基本信息
王文武  男  博导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: wangwenwu@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码: 100029
部门/实验室:先导中心

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
080402-测试计量技术及仪器
招生方向
集成电路先导工艺技术
CMOS器件与集成技术

教育背景

2003-04--2006-03   日本东京大学   获得工学博士学位
1998-09--2003-03   兰州大学   获得理学博士学位
1992-09--1997-06   兰州大学   本科学习
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2008-04~现在, 中科院微电子研究所, 研究员
2006-07~2008-03,日本产业技术综合研究所MIRAI项目, 特别研究员
2006-04~2006-06,日本东京大学, 特聘研究员
2003-04~2006-03,日本东京大学, 获得工学博士学位
1998-09~2003-03,兰州大学, 获得理学博士学位
1997-08~1998-08,中国空间技术研究院第510研究所, 助理工程师
1992-09~1997-06,兰州大学, 本科学习
社会兼职
2016-12-27-今,集成电路测试仪器与装备产业技术创新联盟, 秘书长
2016-06-11-今,北京电子制造装备行业协会, 副秘书长

教授课程

微电子/光电子/智能制造产业技术与实践

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 极大规模集成电路关键 技术研究集体, , 院级, 2015
(2) 日本半导体MIRAI项目最优秀奖, , 研究所(学校), 2008
(3) 日本半导体MIRAI项目优秀奖, , 研究所(学校), 2007
专利成果
( 1 ) 一种半导体器件结构及其制造方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010589244.X
( 2 ) 一种用于后栅工艺的金属栅制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: 201010500383.0
( 3 ) 互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200810227483.3
( 4 ) 高温退火处理诱导相转变合成金属线氮化铪薄膜的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200810227479.7
( 5 ) 一种半导体器件的制造方法及其结构, 2009, 第 1 作者, 专利号: 201010220686.7
( 6 ) 一种界面优化的锗基半导体器件及其制造方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: 201010232705.8
( 7 ) 一种高介电常数栅介质结构及其形成方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010520981.4
( 8 ) 抑止高k栅介质/金属栅结构在高温退火下界面层生长的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910077522.0
( 9 ) 控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910087807.2
( 10 ) 带有存储功能的MOS器件及其形成方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN201010579748.3
( 11 ) 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN201210246572.9
( 12 ) 半导体器件制造方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN201210228598.0
( 13 ) 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN201210246582.2
( 14 ) 金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN201110161231.7
( 15 ) Method for forming gate structure, method for forming semiconductor device, and semiconductor device [EN], 2012, 第 3 作者, 专利号: US201213699734
( 16 ) Semiconducor device and method for manufacturing the same [EN], 2011, 第 1 作者, 专利号: US201113395608
( 17 ) Semiconductor device and method for forming the same [EN], 2011, 第 2 作者, 专利号: US201113132985
( 18 ) Graphene device and method for manufacturing the same [EN], 2011, 第 3 作者, 专利号: US201113140141
( 19 ) Graphene device and method for manufacturing the same [EN], 2011, 第 3 作者, 专利号: US201113140141
( 20 ) MOS device with memory function and manufacturing method thereof [EN], 2011, 第 2 作者, 专利号: US201113139063
( 21 ) Method of manufacturing a semiconductor device [EN], 2010, 第 2 作者, 专利号: US201013061774
( 22 ) Semiconductor device and method of manufacturing the same [EN], 2010, 第 1 作者, 专利号: US201013061879
( 23 ) Semiconductor device and method of manufacturing the same [EN], 2012, 第 1 作者, 专利号: US201213517893
( 24 ) Semiconductor device and method for manufacturing the same [EN], 2010, 第 1 作者, 专利号: US201013061655
( 25 ) CMOSFET device with controlled threshold voltage and method of fabricating the same [EN], 2010, 第 1 作者, 专利号: US93744410
( 26 ) CMOSFET device with controlled threshold voltage characteristics and method of fabricating the same [EN], 2010, 第 1 作者, 专利号: US93536410
( 27 ) Method of manufacturing a high-performance semiconductor device [EN], 2010, 第 2 作者, 专利号: US92239110
( 28 ) Semiconductor device and method of manufacturing the same [EN], 2010, 第 1 作者, 专利号: US201013063564
( 29 ) Method for Forming Gate Structure, Method for Forming Semiconductor Device, and Semiconductor Device [EN], 2012, 第 3 作者, 专利号: US201213699734
( 30 ) SEMICONDUCOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME [EN], 2011, 第 1 作者, 专利号: US201113395608
( 31 ) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME [EN], 2012, 第 1 作者, 专利号: US201213517893
( 32 ) MOS DEVICE WITH MEMORY FUNCTION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF [EN], 2011, 第 2 作者, 专利号: US201113139063
( 33 ) CMOSFET DEVICE WITH CONTROLLED THRESHOLD VOLTAGE CHARACTERISTICS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME [EN], 2010, 第 1 作者, 专利号: US93536410
( 34 ) GRAPHENE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME [EN], 2011, 第 3 作者, 专利号: US201113140141
( 35 ) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME [EN], 2011, 第 2 作者, 专利号: US201113132985
( 36 ) METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE [EN], 2010, 第 2 作者, 专利号: US201013061774
( 37 ) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME [EN], 2010, 第 1 作者, 专利号: US201013061655
( 38 ) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME [EN], 2010, 第 1 作者, 专利号: US201013061879
( 39 ) METHOD OF MANUFACTURING A HIGH-PERFORMANCE SEMICONDUCTOR DEVICE [EN], 2010, 第 2 作者, 专利号: US92239110
( 40 ) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME [EN], 2010, 第 1 作者, 专利号: US201013063564
( 41 ) CMOSFET DEVICE WITH CONTROLLED THRESHOLD VOLTAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME [EN], 2010, 第 1 作者, 专利号: US93744410
( 42 ) SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD OF THE SAME [EN], 2010, 第 2 作者, 专利号: US40177209
( 43 ) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME [EN], 2008, 第 1 作者, 专利号: US13779608

出版信息

   
发表论文
(1) Impact of ALD TiN Capping Layer on Interface Trap and Channel Hot Carrier Reliability of HKMG nMOSFETs, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 第 11 作者
(2) Hole mobility degradation by remote Coulomb scattering and charge distribution in Al2O3/GeOx gate stacks in bulk Ge pMOSFET with GeOx grown by ozone oxidation, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017, 第 11 作者
(3) Physically Based Evaluation of Effect of Buried Oxide on Surface Roughness Scattering Limited Hole Mobility in Ultrathin GeOI MOSFETs, IEEE Transactrions on Elelctron Diveces, 2017, 第 11 作者
(4) Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition, Chin. Phys. B, 2017, 第 11 作者
(5) Stress-induced leakage current characteristics of PMOS fabricated by a new multi-deposition multi-annealing technique with full gate last process, Chin. Phys. B, 2017, 第 11 作者
(6) Experimental investigation on oxidation kinetics of germanium by ozone, Appl. Surf. Sci., 2016, 第 11 作者
(7) Remote interfacial dipole scattering and electron mobility degradation in Ge field-effect transistors with GeOx/Al2O3 gate dielectrics, J. Phys. D: Appl. Phys., 2016, 第 11 作者
(8) Dependence of electrostatic potential distribution of Al2O3/Ge structure on Al2O3 thickness, Surf. Sci., 2016, 第 11 作者
(9) Investigation on the dominant key to achieve superior Ge surface passivation by GeOx based on the ozone oxidation, Applied Surface Science, 2015, 第 11 作者
(10) Influence of multi-deposition multi-annealing on time-dependent dielectric breakdown characteristics of PMOS with high- k /metal gate last process, Chinese Physics B, 2015, 第 11 作者
(11) PBTI的负电荷能量分布提取, Energy distribution extraction of negative charges responsible for positive bias temperature instability, Chinese Physics B, 2015, 第 11 作者
(12) 超薄TiN厚度对后栅工艺MOS器件的PBTI特性影响, Influence of ultra-thin TiN thickness on positive bias temperature instability (PBTI) of high k/metal gate nMOSFETs with gate-last process, Chinese Physics B, 2015, 第 11 作者
(13) 高k栅介质/金属栅全后栅结构NMOSFET器件的PBTI特性表征, Characterization of positive bias temperature instability of NMOSFET with high-k/metal gate last process, Journal of Semiconductors, 2015, 第 11 作者
(14) 通过TiN/TaN堆叠厚度调制高k栅介质/金属栅结构nMOSCAP有效功函数的方法, An effective work-function tuning method of nMOSCAP with high-k/metal gate by TiN/TaN double-layer stack thickness, Journal of Semiconductors, 2014, 第 3 作者
(15) 帽层TiN、TaN厚度的工艺条件对高k栅介质/金属栅结构MOSCAP的有效功函数的影响, The effects of process condition of Top-TiN and TaN thickness on the effective work function of MOSCAP with high-k/metal gate stacks, Journal of Semiconductors, 2014, 第 3 作者
(16) A possible origin of core-level shifts in SiO2/Si stacks, Appl. Phys. Lett., 2013, 第 11 作者
(17) Reexamination of band offset transitivity employing oxide heterojunctions, Appl. Phys. Lett., 2013, 第 11 作者
(18) Physical understanding of different drain-induced-barrier-lowering variations in high-k/metal gate n-channel metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistors induced by charge trapping under normal and reverse channel hot carrier stresses, Appl. Phys. Lett., 2013, 第 11 作者
(19) Band alignment of HfO2 on SiO2/Si structure, Appl. Phys. Lett., 2012, 第 11 作者
(20) Band alignment of TiN/HfO2 interface of TiN/HfO2/SiO2/Si stack, Appl. Phys. Lett., 2012, 第 11 作者
(21) Electric Dipole at High-k/SiO2 Interface and Physical Origin by Dielectric Contact Induced Gap States, Jpn. J. Appl. Phys., 2011, 第 11 作者
(22) 高k栅介质/金属栅结构MOS器件中的偶极子物理机制, Physical origin of dipole formation at high-k/SiO2 interface in metal-oxide-semiconductor device with high-k/metal gate structure, Applied Physics Letters, 2010, 第 11 作者
(23) MOS器件中高k栅介质/SiO2界面偶极子对平带电压的影响, Comprehensive understanding of the effect of electric dipole at high-k/SiO2 interface on the flatband voltage shift in metal-oxide-semiconductor device, Applied Physics Letters, 2010, 第 11 作者
(24) Al扩散诱导的正向平带电压偏移对高k栅介质结构pMOSFET器件的影响, Effect of Al diffusion-induced positive flatband voltage shift on the electrical characteristics of Al-incorporated high-k pMOSFETs, Journal of Applied Physics, 2009, 第 1 作者
(25) 含Al高k栅介质堆栈中平带电压的异常偏移特性研究, Systematic investigation on anomalous positive Vfb shift in Al-incorporated high-k gate stacks, Applied Physics Letters, 2008, 第 1 作者
(26) HfLaON/TaN结构MOS器件的热稳定性研究, Study on characteristics of thermally stable HfLaON gate dielectric with TaN metal gate, Applied Physics Letters, 2008, 第 3 作者
(27) 利用快速热退火辅助MOCVD方法制备HfN金属栅电极研究, Preparation of conductive HfN by post rapid thermal annealing-assisted MOCVD and its application to metal gate electrode, Microelectronics Engineering, 2008, 第 1 作者
(28) TaCx、HfCx/HfO2结构栅堆叠中金属碳化物诱导的负向平带电压偏移研究 , Metal carbide-induced negative flatband voltage shift in TaCx and HfCx/HfO2 gate stacks, Applied Surface Science, 2008, 第 3 作者
发表著作
Metal Gate Electrode for Advanced CMOS Application, Wiley, 2013-07, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 32-22nm栅刻蚀机产品研发及产业化, 主持, 国家级, 2011-01--2016-12
( 2 ) 14纳米以下技术代硅基新型器件及关键工艺技术研究, 主持, 国家级, 2015-01--2017-12
( 3 ) 新型GaN电子器件低界面态介质生长系统, 主持, 国家级, 2016-01--2018-12
( 4 ) 基于臭氧技术的Ge基高介电常数栅介质MOS器件的基础研究:界面特性、栅电荷分布及起源、迁移率散射机制, 主持, 国家级, 2016-01--2017-12
( 5 ) 20-14nm技术知识产权与研发联盟技术创新战略研究, 主持, 国家级, 2016-01--2018-12
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生