080903-微电子学与固体电子学

功率电子器件，功率集成技术

2012-09--2017-07   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   博士学位
2008-09--2012-06   北京邮电大学   学士学位

   

2021-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2017-10~2020-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员
2012-09~2017-07,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士学位
2008-09~2012-06,北京邮电大学, 学士学位

   

（ 1 ） 一种堆叠式增强型GaN HEMT器件及其制备方法, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN115692411A

（ 2 ） 基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件及制作方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110277445A

（ 3 ） 基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN207938616U

（ 4 ） 沟槽型MOSFET功率器件及其制作方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN107564964A

（ 5 ） SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107527803A

（ 6 ） 基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN107507829A

（ 7 ） 一种MOS功率器件及其制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107393814A

（ 8 ） 一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN107359221A

（ 9 ） 一种利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀SiC的方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN107275196A

（ 10 ） SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法, 2016, 第 7 作者, 专利号: CN106158933A

（ 11 ） 基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及制作方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105304689A

（ 12 ） 一种基于薄膜半导体-石墨烯异质结的光电探测器制备方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN105206689A

（ 13 ） 一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN105129788A

（ 14 ） 基于Metal/Insulator/AlGaN/GaN叠层MIS结构的负微分电阻器件及制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104599975A

（ 15 ） 一种基于ALD的石墨烯基热电子晶体管及其制备方法, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103985741A

   

（1） Substrate Biasing Effect in a High-Voltage Monolithically-Integrated GaN-on-SOI Half Bridge With Partial Recessed-Gate HEMTs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2023, 第 4 作者
（2） A Fin-p-GaN HEMT for High Threshold Voltage with Enhanced Stability, 81st Device Research Conference (DRC), 2023, 第 1 作者
（3） Graphene-induced positive shift of the flat band voltage in recessed gate AlGaN/GaN structures, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2021, 第 4 作者  通讯作者
（4） Investigation on Premature Breakdown Mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs by TCAD simulations, IEEE International Conference on Solid-state and Integrated Circuit Technology, 2020, 第 1 作者
（5） Corrigendum to "Effects of polycrystalline AlN film on the dynamic performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors" Mat. Des. 148(2018) 1���7, MATERIALS & DESIGN, 2019, 第 4 作者
（6） p-GaN在不同掩膜和刻蚀气体中的ICP刻蚀, Inductively Coupled Plasma Etching of p-GaN Using Different Masks and Etching Gases, 半导体技术, 2018, 第 4 作者
（7） The GaN Trench Gate MOSFET with Floating Islands: High Breakdown Voltage and Improved BFOM, Superlattices and Microstructures, 2018, 第 1 作者
（8） Enhanced interfacial and electrical characteristics of 4H-SiC MOS capacitor with lanthanum silicate passivation interlayer, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 第 6 作者
（9） Performance Improvement and Current Collapse Suppression of Al2O3/AlGaN/GaN HEMTs Achieved by Fluorinated Graphene Passivation, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 第 1 作者
（10） Morphology improvement of SiC trench by inductively coupled plasma etching using Ni/Al2O3 bilayer mask, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2017, 第 5 作者
（11） Direct growth of sb2te3 on graphene by atomic layer deposition, RSC ADVANCES, 2015, 第 7 作者
（12） Al2O3-Gd2O3 double-films grown on graphene directly by H2O-assisted atomic layer deposition, RSC ADVANCES, 2014, 第 8 作者
（13） Properties of HfLaO MOS capacitor deposited on SOI with plasma enhanced atomic layer deposition, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2014, 第 8 作者

   

（ 1 ） D-mode GaN HEMT直驱电路设计开发, 负责人, 地方任务, 2023-12--2026-12
（ 2 ） 基于GaN功率技术的电源转换电路设计及应用, 负责人, 地方任务, 2020-10--2023-09