基本信息
杨少延  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: sh-yyang@semi.ac.cn
通信地址: 北京海淀区清华东路甲35号
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
0805Z2-半导体材料与器件
085600-材料与化工
招生方向
宽禁带半导体材料、器件及物理研究
大失配异质外延衬底制备技术研究
半导体光电器件设计制备研究

教育背景

2002-03--2005-10   中国科学院半导体研究所   在职博士/博士学位
1996-09--1999-07   吉林大学 材料科学与工程系   硕士研究生/或硕士学位
1992-09--1996-07   哈尔滨师范大学物理系   大学本科学生/或学士学位

工作经历

   
工作简历
2013-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2005-08~2012-12,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2002-03~2005-10,中国科学院半导体研究所, 在职博士/博士学位
2002-03~2005-07,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
1999-07~2002-02,中国科学院半导体研究所, 研究实习员
1996-09~1999-07,吉林大学 材料科学与工程系, 硕士研究生/或硕士学位
1992-09~1996-07,哈尔滨师范大学物理系, 大学本科学生/或学士学位

教授课程

半导体材料测试与分析
半导体材料
材料的气相沉积制备技术
薄膜材料制备技术
宽禁带半导体材料大失配外延技术

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: ZL200610169751.1
( 2 ) 氮化铝单晶材料制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201210332652.6
( 3 ) 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201310651999.1
( 4 ) 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201310652125.1
( 5 ) 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201410058985
( 6 ) 一种高反射率的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201410641928.8
( 7 ) 气相沉积设备的进气喷淋头, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910365880.5
( 8 ) 气相沉积设备的进气喷淋头, 2020, 第 2 作者, 专利号: 201920622058.8
( 9 ) 一种氢化物气相外延设备的反应室结构, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201910670827.6
( 10 ) 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201510270779.3
( 11 ) 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200610169750.7
( 12 ) 一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200310121178.3
( 13 ) 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200610003072.7
( 14 ) 一种制备二元稀土化合物薄膜材料的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200410101884.6
( 15 ) 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 20041009816.7
( 16 ) 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200410009815.2
( 17 ) 一种制备金属锆薄膜材料的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200410101885.0
( 18 ) 一种制备金属铪薄膜材料的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200410098996.0
( 19 ) 低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: 200410044605.7
( 20 ) 一种氢致解耦合的异质外延用柔性衬底, 2007, 第 2 作者, 专利号: ZL03155388.5
( 21 ) 制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法, 2005, 第 2 作者, 专利号: ZL02142452.7
( 22 ) 磁性p-n结薄膜材料及制备方法, 2005, 第 5 作者, 专利号: ZL 02105698.6
( 23 ) 硅基应力协变衬底及制备方法、氮化镓LED及制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: 201911345375.0
( 24 ) 硅基应力协变衬底及垂直结构氮化镓LED, 2020, 第 4 作者, 专利号: 201922345475.5
( 25 ) 蓝宝石基复合衬底及其制造方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: 201010156397
( 26 ) 一种硅基复合衬底及其制造方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: 201010156392
( 27 ) 碳化硅基复合衬底及其制造方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: 201010156398
( 28 ) 碳化硅基复合衬底, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201020168783
( 29 ) 一种高温真空烘烤炉, 2011, 第 4 作者, 专利号: 201020168779
( 30 ) 一种硅基复合衬底, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201020168794
( 31 ) 一种用于制备氮化物半导体外延材料的蓝宝石基复合衬底, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201020168781

出版信息

   
发表论文
(1) Investigation of coherency stress-induced phase separation in AlN/AlxGa1−xN superlattices grown on sapphire substrates, CrystEngComm, 22(2020)3198, 2020, 第 6 作者
(2) Analysis of growth rate and crystal quality of AlN epilayers by flow-modulated metal organic chemical vapor deposition, Superlattices and Microstructures137 (2020) 106336, 2020, 第 5 作者
(3) Hydride vapor phase epitaxy for gallium nitride substrate, J. Semicond., 2019, 40(7), 2019, 通讯作者
(4) Growth and characterization of amber light-emitting diodes with dual-wavelength InGaN/GaN multiple-quantum-well structure, Mater. Res. Express, 6 (2019) 0850c8, 2019, 第 6 作者
(5) Effect of C-doped GaN film thickness on the structural and electrical properties of AlGaN/GaN-based high electron mobility transistors, Semiconductor Science and Technology 34(12),125006 (2019), 2019, 第 5 作者
(6) 三层热壁金属有机化学气相外延流场计算机模拟, 真空, 2019, 第 5 作者
(7) Impact of Cone-Shape-Patterned Sapphire Substrate and Temperature on the Epitaxial Growth of p-GaN via MOCVD, Physica Status Solidi (a), 2019, 第 5 作者
(8) Structural and optical properties of semi-polar (11–22) InGaN/GaN green light-emitting diode structure, Appl. Phys. Lett. 112, 052105 (2018), 2018, 第 6 作者
(9) Measurement of semi-polar (11–22) plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy, Applied Physics A (2018) 124:130, 2018, 第 7 作者
(10) The Residual Stress and Al Incorporation of AlGaN Epilayers by Metalorganic C hemical Vapor Deposition, J. Nanosci. Nanotechnol., 18, 7484-7488 (2018), 2018, 第 7 作者
(11) Red Emission of InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Light-Emitting Diode Structures With Indium-Rich Clusters, Phys. Status Solidi A, 2018, 1800455, 2018, 第 6 作者
(12) Comparative Investigation of Semi polar (11-22) GaN Layers on m-Plane Sapphire with Different Nucleation Layers, J. Nanosci. Nanotechnol., 18, 7446-7450 (2018), 2018, 第 5 作者
(13) Anisotropically biaxial strain in non-polar (11-20) plane InxGa1−xN/GaN layers investigated by X-ray reciprocal space mapping, Scientific Reports,7, 4497 (2017), 2017, 第 6 作者
(14) Performance enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by inserting the last quantum well into electron blocking layer, Superlattices and Microstructures , 110, 324-329 (2017), 2017, 第 6 作者
(15) Growth and characterization of AlN epilayers using pulsed metal organic chemical vapor deposition, Chin. Phys. B , 26, 078102 (2017), 2017, 第 7 作者
(16) Epitaxy of III-Nitrides Based on Two-Dimensional Materials, Acta Chim. Sinica, 75, 271—279(2017), 2017, 通讯作者
(17) Morphology Controlled Fabrication of InN Nanowires on Brass Substrates, Nanomaterials, 2016, 6:195, 2016, 第 5 作者
(18) Study of the aluminum incorporation efficiency in A- and C-plane AlGaN grown by MOVPE, Chinese Physics. B, 2016, 25(4):048105, 2016, 第 5 作者
(19) Anisotropic structural and optical properties of semi-polar (11 2) GaN grown on m-plane sapphire using double AlN buffer layers, Scientific Reports, 2016,6:20787, 2016, 第 3 作者
(20) The immiscibility of InAlN ternary alloy, Scientific Reports,2016,25(6):26600, 2016, 第 9 作者
(21) Growth of Well-Aligned InN Nanorods on Amorphous Glass Substrates, Nanoscale Research Letters,11,270 (2016), 2016, 通讯作者
(22) Morphology and composition controlled growth of polar c-axis and nonpolar m-axis well-aligned ternary III-nitride nanotube arrays, Nanoscale, 7, 16481–16492(2015), 2015, 通讯作者
(23)  Competitive growth mechanisms of AlN on Si (111) by MOVPE, Scientific Reports, 4 , 6416(2014), 2014, 通讯作者
(24) Significant quality improvement of GaN on Si(111) upon formation of an AlN defective layer, CrystEngComm, 16, 7525-7528 (2014), 2014, 通讯作者
(25) Morphology and structure controlled growth of one-dimensional AlN nanorod arrays by hydride vapor phase epitaxy,  RSC Adv., 4, 54902(2014), 2014, 通讯作者
(26) Interface roughness scattering considering the electrical field fluctuation in undoped AlxGa1?xN/GaN heterostructures, Semicond. Sci. Technol. ,29,045015 (2014), 2014, 第 3 作者
(27) Study of the one dimensional electron gas arrays confined by steps in vicinal GaN/AlGaN heterointerfaces, Journal of Applied Physics, 115, 193704 (2014), 2014, 通讯作者
(28) Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in Al(In)GaN/GaN heterostructures, Journal of Applied Physics, 115, 043702 (2014), 2014, 通讯作者
(29) Single-crystalline GaN nanotube arrays grown on c-Al2O3 substrates using InN nanorods as templates, Journal of Crystal Growth,389,1 (2014), 2014, 通讯作者
(30) Determination of polar C-plane and nonpolar A-plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy, Phys. Status Solidi B,251(4), 788(2014), 2014, 通讯作者
(31) Theoretical study of the anisotropic electrons cattering by step sin vicinal AlGaN/GaN heterostructures, Physica E, 66, 116(2015), 2014, 第 6 作者
(32) Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in Al(In)GaN/GaN heterostructures, J. Appl. Phys. 115, 043702 (2014), 2014, 通讯作者
(33) Effects of V/III ratio on a-plane GaN epilayers with an InGaN interlayer, Chin. Phys. B , 23( 2), 026801(2014), 2013, 通讯作者
(34) Mobility limited by cluster scattering in ternary alloy quantum wires, Chin. Phys. B,23(1),017305 (2014), 2013, 通讯作者
(35) Strain Distributions in Non-Polar a-Plane InxGa1-xN Epitaxial Layers on r-Plane Sapphire Extracted from X-Ray Diffraction, CHIN. PHYS. LETT.,30(9), 098102(2013), 2013, 通讯作者
(36) Electron mobility limited by surface and interface roughness scattering in AlxGa1-xN/GaN quantum wells, Chin. Phys. B , 22( 7) , 077305(2013), 2013, 通讯作者
(37) Dislocation Scattering in ZnMgO/ZnO Heterostructures, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 60(6), 2077-2079(2013), 2013, 通讯作者
(38) Scattering due to Schottky barrier height spatial fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaN/GaN high electron mobility transistors, Appl. Phys. Lett. 103, 232109 (2013), 2013, 通讯作者
(39) Dislocation Scattering in ZnMgO/ZnO Heterostructures, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 60(6), 2077-2079(2013), 2013, 通讯作者
(40) Determination of polar C-plane and nonpolar A-plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy,, Phys. Status Solidi B, 1–4 (2013) / DOI 10.1002/pssb.201350199, 2013, 通讯作者
(41) X-ray probe of GaN thin films grown on InGaN compliant substrates, APPLIED PHYSICS LETTERS 102, 132104 (2013), 2013, 通讯作者
(42) dimensional electron gas mobility limited by scattering of quantum dots with indium composition transition region in quantum wells, Physica E, 52, 150 (2013), 2013, 通讯作者
(43) Scattering due to large cluster embedded in quantum wells, Applied Physics Letters 102, 052105 (2013), 2013, 通讯作者
(44) A theoretical calculation of the impact of GaN cap and AlxGa1-xN barrier thickness fluctuations on two-dimensional electron gas in GaN/AlxGa1-xN/GaN heterostructure, IEEE Transactions on Electron Devices, 58(12), 4272( 2011), 2011, 通讯作者
(45) A simple route of morphology control and structural and optical properties of ZnO grown by metal-organic chemical vapour deposition, Chinese Physics Letters, 25(8), 3063-3066(2008), 2008, 通讯作者
(46) Investigation of oxygen vacancy and interstitial oxygen defects in ZnO films by photoluminescence and x-ray photoelectron spectroscopy,, Chinese Physics Letters, 24, 2108-2111 (2007), 2007, 通讯作者
(47) 应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用, 半导体学报, 26, 1740-1743(2005), 2005, 通讯作者
(48) 离子束外延技术与新材料研究, 中国稀土学报,23:148(2005), 2005, 第 1 作者
(49) 稀土功能薄膜材料的离子束外延法制备生长研究, 中国稀土学报,23:576(2005), 2005, 第 1 作者
(50) 低能离子束辅助的PLD法制备氧化物薄膜, 材料科学与工艺,9,437 (2001), 2001, 第 1 作者
(51) ZnO薄膜的IBA-PLD法外延生长研究, 功能材料,增刊,650 (2001.10), 2001, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 利用玻璃衬底制备新型InGaN 基量子点全光谱太阳电池材料研究, 主持, 国家级, 2013-01--2015-12
( 2 ) 自支撑AlN衬底材料及AlN/蓝宝石复合衬底材料的制备, 参与, 国家级, 2011-08--2015-08
( 3 ) 大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制备及封装技术, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
( 4 ) 垂直结构氮化镓电力电子器件研制中的关键材料制备工艺 研究, 主持, 国家级, 2018-01--2021-12
( 5 ) 大 尺寸氢化物气相外延设备技术及外 延, 主持, 国家级, 2017-07--2020-12
( 6 ) 过渡族金属及其化合物薄膜材料制备研究, 主持, 院级, 2018-01--2018-12
( 7 ) 过渡族金属&半导体先进材料联合实验室, 主持, 院级, 2018-01--2020-12
( 8 ) 空间太阳能科学技术联合实验室, 主持, 院级, 2018-03--2020-12
( 9 ) 定西市先进半导体材料联合实验室, 主持, 院级, 2019-07--2024-07
参与会议
(1)中高压氮化镓功率电子器件制备生产关键技术及设备   第三代半导体材料加工技术及装备研讨会   杨少延   2019-10-23
(2)垂直流HVPE设备反应室尺寸放大流场优化设计研究   第十六届全国固体薄膜学术会议   杨少延*,李成明*,胡君*,魏鸿源,李辉杰,王占国   2018-12-11
(3)石墨烯二维材料与第三代半导体氮化物材料低成本薄膜化制备技术   2015年第十三届国际真空展览会真空学术论坛   杨少延   2015-05-06
(4)超宽禁带氮化物半导体材料在 空间太阳能发电技术中的作用与挑战   2014年 燕赵高层科技论坛系列 光伏技术进展高峰论坛   杨少延   2014-05-30
(5)硅衬底氮化镓材料发展节能新技术的机遇与挑战   2013年第十二届国际真空展览会真空学术论坛   杨少延   2013-05-16