基本信息
杨少延  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: sh-yyang@semi.ac.cn
通信地址: 北京海淀区清华东路甲35号
邮政编码: 100083
部门/实验室:材料科学重点实验室

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
085204-材料工程
085208-电子与通信工程
招生方向
宽禁带半导体材料、器件及物理研究
大失配异质外延衬底制备技术研究
半导体光电器件设计制备研究

教育背景

2002-03--2005-10   中国科学院半导体研究所   在职博士/博士学位
1996-09--1999-07   吉林大学 材料科学与工程系   硕士研究生/或硕士学位
1992-09--1996-07   哈尔滨师范大学物理系   大学本科学生/或学士学位
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2013-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2005-08~2012-12,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2002-03~2005-10,中国科学院半导体研究所, 在职博士/博士学位
2002-03~2005-07,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
1999-07~2002-02,中国科学院半导体研究所, 研究实习员
1996-09~1999-07,吉林大学 材料科学与工程系, 硕士研究生/或硕士学位
1992-09~1996-07,哈尔滨师范大学物理系, 大学本科学生/或学士学位
社会兼职
   

教授课程

半导体材料
材料的气相沉积制备技术
半导体材料测试与分析
薄膜材料制备技术
宽禁带半导体材料大失配外延技术

专利与奖励

   
奖励信息
   
专利成果
( 1 ) 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: ZL200610169751.1
( 2 ) 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法, 2010, 第 5 作者, 专利号: 201010157637.3
( 3 ) 一种利用非极性ZnO缓冲层生长高质量非极性InN薄膜的制备方法, 2010, 第 5 作者, 专利号: 201010157517.3
( 4 ) 氮化铝单晶材料制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201210332652.6
( 5 ) 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: 201110113282.2
( 6 ) 一种非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: 201110119981.8
( 7 ) 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: 201210325584.0
( 8 ) 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201310651999.1
( 9 ) 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201310652125.1
( 10 ) 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: 201410764375.5
( 11 ) 一种高反射率的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: 201410641928.8
( 12 ) 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201410058985
( 13 ) 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: 201410191726
( 14 ) AlN单晶衬底生产设备及其使用方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: 201510245599.X
( 15 ) 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: 201510270779.3
( 16 ) 一种非极性面量子点发光二极管及其制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201710429863.4
( 17 ) AlN基板高效散热HEMT器件及其制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201710671295.9
( 18 ) 一种高反射率的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201410641928.8

出版信息

   
发表论文
(1) 三层热壁金属有机化学气相外延流场计算机模拟, 真空, 2019, 第 5 作者
(2) Impact of Cone-Shape-Patterned Sapphire Substrate and Temperature on the Epitaxial Growth of p-GaN via MOCVD, Physica Status Solidi (a), 2019, 第 5 作者
(3) Structural and optical properties of semi-polar (11–22) InGaN/GaN green light-emitting diode structure, Appl. Phys. Lett. 112, 052105 (2018), 2018, 第 6 作者
(4) Measurement of semi-polar (11–22) plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy, Applied Physics A (2018) 124:130, 2018, 第 7 作者
(5) The Residual Stress and Al Incorporation of AlGaN Epilayers by Metalorganic C hemical Vapor Deposition, J. Nanosci. Nanotechnol., 18, 7484-7488 (2018), 2018, 第 7 作者
(6) Red Emission of InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Light-Emitting Diode Structures With Indium-Rich Clusters, Phys. Status Solidi A, 2018, 1800455, 2018, 第 6 作者
(7) Comparative Investigation of Semi polar (11-22) GaN Layers on m-Plane Sapphire with Different Nucleation Layers, J. Nanosci. Nanotechnol., 18, 7446-7450 (2018), 2018, 第 5 作者
(8) Anisotropically biaxial strain in non-polar (11-20) plane InxGa1−xN/GaN layers investigated by X-ray reciprocal space mapping, Scientific Reports,7, 4497 (2017), 2017, 第 6 作者
(9) Performance enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by inserting the last quantum well into electron blocking layer, Superlattices and Microstructures , 110, 324-329 (2017), 2017, 第 6 作者
(10) Growth and characterization of AlN epilayers using pulsed metal organic chemical vapor deposition, Chin. Phys. B , 26, 078102 (2017), 2017, 第 7 作者
(11) Epitaxy of III-Nitrides Based on Two-Dimensional Materials, Acta Chim. Sinica, 75, 271—279(2017), 2017, 第 11 作者
(12) Morphology Controlled Fabrication of InN Nanowires on Brass Substrates, Nanomaterials, 2016, 6:195, 2016, 第 5 作者
(13) Study of the aluminum incorporation efficiency in A- and C-plane AlGaN grown by MOVPE, Chinese Physics. B, 2016, 25(4):048105, 2016, 第 5 作者
(14) Anisotropic structural and optical properties of semi-polar (11 2) GaN grown on m-plane sapphire using double AlN buffer layers, Scientific Reports, 2016,6:20787, 2016, 第 3 作者
(15) The immiscibility of InAlN ternary alloy, Scientific Reports,2016,25(6):26600, 2016, 第 9 作者
(16) Growth of Well-Aligned InN Nanorods on Amorphous Glass Substrates, Nanoscale Research Letters,11,270 (2016), 2016, 第 11 作者
(17) Theoretical study of the anisotropic electrons cattering by step sin vicinal AlGaN/GaN heterostructures,  Physica E, 66, 116(2015), 2015, 第 11 作者
(18) Morphology and composition controlled growth of polar c-axis and nonpolar m-axis well-aligned ternary III-nitride nanotube arrays, Nanoscale, 7, 16481–16492(2015), 2015, 第 11 作者
(19)  Competitive growth mechanisms of AlN on Si (111) by MOVPE, Scientific Reports, 4 , 6416(2014), 2014, 第 11 作者
(20) Significant quality improvement of GaN on Si(111) upon formation of an AlN defective layer, CrystEngComm, 16, 7525-7528 (2014), 2014, 第 11 作者
(21) Morphology and structure controlled growth of one-dimensional AlN nanorod arrays by hydride vapor phase epitaxy,  RSC Adv., 4, 54902(2014), 2014, 第 11 作者
(22) Interface roughness scattering considering the electrical field fluctuation in undoped AlxGa1?xN/GaN heterostructures, Semicond. Sci. Technol. ,29,045015 (2014), 2014, 第 3 作者
(23) Study of the one dimensional electron gas arrays confined by steps in vicinal GaN/AlGaN heterointerfaces, Journal of Applied Physics, 115, 193704 (2014), 2014, 第 11 作者
(24) Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in Al(In)GaN/GaN heterostructures, Journal of Applied Physics, 115, 043702 (2014), 2014, 第 11 作者
(25) Single-crystalline GaN nanotube arrays grown on c-Al2O3 substrates using InN nanorods as templates, Journal of Crystal Growth,389,1 (2014), 2014, 第 11 作者
(26) Determination of polar C-plane and nonpolar A-plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy, Phys. Status Solidi B,251(4), 788(2014), 2014, 第 11 作者
(27) Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in Al(In)GaN/GaN heterostructures, J. Appl. Phys. 115, 043702 (2014), 2014, 第 11 作者
(28) Scattering due to Schottky barrier height spatial fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaN/GaN high electron mobility transistors, Appl. Phys. Lett. 103, 232109 (2013), 2013, 第 11 作者
(29) Dislocation Scattering in ZnMgO/ZnO Heterostructures, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 60(6), 2077-2079(2013), 2013, 第 11 作者
(30) Determination of polar C-plane and nonpolar A-plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy,, Phys. Status Solidi B, 1–4 (2013) / DOI 10.1002/pssb.201350199, 2013, 第 11 作者
(31) X-ray probe of GaN thin films grown on InGaN compliant substrates, APPLIED PHYSICS LETTERS 102, 132104 (2013), 2013, 第 11 作者
(32) dimensional electron gas mobility limited by scattering of quantum dots with indium composition transition region in quantum wells, Physica E, 52, 150 (2013), 2013, 第 11 作者
(33) Scattering due to large cluster embedded in quantum wells, Applied Physics Letters 102, 052105 (2013), 2013, 第 11 作者
(34) A theoretical calculation of the impact of GaN cap and AlxGa1-xN barrier thickness fluctuations on two-dimensional electron gas in GaN/AlxGa1-xN/GaN heterostructure, IEEE Transactions on Electron Devices, 58(12), 4272( 2011), 2011, 第 11 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 利用玻璃衬底制备新型InGaN 基量子点全光谱太阳电池材料研究, 主持, 国家级, 2013-01--2015-12
( 2 ) 自支撑AlN衬底材料及AlN/蓝宝石复合衬底材料的制备, 参与, 国家级, 2011-08--2015-08
( 3 ) 大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制备及封装技术, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
( 4 ) 垂直结构氮化镓电力电子器件研制中的关键材料制备工艺 研究, 主持, 国家级, 2018-01--2021-12
( 5 ) 大 尺寸氢化物气相外延设备技术及外 延, 主持, 国家级, 2017-07--2020-12
( 6 ) 过渡族金属及其化合物薄膜材料制备研究, 主持, 院级, 2018-01--2018-12
( 7 ) 过渡族金属&半导体先进材料联合实验室, 主持, 院级, 2018-01--2020-12
( 8 ) 空间太阳能科学技术联合实验室, 主持, 院级, 2018-03--2020-12
参与会议
(1)垂直流HVPE设备反应室尺寸放大流场优化设计研究   第十六届全国固体薄膜学术会议   杨少延*,李成明*,胡君*,魏鸿源,李辉杰,王占国   2018-12-11
(2)石墨烯二维材料与第三代半导体氮化物材料低成本薄膜化制备技术   2015年第十三届国际真空展览会真空学术论坛   杨少延   2015-05-06
(3)超宽禁带氮化物半导体材料在 空间太阳能发电技术中的作用与挑战   2014年 燕赵高层科技论坛系列 光伏技术进展高峰论坛   杨少延   2014-05-30
(4)硅衬底氮化镓材料发展节能新技术的机遇与挑战   2013年第十二届国际真空展览会真空学术论坛   杨少延   2013-05-16

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生