基本信息
彭红玲 女 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件: hlpeng@semi.ac.cn
通信地址: 北京海淀区清华东路甲35号半导体研究所
邮政编码:
电子邮件: hlpeng@semi.ac.cn
通信地址: 北京海淀区清华东路甲35号半导体研究所
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体探测器、太阳电池、激光器等有源器件、硅基光电集成
教育背景
2003-09--2007-03 中国科学院半导体研究所 博士
工作经历
工作简历
2007-04~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员2003-09~2007-03,中国科学院半导体研究所, 博士2000-07~2003-08,上海贝尔-阿尔卡特公司, 通信工程师
专利与奖励
专利成果
( 1 ) 一种中红外波段调制器及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910035208.x( 2 ) 3~5μm红外波段雪崩光电二极管探测器及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201810408182.4( 3 ) 硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201810408181.X( 4 ) 半导体激光器驱动电路, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201310155864.6( 5 ) 一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL201010595700.1( 6 ) 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL201010595707.3
出版信息
发表论文
(1) A promising low noise and high gain InGaAs/Si avalanche photodiode, SPIE, 2020, 第 1 作者(2) The Research of InSb on Si Avalanche Photodiode, SPIE, 2019, 第 1 作者(3) The Development on High Sensitivity Silicon Avalanche Photodiode Array, SPIE, 2017, 第 1 作者(4) 键合的双结太阳能电池研究, 太阳能学报, 2015, 第 1 作者(5) 直接键合的三结太阳能电池研究, 物理学报, 2014, 第 1 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 高速发端调制研究, 负责人, 中国科学院计划, 2016-06--2021-05( 2 ) 高填充因子高响应度 APD 阵列研制, 负责人, 其他国际合作项目, 2019-08--2024-07