型光电器件研究
新型光电器件与应用系统

教育背景

2003-09--2006-07   中国科学院半导体研究所   博士
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2013-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2009-01~2012-12,中国科学院半导体研究所, 副研
2006-07~2008-12,中国科学院半导体研究所, 助研
2003-09~2006-07,中国科学院半导体研究所, 博士
社会兼职
2014-01-01-今,北京市第三代半导体材料与应用工程技术中心, 副主任

教授课程

半导体照明技术

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 中国优秀专利奖, , 专项, 2014
(2) 低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术, 二等奖, 国家级, 2014
(3) 高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术, 一等奖, 省级, 2012
专利成果
( 1 ) 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: ZL.200710119474.8
( 2 ) 栅极调制正装结构GaN发光二极管的器件结构及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: ZL.201010534622.4
( 3 ) 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: ZL.201010534772.5
( 4 ) 一种氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: ZL.201110152869.4
( 5 ) 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: ZL.201010534588.0
( 6 ) 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: ZL.201010251509.5
( 7 ) 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: ZL.201010251510.8
( 8 ) GaN基薄膜芯片的制造方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: ZL.201110430261.3
( 9 ) 制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: ZL.201210093564.5
( 10 ) 高出光率倒装结构LED的制作方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: ZL.201210548494.8
( 11 ) 自支撑氮化镓衬底制作方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: ZL.201110134149.5
( 12 ) 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: ZL.201210093601.2
( 13 ) 制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: ZL.201210436128.3
( 14 ) 半导体发光器件及其制造方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL.201210375368.7
( 15 ) Packaging structure of light emitting diode and method of manufacture the same, 2016, 第 3 作者, 专利号: US9246052B2
( 16 ) 一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法, 2016, 第 5 作者, 专利号: 201410153249.6
( 17 ) 无线能量传输发光系统及其芯片级发光装置的制备方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: 201410758310.X
( 18 ) 柔性发光器件阵列及其制作方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201510016315.X
( 19 ) 柔性发光器件及其制备方法、发光装置, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201610467039.3
( 20 ) 采用变温PL谱获取半导体材料杂质电离能的无损测量方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710122157.5
( 21 ) 在MOCVD中测量半导体薄膜杂质电离能的无损测量方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201710122173.4
( 22 ) 无衬底GaN基LED单颗晶粒及其制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710148171.2
( 23 ) 完全植入式光学医疗器械, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710158704.5
( 24 ) 光刺激及信号采集探针, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710158896.X
( 25 ) 一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201310712946.6
( 26 ) 采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201310750549.8
( 27 ) 电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201410817479.8
( 28 ) 一种匀化白光光源及其匀化方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710094643.0
( 29 ) 一种催化CVD法自生长石墨烯透明导电薄膜的方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201710247244.3
( 30 ) 一种微LED器件阵列单元的制作方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710520669.7
( 31 ) 一种氮化镓系发光器件, 2018, 第 5 作者, 专利号: IB132197F
( 32 ) 柔性发光器件及其制备方法、发光装置, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201610467039.3
( 33 ) ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201811065138.4
( 34 ) 一种无线供能的柔性发光系统及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201811255896.2

出版信息

   
发表论文
(1) Horizontal GaN nanowires grown on Si (111) substrate: the effect of catalyst migration and coalescence, nanotechnology, 2018, 第 11 作者
(2) InGaN/GaN ultraviolet LED with a graphene/AZO transparent current spreading layer, OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2018, 第 12 作者
(3) Fast Growth of Strain-Free AlN on Graphene-Buffered Sapphire., Journal of the American Chemical Society, 2018, 第 12 作者
(4) 400 V Normally-off Recessed MOS-Gate AlGaN/GaN HEMT with High Threshold Voltage and Ultra-Low Gate-Leakage Current, TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY, 2018, 第 12 作者
(5) UV-C whispering-gallery modes in AlN microdisks with AlGaN-based multiple quantum wells on Si substrate, Journal of Nanophotonics, 2018, 第 12 作者
(6) Impurity resonant state p-doping layer for high-efficiency nitride-based light-emitting diodes, Semiconductor Science and Technology, 2018, 第 12 作者
(7) Ultrafast Growth of Horizontal GaN Nanowires by HVPE through Flipping the Substrate, Nanoscale, 2018, 第 11 作者
(8) Crystallographic orientation control and optical properties of GaN nanowires, RSC Advances, 2018, 第 11 作者
(9) Nanostructure nitride light emitting diodes via the Talbot effect using improved colloidal photolithography, Nanoscale, 2017, 第 11 作者
(10) Optically pumped lasing with a Q-factor exceeding 6000 from wet-etched GaN micro-pyramids, Optics Letters, 2017, 第 11 作者
(11) Optically-Pumped Single-Mode Deep-Ultraviolet Microdisk Lasers With AlGaN-Based Multiple Quantum Wells on Si Substrate, IEEE Photonics Journal, 2017, 第 6 作者
(12) Van der Waals epitaxy of GaN-based light-emitting diodes on wet-transferred multilayer graphene film, Japanese Journal of Applied Physics, 2017, 第 10 作者
(13) Influence of lateral growth on the optical properties of GaN nanowires grown by hydride vapor phase epitaxy, Journal of Applied Physics, 2017, 第 11 作者
(14) Broadband full-color monolithic InGaN light-emitting diodes by self-assembled InGaN quantum dots, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 7 作者
(15) Electroless Silver Plating Reflectors to Boost the Performance of Vertical Light-Emitting Diodes, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2016, 第 11 作者
(16) Carrier leakage e ect on e ciency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes, Modern Physics Letters B, 2016, 第 11 作者
(17) Investigation of Isoelectronic Doping in p-GaN Based on the Thermal Quenching of UVL Band, IEEE Photonics Journal, 2016, 第 11 作者
(18) Analysis of Photoluminescence Thermal Quenching: Guidance for the Design of Highly Effective p-type Doping of Nitrides, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 3 作者
(19) Interface and photoluminescence characteristics of graphene-(GaN/InGaN)nmultiple quantum wells hybrid structure, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 5 作者
(20) Analysis of symmetry breaking configurations in metal nanocavities: Identification of resonances for generating high-order magnetic modes and multiple tunable magnetic-electric Fano resonances, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 3 作者
(21) High-Performance Nitride Vertical Light-Emitting Diodes Based on Cu Electroplating Technical Route, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 第 4 作者
(22) Direct growth of graphene on gallium nitride using C2H2 as carbon source, Frontiers of Physics, 2016, 第 3 作者
(23) Overshoot Effects of Electron on Efficiency Droop in InGaN/GaN MQW Light-Emitting Diodes, AIP Advances, 2016, 第 3 作者
(24) Enhancing the performance of blue GaN-based light emitting diodes with carrier concentration adjusting layer, AIP Advances, 2016, 第 11 作者
(25) Co-doping of magnesium with indium in nitrides: first principle calculation and experiment, RSC Advances, 2016, 第 3 作者
(26) Impurity Resonant States p-type Doping in Wide-Band-Gap Nitrides, Scientific Report, 2016, 第 2 作者
(27) Hybrid Tunnel Junction-Graphene Transparent Conductive Electrodes for Nitride Lateral Light Emitting Diodes, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2015, 第 4 作者
(28) Enhancing the performance of blue GaN-based light emitting diodes with doubleelectron blocking layers, AIP ADVANCES, 2015, 第 11 作者
(29) Transparent graphene interconnects for monolithic integration of GaN-based LEDs, Applied Physics Express, 2015, 第 11 作者
(30) A subversive innovation on GaN P-type reflective electrode using electroless silver plating, Solid State Lighting (SSLCHINA), 2015 12th China International Forum on, 2015, 第 11 作者
(31) Light extraction improvement of blue light-emitting diodes with a Metal-distributed Bragg reflector current blocking layer, Appl. Phys. A, 2015, 第 11 作者
(32) Improved performance of lateral GaN-based light emitting diodes with novel buried CBL structure in ITO film and reflective electrodes, Materials Science in Semiconductor Processing, 2014, 第 11 作者
(33) In Situ Fabrication of Bendable Microscale Hexagonal Pyramids Array Vertical Light Emitting Diodes with Graphene as Stretchable Electrical Interconnects, ACS Photonics, 2014, 第 11 作者
(34) Optimized subsequent-annealing-free Ni/Ag based metallization contact to p-type GaN for vertical light emitting diodes with high yield and extremely low operating voltage , J. Phys. D: Appl. Phys., 2014, 第 11 作者
(35) Two distinct carrier localization in green light-emitting diodes with InGaN-GaN multiple quantum wells, Journal of Applied Physics, 2014, 第 11 作者
(36) Effects of light extraction efficiency to the efficiency droop of InGaN-based, Journal of Applied Physics , 2013, 第 11 作者
(37) Nitride-based micron-scale hexagonal pyramids array vertical light emitting diodes by N-polar wet etching , Optics Express, 2013, 第 11 作者
(38)  GaN-Based Light Emitting Diodes with Hybrid Micro-Nano Patterned Sapphire Substrate, ECS Solid State Letters, 2013, 第 11 作者
(39) Improved transport properties of graphene/GaN junctions in GaN-based vertical light emitting diodes by acid doping, RSC Advances, 2013, 第 11 作者
(40)  Improved light output from InGaN LEDs by laser-induced dumbbell-like air-voids, Optics Express, 2013, 第 11 作者
(41) Mechanisms in Thermal Stress Aided Electroless Etching of GaN Grown on Sapphire and Approaches to Vertical Devices,  RSC advances, 2013, 第 11 作者
(42) N-polar GaN etching and approaches to quasi-perfect micro-scale pyramid vertical light-emitting diodes array, Journal of Applied Physics, 2013, 第 11 作者
(43) Interface and transport properties of metallization contacts to flat and wet-etching roughed Npolar n type GaN, ACS Applied Materials Interfaces, 2013, 第 11 作者
(44) InGaN-based vertical light emitting diodes withHNO3 modified-graphenetransparent conductive layer and high reflective membrane current blocking layer, Proceedings of Royal Society A, 2013, 第 11 作者
(45) Interface and transport properties of GaN/graphene junction in GaN-based LEDs, J. Phys. D: Appl. Phys., 2012, 第 11 作者
(46) Light extraction efficiency improvement by multiple laser stealth dicing in InGaN-based blue light-emitting diodes, Optics Express , 2012, 第 11 作者
发表著作
( 1 ) III族氮化物材料器件与纳米结构, III- Nitride materials devices and nano-structures, World Scientific, 2017-07, 第 3 作者
Light-Emitting Diodes:Materials,Processes,Devices and Applications, Springer, 2019-01, 第 5 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 150lm/W的GaN基LED量子效率提升技术研究, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
( 2 ) 微纳金字塔垂直结构LED量子效率研究, 主持, 国家级, 2014-01--2016-12
( 3 ) 大尺寸硅衬底氮化镓基电力电子材料生长技术研究, 主持, 国家级, 2014-01--2016-12
( 4 ) LED光源的生物相关理论问题及示范应用, 主持, 部委级, 2013-10--2016-12
( 5 ) GaN基垂直腔面发射激光器基础研究, 参与, 国家级, 2016-01--2019-12
( 6 ) 超高能效半导体光源核心材料及器件技术研究, 主持, 国家级, 2017-07--2020-12
( 7 ) 超高能效LED芯片光子耦合机制与提取效率提升技术研究, 主持, 国家级, 2017-07--2020-12
参与会议
(1)GaN nanowire grown on SiO2/Si using graphene as a buffer layer   2018-11-12
(2)芯片、器件及封装技术分会委员   第十五届中国国际半导体照明论坛   2018-10-24
(3)controllable growth and device application of nitrites nonovires   第十四届中国国际半导体照明论坛   2017-11-01
(4)芯片、器件及其封装技术分会委员   第十三届中国国际半导体照明论坛   2016-11-15
(5)芯片、器件及其封装技术分会主席   第十二届中国国际半导体照明论坛   2015-11-02

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生