基本信息
樊中朝  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: zcfan@semi.ac.cn
通信地址: 半导体所3#303
邮政编码: 100083
部门/实验室:集成技术中心

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
招生方向
宽禁带电力电子器件研究
新型光波导器件研究
半导体加工技术及其应用

教育背景

2001-09--2004-06   中国科学院半导体研究所   博士
1998-09--2001-04   北方交通大学光电子所   硕士
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2004-06~现在, 中国科学院半导体研究所, 集成技术中心
2001-09~2004-06,中国科学院半导体研究所, 博士
1998-09~2001-04,北方交通大学光电子所, 硕士
社会兼职
   

教授课程

半导体微纳加工技术
集成光子器件基础
半导体纳米电子学基础
新型微纳电子器件

专利与奖励

   
奖励信息
   
专利成果
( 1 ) 用于太阳电池表面抗反射的蛾眼结构的制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102097535A
( 2 ) 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN102064242A
( 3 ) 一种制备低反射率蓝宝石图形衬底的方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103579424A
( 4 ) 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102723357A
( 5 ) ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103258730A

出版信息

   
发表论文
(1) Enhancing oxidation rate of 4H–SiC by oxygen ion implantation, Journal of Materials Science, 2018, 第 11 作者
(2) Piezoelectricity in two dimensions: Graphene vs. molybdenum disulfide, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 5 作者
(3) The study of the contribution of the surface and bulk traps to the dynamic Rdson in AlGaN/GaN HEMT by light illumination, Applied Physics Letters, 2016, 第 11 作者
(4) The Cu Based AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 3 作者
(5) AlGaN/GaN Schottky Diode Fabricated by Au Free Process , IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 第 3 作者
(6) Fabrication of biomimic GaAs subwavelength grating structures for broadband and angular-independent antireflection, Microelectronic Engineering, 2011, 第 2 作者
(7) Pseudo-Rhombus-Shaped Subwavelength Crossed Gratings of GaAs for Broadband Antireflection , CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 第 2 作者
(8) Selective and lithography-independent fabrication of 20 nm nano-gap electrodes and nano-channels for nanoelectrofluidics applications, NANOTECHNOLOGY, 2010, 第 4 作者
(9) Fabrication and optical optimization of spot-size converters with strong cladding layers, JOURNAL OF OPTICS A-PURE AND APPLIED OPTICS, 2009, 第 3 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 硅基微纳光波导传输与单片光电集成技术, 参与, 国家级, 2006-07--2011-07
( 2 ) 高效氮化物LED材料及芯片关键技术, 参与, 国家级, 2009-08--2011-11
( 3 ) 设备功能开发技术创新项目, 主持, 部委级, 2012-01--2013-06
( 4 ) 蓝宝石图形衬底关键工艺技术研究 , 主持, 国家级, 2012-01--2013-12
( 5 ) 用于400Gb/s相干光通信系统的DP-16QAM光调制器模块, 参与, 国家级, 2013-01--2015-12
( 6 ) 功率器件用硅基GaN外延片研究, 参与, 省级, 2013-07--2015-06
( 7 ) 基于宽禁带电力电子器件的光伏逆变研制及示范中的电力电子器件研究, 主持, 研究所(学校), 2013-01--2015-12
( 8 ) 100G相干集成收发组件项目芯片关键技术, 主持, 研究所(学校), 2013-01--2014-12
( 9 ) 基于6英寸碳化硅衬底的厚膜外延技术研究, 主持, 国家级, 2016-07--2021-06
( 10 ) 关键技术人才, 主持, 部委级, 2016-01--2018-12
( 11 ) 中压高稳定碳化硅MOSFET 芯片关键工艺及制备技术研究, 主持, 国家级, 2017-07--2021-06
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生