基本信息
龚谦 男 博导 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： qgong@mail.sim.ac.cn
通信地址： 上海市长宁路865号
邮政编码： 200050
电子邮件： qgong@mail.sim.ac.cn
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邮政编码： 200050
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体材料与器件，可调谐激光器
硅基光电子
外腔可调半导体谐激光器
硅基光电子
外腔可调半导体谐激光器
教育背景
1993-09--1998-12 中国科学院半导体研究所 工学博士
1989-09--1993-06 北京师范大学 物理学学士
1989-09--1993-06 北京师范大学 物理学学士
工作经历
工作简历
2004-07~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员
2001-02~2004-06,荷兰Eindhoven技术大学, 博士后
1999-01~2001-02,德国Paul-Drude研究所, 博士后
1993-09~1998-12,中国科学院半导体研究所, 工学博士
1989-09~1993-06,北京师范大学, 物理学学士
2001-02~2004-06,荷兰Eindhoven技术大学, 博士后
1999-01~2001-02,德国Paul-Drude研究所, 博士后
1993-09~1998-12,中国科学院半导体研究所, 工学博士
1989-09~1993-06,北京师范大学, 物理学学士
社会兼职
2017-08-01-2022-07-31,上海科技大学特聘教授, 特聘教授
专利与奖励
奖励信息
（1） 山东省科学技术奖, 三等奖, 省级, 2020
（2） 2017年度山东省高等学校科学技术奖, 一等奖, 省级, 2017
（2） 2017年度山东省高等学校科学技术奖, 一等奖, 省级, 2017
专利成果
（ 1 ） 一种HEMT器件及其制备方法, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN116525658A
（ 2 ） 一种硅基单片集成激光器及其制备方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN111600195B
（ 3 ） 一种四元探测器的制备方法以及由此得到的铟镓砷铋四元探测器, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109786510A
（ 4 ） 一种外腔激光器及其调谐方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108832481A
（ 5 ） 硅基单片集成激光器, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN206931836U
（ 6 ） Ge复合衬底、衬底外延结构及其制备方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN107195534A
（ 7 ） 硅基单片集成激光器及其制作方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106953234A
（ 8 ） 一种大尺寸III‑V异质衬底的制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106653583A
（ 9 ） 一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105826169A
（ 10 ） GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105632965A
（ 11 ） 一种小型可遥控光感基因刺激装置及其控制方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN104138637A
（ 12 ） 测量激光器内量子效率和内损耗的方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN104062575A
（ 13 ） 一种微型可遥控的光感基因刺激装置, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103830847A
（ 14 ） 一种可获得极宽短波红外发光谱的半导体材料及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103779457A
（ 15 ） 一种基于硅基三维纳米阵列的全环栅CMOS结构和制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103715195A
（ 16 ） 一种边发射半导体激光器腔面的非解理制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103701035A
（ 17 ） 一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103700660A
（ 18 ） 一种制备石墨烯的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102627274A
（ 19 ） 一种液态催化剂辅助化学气相沉积制备石墨烯的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102583359A
（ 20 ） 原位测量源炉中源材料质量的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101311298B
（ 21 ） 束源炉中源材料熔化时对应热偶温度的测量方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101311299A
（ 2 ） 一种硅基单片集成激光器及其制备方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN111600195B
（ 3 ） 一种四元探测器的制备方法以及由此得到的铟镓砷铋四元探测器, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109786510A
（ 4 ） 一种外腔激光器及其调谐方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108832481A
（ 5 ） 硅基单片集成激光器, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN206931836U
（ 6 ） Ge复合衬底、衬底外延结构及其制备方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN107195534A
（ 7 ） 硅基单片集成激光器及其制作方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106953234A
（ 8 ） 一种大尺寸III‑V异质衬底的制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106653583A
（ 9 ） 一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105826169A
（ 10 ） GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105632965A
（ 11 ） 一种小型可遥控光感基因刺激装置及其控制方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN104138637A
（ 12 ） 测量激光器内量子效率和内损耗的方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN104062575A
（ 13 ） 一种微型可遥控的光感基因刺激装置, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103830847A
（ 14 ） 一种可获得极宽短波红外发光谱的半导体材料及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103779457A
（ 15 ） 一种基于硅基三维纳米阵列的全环栅CMOS结构和制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103715195A
（ 16 ） 一种边发射半导体激光器腔面的非解理制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103701035A
（ 17 ） 一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103700660A
（ 18 ） 一种制备石墨烯的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102627274A
（ 19 ） 一种液态催化剂辅助化学气相沉积制备石墨烯的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102583359A
（ 20 ） 原位测量源炉中源材料质量的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101311298B
（ 21 ） 束源炉中源材料熔化时对应热偶温度的测量方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101311299A
出版信息
发表论文
（1） 利用InAs/GaAs数字合金超晶格改进InAs量子点有源区的结构设计, 物理学报, 2023, 第 6 作者 通讯作者
（2） InAs/GaAs quantum dot laterally coupled distributed feedback lasers at 1.3 ��m, CHINESE OPTICS LETTERS, 2023, 第 11 作者 通讯作者
（3） Single-mode GaSb-based laterally coupled distributed-feedback laser for CO 2 gas detection, CHINESE PHYSICS B, 2023, 第 9 作者 通讯作者
（4） InAs/GaAs quantum dot laterally coupled distributed feedback lasers at 1.3 mu m, CHINESE OPTICS LETTERS, 2023, 第 11 作者 通讯作者
（5） Improving structure design of active region of InAs quantum dots by using InAs/GaAs digital alloy superlattice, ACTA PHYSICA SINICA, 2023, 第 6 作者 通讯作者
（6） Effects of in-situ thermal annealing on metamorphic InGaAs photodetector materials grown by molecular beam epitaxy, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2023, 第 9 作者
（7） 有源区Be掺杂对1.3 μm InAs量子点激光器性能的影响, Effect of Be doping in active regions on the performance of 1.3 ��m InAs quantum dot lasers, 红外与毫米波学报, 2023, 第 5 作者
（8） 采用Ga（In，As）P异变缓冲层的GaP/Si衬底上InAs量子阱, InAs quantum wells grown on GaP/Si substrate with Ga(In,As)P metamorphic buffers, 红外与毫米波学报, 2022, 第 5 作者
（9） 2.7 ��m GaSb-based distributed feedback lasers with laterally coupled gratings, Physica Scripta, 2022, 第 12 作者 通讯作者
（10） Composition measurement of fully-strained epitaxial InxGa1-xAsyP1-y/InP layer by temperature dependent X-ray diffraction, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2022, 第 5 作者 通讯作者
（11） InP-Based Broadband Photodetectors With InGaAs/GaAsSb Type-II Superlattice, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2022, 第 9 作者
（12） High-Performance InP-Based Bias-Tunable Near-Infrared/Extended-Short Wave Infrared Dual-Band Photodetectors, JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2022, 第 9 作者
（13） 2.7 mu m GaSb-based distributed feedback lasers with laterally coupled gratings, PHYSICA SCRIPTA, 2022, 第 12 作者 通讯作者
（14） 基于光子晶体的量子点半导体光放大器波长转换特性, Wavelength Conversion Characteristics of Quantum-Dot Semiconductor Optical Amplifier Based on Photonic Crystal, 光学学报, 2022, 第 4 作者
（15） Highly Tensile-Strained Self-Assembled Ge Quantum Dots on InP Substrates for Integrated Light Sources, ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2021, 第 12 作者
（16） Long-Wave Infrared Sub-Monolayer Quantum dot Quantum Cascade Photodetector, JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2021, 第 8 作者 通讯作者
（17） The optimization of InGaAs/InGaP quantum wells grown by gas source molecular beam epitaxy, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2021, 第 11 作者 通讯作者
（18） Submonolayer quantum dot quantum cascade long-wave infrared photodetector grown on Ge substrate, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2021, 第 8 作者 通讯作者
（19） 基于QD-SOA-XGM的全光逻辑或非门研究, All-Optical Logic NOR Gate based on QD-SOA-XGM, 通信技术, 2020, 第 5 作者
（20） Epitaxial growth of lattice-matched InSb/CdTe heterostructures on the GaAs(111) substrate by molecular beam epitaxy, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 第 7 作者
（21） InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性, Voltage-temperature Characteristics of InGaAs/GaAs/InGaP Quantum Well Laser, 发光学报, 2020, 第 7 作者
（22） Mid- and long-infrared emission properties of InxGa1���xAsySb1���y quaternary alloy with Type-II InAs/GaSb superlattice distribution, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2020, 第 6 作者
（23） 低温下GaSb基量子阱激光器的光电特性研究, Photoelectric Characteristics of GaSb-based Quantum Well Lasers at Low Temperature, 通信技术, 2020, 第 6 作者
（24） 基于QD-SOA交叉相位调制全光逻辑或门啁啾特性的研究, Characteristics of All-Optical Logic OR Gate Chirp based on QD-SOA-XPM, 通信技术, 2020, 第 5 作者
（25） Research of all-optical NAND gates based on quantum dot semiconductor optical amplifiers cascaded connection XGM and XPM, OPTIK, 2020, 第 4 作者
（26） The impurity states in different shaped quantum wells under applied electric field, INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2020, 第 3 作者
（27） Impurity states in a GaN/AlxGa1-xN spherical quantum dot under an applied electric field, JOURNAL OF NANOPHOTONICS, 2020, 第 3 作者
（28） Effects of buffer doping on the strain relaxation of metamorphic InGaAs photodetector structures, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2020, 第 6 作者
（29） Impurity states in InGaAsP/InP core-shell quantum dot under external electric field, JOURNAL OF NANOPHOTONICS, 2020, 第 3 作者
（30） 数字递变异变赝衬底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光电探测器的性能改进, Improved performances of 2. 6 ��m In0. 83 Ga0. 17 As /InP photodetectors on digitally-graded metamorphic pseudo-substrates, 红外与毫米波学报, 2019, 第 6 作者
（31） Self-sustained pulse oscillations in a quantum dot laser monolithically grown on germanium, 2019 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS EUROPE & EUROPEAN QUANTUM ELECTRONICS CONFERENCE (CLEO/EUROPE-EQEC), 2019, 第 5 作者
（32） Mid-infrared type-I InAs/In0.83Al0.17As quantum wells grown on GaP and InP by gas source molecular beam epitaxy, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2019,
（33） GaAs-Based InPBi Quantum Dots for High Efficiency Super-Luminescence Diodes, INTERNATIONAL JOURNAL OF MOLECULAR SCIENCES, 2019, 第 3 作者 通讯作者
（34） Intensity Noise and Pulse Oscillations of an InAs/GaAs Quantum Dot Laser on Germanium, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2019, 第 6 作者
（35） InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光单模特性研究, Laser Single-Mode Characteristics of InGaAs/GaAs/InGaP Quantum Well Lasers, 激光与光电子学进展, 2019, 第 6 作者
（36） 基于QD-SOA级联XGM与XPM全光逻辑或门的研究, QD-SOA Cascaded XGM and XPM All-Optical Logic OR Gate, 通信技术, 2019, 第 4 作者
（37） Optimization of In0.6Ga0.4As/InAs electron barrier for In0.74Ga0.26As detectors grown by molecular beam epitaxy, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2019,
（38） 数字递变异变赝衬底上2. 6 μm In_（0. 83）Ga_（0. 17） As /InP光电探测器的性能改进, Improved performances of 2. 6 ��m In_(0. 83)Ga_(0. 17) As /InP photodetectors on digitally-graded metamorphic pseudo-substrates, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 6 作者
（39） Exciton states in InGaAsP/InP core-shell quantum dots under an external electric field, JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS, 2019, 第 3 作者
（40） Fabrication and Characterization of an InAs(Sb)/InxGa1-xAsySb1-y Type-II Superlattice, PHYSICASTATUSSOLIDIRAPIDRESEARCHLETTERS, 2019, 第 3 作者
（41） Monolithically grown 2.5 mu m InGaAs photodetector structures on GaP and GaP/Si (001) substrates, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2019, 第 6 作者
（42） Improved performances of 2. 6 mu m In0.83Ga0.17 As/InP photodetectors on digitally-graded metamorphic pseudo-substrates, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 6 作者
（43） Passivation Mechanism of Nitrogen in ZnO under Different Oxygen Ambience, CRYSTALS, 2019, 第 6 作者
（44） The External Electric and Magnetic Fields Effect on Binding Energy of Hydrogenic Donor Impurity in a InGaAsP/InP Core-Shell Quantum Dot, JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2019, 第 3 作者
（45） Laser Single-Mode Characteristics of InGaAs/GaAs/InGaP Quantum Well Lasers, LASER & OPTOELECTRONICS PROGRESS, 2019, 第 6 作者 通讯作者
（46） Effect of electric and magnetic field on impurity binding energy in InGaAsP/InP quantum ring, MODERN PHYSICS LETTERS B, 2019, 第 3 作者
（47） High optical feedback tolerance of InAs/GaAs quantum dot lasers on germanium, OPTICS EXPRESS, 2018, 第 4 作者
（48） 2.0μm中红外量子阱激光器研制及其性能测试与分析, Fabrication and performance test of 2.0��m mid-infrared quantum well lasers, 光电子．激光, 2018, 第 7 作者
（49） 全光逻辑与门转换效率的研究, Conversion Efficiency of All-optical Logic AND Gates, 通信技术, 2018, 第 5 作者
（50） InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化, Optimization of growth temperatures for InAlAs metamorphic buffers and high indium InGaAs on InP substrate, 红外与毫米波学报, 2018, 第 4 作者
（51） 基于QD-SOA的动态啁啾特性研究, Theoretical Study on Dynamic Chirp Characteristics based on QD-SOA, 通信技术, 2018, 第 5 作者
（52） Speed Characterization of InGaAs/GaAsSb Type-II Quantum Wells PIN Photodiodes, 2018 ASIA COMMUNICATIONS AND PHOTONICS CONFERENCE (ACP), 2018, 第 2 作者
（53） 1.3μm波段InAs/GaAs量子点激光器性能研究, Performance of 1.3��m InAs/GaAs Quantum-Dot Laser, 通信技术, 2018, 第 6 作者
（54） 全光逻辑异或门相位差特性研究, Study on phase difference of all-optical logic XOR gates, 激光技术, 2018, 第 5 作者
（55） 通过晶格失配调节有盖层张应变Ge量子点的光电特性, Tuning the Optoelectronic Properties of Capped Tensile-strained Ge Quantum Dots by Lattice Mismatch, 材料导报, 2018, 第 8 作者
（56） Dynamic model and bandwidth characterization of InGaAs/GaAsSb type-II quantum wells PIN photodiodes, OPTICS EXPRESS, 2018, 第 6 作者
（57） 基于QD—SOA级联XGM与XPM波长转换Q因子特性, Q Factor Characteristics of Wavelength Conversion based on QD- SOA Cascaded Connection XGM and XPM, 通信技术, 2018, 第 5 作者
（58） InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化, Optimization of growth temperatures for InAlAs metamorphic buffers and high indium InGaAs on InP substrate, 红外与毫米波学报, 2018, 第 4 作者
（59） Optimization of growth temperatures for InAlAs metamorphic buffers and high indium InGaAs on InP substrate, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2018, 第 4 作者
（60） Comparison of external electric and magnetic fields effect on binding energy of hydrogenic donor impurity in different shaped quantum wells, EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B, 2018, 第 3 作者
（61） Optical properties of beryllium-doped GaSb epilayers grown on GaAs substrate, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 第 5 作者
（62） Electron beam lithography on uneven resist for uniform Bragg gratings in GaSb based distributed-feedback laser, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2018, 第 5 作者 通讯作者
（63） External electric field effect on the binding energy of a hydrogenic donor impurity in InGaAsP/InP concentric double quantum rings, INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2018, 第 3 作者
（64） Improved performance of In(0.83)Ga(0)A(7)As/InP photodetectors through modifying the position of In0.66Ga0.34As/InAs superlattice electron barrier, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 第 6 作者
（65） 外场对InPBi量子阱中激子结合能的影响, Effect of external field on exciton binding energy in InPBi quantum well, 量子电子学报, 2017, 第 6 作者
（66） Facile synthesis of highly graphitized nitrogen-doped carbon dots and carbon sheets with solid-state white-light emission, MATERIALS LETTERS, 2017,
（67） Electronic states in low-dimensional nano-structures: Comparison between the variational and plane wave basis method, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017, 第 3 作者
（68） 量子点半导体光放大器的波长转换效率, Wavelength Conversion Efficiency of Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier, 光学学报, 2017, 第 5 作者
（69） Annealing effect of the InAs dot-in-well structure grown by MBE, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 第 7 作者 通讯作者
（70） InP-based pseudomorphic InAs/InGaAs triangular quantum well lasers with bismuth surfactant., APPLIED OPTICS, 2017,
（71） Cd1-xMnxTe/CdTe量子阱中电子-LO声子散射率, Electron-LO phonon scattering rate in Cd1-xMnxTe/CdTe quantum well, 量子电子学报, 2017, 第 5 作者
（72） External cavity lasers using stripe mirrors with different mirror width, JOURNAL OF MODERN OPTICS, 2017, 第 3 作者 通讯作者
（73） Relative intensity noise of InAs quantum dot lasers epitaxially grown on Ge, OPTICS EXPRESS, 2017, 第 5 作者 通讯作者
（74） Influence of GaAsBi Matrix on Optical and Structural Properties of InAs Quantum Dots., NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2016, 第 7 作者 通讯作者
（75） 大范围连续调谐的InAs/InP（100）外腔量子点激光器, 光电子·激光, 2016, 第 6 作者
（76） 基于单端QD-SOA波长转换增益恢复特性研究, Study on gain recovery time of wavelength conversionbased on single-port-coupled QD-SOA, 激光技术, 2016, 第 5 作者
（77） Influence of doping in inp buffer on photoluminescence behavior of inpbi, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 6 作者 通讯作者
（78） Detailed Study of the Influence of InGaAs Matrix on the Strain Reduction in the InAs Dot-In-Well Structure., NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2016, 第 6 作者 通讯作者
（79） GaInAsP/InP阶梯量子阱中电子-电子的散射率, Electron-electron Scattering Rate in GaInAsP/InP Stepped Quantum Well, 发光学报, 2016, 第 5 作者
（80） 基于量子点光放大器波长转换的啁啾特性研究, Theoretical study on chirp of wavelength conversion based on QD-SOA, 激光技术, 2016, 第 4 作者
（81） 气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心, Deep Centers in InPBi Thin Film Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy, 发光学报, 2016, 第 9 作者
（82） 量子点半导体光放大器波长转换的Q因子特性, Q Factor Characteristics of Wavelength Conversion Based on Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifiers, 发光学报, 2016, 第 5 作者
（83） Growth and material properties of InPBi thin films using gas source molecular beam epitaxy, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 第 8 作者
（84） The electron-longitudinal optical phonon scattering rate in GaInAsP/InP stepped quantum well, INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2016, 第 5 作者
（85） Heteroepitaxy growth of GaAsBi on Ge(100) substrates by gas source molecular beam epitaxy, Applied Physics Express, 2016, 第 1 作者 通讯作者
（86） 基于QD-SOA光判决门的研究, Optical Decision Gate based on QD-SOA, 通信技术, 2016, 第 5 作者
（87） 基于QD-SOA-MZI结构的全光逻辑门的性能优化, Performance Optimization of All Optical Logic Gates based on QD-SOA-MZI Structure, 通信技术, 2016, 第 5 作者
（88） Heteroepitaxy growth of GaAsBi on Ge(100) substrate by gas source molecular beam epitaxy, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 第 6 作者 通讯作者
（89） External electric field effect on exciton binding energy in InGaAsP/InP cylindrical quantum wires, PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2016, 第 3 作者
（90） Highly luminescent carbon nanoparticles as yellow emission conversion phosphors, MATERIALS LETTERS, 2015, 第 3 作者
（91） InAs/GaAs量子点激光器的增益和线宽展宽因子, Gain and Linewidth Enhancement Factor of InAs/GaAs Quantum-dot Laser Diodes, 发光学报, 2015, 第 6 作者
（92） A wireless remote high-power laser device for optogenetics experiments, Laser Physics, 2015, 第 1 作者 通讯作者
（93） Analysis of mode-hop free tuning of folded cavity grating feedback lasers, APPLIED OPTICS, 2015, 第 2 作者 通讯作者
（94） A facile and transfer-free path for template-less synthesis of carbon nanosheets, MATERIALS LETTERS, 2015,
（95） InAs/InP量子点激光器中欧姆接触合金层特性研究, Characteristic study of ohmic contact alloy layer in InAs/InP quantum dot lasers, 光电子·激光, 2015, 第 2 作者
（96） Wavelength tuning of InAs quantum dot laser by micromirror device, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015,
（97） Highly luminescence carbon nanoparticles as yellow emission conversion phosphors, Materials Letters, 2015, 第 1 作者
（98） A Novel Method to Measure the Internal Quantum Efficiency and Optical Loss of Laser Diodes, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2015,
（99） Junction-Temperature Measurement in InAs/InP(100) Quantum-Dot Lasers, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 2 作者
（100） Raman spectroscopy of epitaxial topological insulator bi2te3 thin films on gan substrates, MODERN PHYSICS LETTERS B, 2015, 第 3 作者
（101） Cd_（1-x）Mn_xTe/CdTe拋物量子阱内激子结合能研究, Binding energies of excitons in symmetrical Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe parabolic quantum well, 量子电子学报, 2015, 第 3 作者
（102） Novel InGaPBi single crystal grown by molecular beam epitaxy, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2015, 第 9 作者
（103） Raman scattering studies of dilute InP1-xBix alloys reveal unusually strong oscillator strength for Bi-induced modes, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015, 第 13 作者
（104） Investigation to the deep center related properties of low temperature grown InPBi with Hall and photoluminescence, AIP ADVANCES, 2015, 第 6 作者
（105） Vibrational properties of epitaxial Bi4Te3 films as studied by Raman spectroscopy, AIP ADVANCES, 2015, 第 7 作者
（106） A new route toward light emission from Ge: tensile-strained quantum dots, NANOSCALE, 2015, 第 7 作者
（107） Mobility enhancement in tensile-strained Ge grown on InAlP metamorphic templates, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 第 2 作者
（108） 采用InGaP和InAlP作为虚衬底的张应变Ge薄膜的材料性质比较, Property Comparison of Tensile-strained Ge Films on Metamorphic InGaP and InAlP Templates, 材料科学与工程学报, 2014, 第 2 作者
（109） 高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器, High performance InAs/GaAs quantum dot external cavity lasers, 光电子·激光, 2014, 第 3 作者
（110） Template-less synthesis of hollow carbon nanospheres for white light-emitting diodes, MATERIALS LETTERS, 2014,
（111） A novel semiconductor compatible path for nano-graphene synthesis using CBr4 precursor and Ga catalyst., SCIENTIFIC REPORTS, 2014,
（112） Raman enhancement by graphene-Ga2O3 2D bilayer film., NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2014, 第 6 作者
（113） Refined sectionalized method of QD-SOA, OPTIK, 2014, 第 3 作者
（114） Structural and optical characterizations of InPBi thin films grown by molecular beam epitaxy., NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2014, 第 8 作者 通讯作者
（115） Chemical vapor deposition of graphene on liquid metal catalysts, CARBON, 2013, 第 4 作者
（116） 基于DMD的外腔量子点激光器性能研究, Performance of a quantum-dot external-cavity laser based on digital micro-mirror device, 光电子·激光, 2013, 第 3 作者
（117） High Intensity Single-Mode Peak Observed in the Lasing Spectrum of InAs/GaAs Quantum Dot Laser, High Intensity Single-Mode Peak Observed in the Lasing Spectrum of InAs/GaAs Quantum Dot Laser, Chinese Physics Letters, 2013, 第 2 作者
（118） High-performance InAs/GaAs quantum dot laser with dot layers grown at 425��C, CHINESE OPTICS LETTERS, 2013, 第 2 作者
（119） 外加电场对GaN/AlxGa1-xN双量子阱中性施主束缚能的影响, Influence of electric field on binding energy of neutral donor in symmetrical GaN/AlxGa1-xN double quantum wells, 量子电子学报, 2013, 第 3 作者
（120） GaInAsP /InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能, Binding energy of hydrogenic donor impurity in GaInAsP /InP stepped quantum well, 量子电子学报, 2013, 第 3 作者
（121） 外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响, External electric field effect on exciton binding energy in InGaAsP/InP quantum wells, 物理学报, 2013, 第 3 作者
（122） 外腔反馈对量子点激光器输出特性的影响, Influence of External Cavity Feedback on The Output Characteristics of Quantum-dot Lasers, 发光学报, 2013, 第 4 作者
（123） High-performance InAs/GaAs quantum dot laser with dot layers grown at 425 degrees C, CHINESE OPTICS LETTERS, 2013, 第 2 作者
（124） Ga_（1-x）In_xN_yAs_（1-y）/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率, Electron-LO phonon scattering in Ga_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)/GaAs quantum well, ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 第 4 作者
（125） External electric field effect on exciton binding energy in InGaAsP/InP quantum wells, ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 第 3 作者
（126） Electron-LO phonon scattering in Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs quantum well, ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 第 4 作者
（127） Optical investigation of InAs/InP(100) quantum dots grown by gas source molecular beam epitaxy, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2012,
（128） Morphology and shape dependent characteristics of InAs/InP(100) quantum dot lasers grown by gas source molecular beam epitaxy, Physica E, 2012, 第 1 作者
（129） Low-temperature characteristics of two-color InAs/InP quantum dots laser, CHINESE OPTICS LETTERS, 2012, 第 2 作者
（130） Measurements of I-V characteristic in InAs/InP quantum dot laser diode, Journal of Modern Optics, 2012, 第 1 作者
（131） 基于ZigBee远程控制的激光光源系统, Remote-Control Laser Source System based on ZigBee, 通信技术, 2012, 第 3 作者
（132） InAs/InP量子点激光器制备工艺研究, Fabricating technique of InAs/InP quantum dot lasers, 光电子．激光, 2012, 第 2 作者
（133） 1.5mm腔长InAs/InP量子点激光器镜面外腔光谱特性研究, 半导体光电, 2012, 第 2 作者
（134） Low-temperature characteristics of two-color InAs/InP quantum dots laser, Low-temperature characteristics of two-color InAs/InP quantum dots laser, 中国光学快报(英文版), 2012, 第 2 作者
（135） Temperature dependent lasing characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2012,
（136） Multicolor InAs/InP(100) Quantum Dot Laser, Multicolor InAs/InP(100) Quantum Dot Laser, Chinese Physics Letters, 2011, 第 2 作者
（137） The I-V characteristics of InAs/GaAs quantum dot laser, PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2011, 第 4 作者
（138） High performance external cavity InAs/InP quantum dot lasers, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011,
（139） Fabrication of Hinged Mirrors Using a Strain-Driven Self-Assembly Method on a GaAs Substrate, Fabrication of Hinged Mirrors Using a Strain-Driven Self-Assembly Method on a GaAs Substrate, Chinese Physics Letters, 2011, 第 4 作者
（140） InAs/GaAs qunatum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epiatxy, J. Cryst. Growth, 2010, 第 1 作者 通讯作者
（141） External electric field effect on the hydrogenic donor impurity in zinc-blende InGaN/GaN cylindrical quantum well wire, PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2010, 第 3 作者
（142） InAs/InP(100) quantum dot laser with high wavelength stability, ELECTRONICS LETTERS, 2010,
（143） 气源分子束外延生长的InAs/InP（100）量子点激光器, InAs/InP (100) Quantum Dot Laser Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy, 半导体技术, 2010, 第 6 作者
（144） InAs/GaAs quantum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2010,
（145） Defect and dope selective of transmission properties of 2D photonic crystal, OPTIK, 2010, 第 2 作者
（146） InAs／GaAs量子点激光器结温研究, Junction-temperature Measurement in InAs/GaAs Quantum-dot Lasers, 半导体光电, 2010, 第 7 作者
（147） Submilliampare threshold 1.3 mu m vertical-cavity surface-emitting lasers, ACTA PHYSICA SINICA, 2009, 第 5 作者
（148） The electric field effect on binding energy of hydrogenic impurity in zinc-blende GaN/AlxGa1-xN spherical quantum dot, PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2009, 第 4 作者
（149） Simple and Efficient Near-Infrared Organic Chromophores for Light-Emitting Diodes with Single Electroluminescent Emission above 1000 nm, ADVANCED MATERIALS, 2009, 第 1 作者
（150） Electronic States of a Shallow Hydrogenic Donor Impurity in Different Shaped Semiconductor Quantum Wells, COMMUNICATIONS IN THEORETICAL PHYSICS, 2009, 第 4 作者
（151） External electric field effect on the hydrogenic donor impurity in zinc-blende GaN/AlGaN cylindrical quantum dot, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 第 4 作者
（152） Growth of InAs/GaSb type-II superlattices by gas-source molecular-beam epitaxy, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2009,
（153） Two-color quantum dot laser with tunable wavelength gap, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009,
（154） 亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器, Submilliampare threshold 1.3��m vertical-cavity surface-emitting lasers, 物理学报, 2009, 第 5 作者
（155） Room temperature continuous-wave operation of InAs/InP (100) quantum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008,
（156） 键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器, Fabrication of InAsP/InGaAsP Quantum-Well 1.3��m VCSELs by Direct Wafer-Bonding, 半导体学报, 2008, 第 7 作者
（157） GSMBE生长的非均匀多纵模量子点激光器, Inhomogeneously Multi-Longitudinal-Mode Lasing Quantum-Dot Lasers Grown by GSMBE, 半导体技术, 2008, 第 2 作者
（158） Lasing cavities and ultra-fast switch based on self-collimation of photonic crystal, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2008, 第 3 作者
（159） Bulletlike light pulses in photonic crystals, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 第 2 作者
（160） External electric field elect on hydrogenic donor impurity in zinc-blende InGaN quantum dot, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 第 4 作者
（161） 太赫兹量子级联激光器电极制备中的几个问题, 第11届全国发光学学术会议论文摘要集, 2007, 第 2 作者
（162） Photonic band gap structures in the Thue-Morse lattice, PHYSICAL REVIEW B, 2007, 第 5 作者
（163） 大功率In（Ga）As／GaAs量子点激光器, 半导体学报, 2000, 第 6 作者
（164） 量子点激光器及其应用研究, 高技术通讯, 2000, 第 8 作者
（165） 红光InAlAs量子点的结构和光学性质, 发光学报, 1999, 第 3 作者
（166） GaAs（311）A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性, STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF SELF-ASSEMBLED InAs QUANTUM DOTS GROWN ON GaAs(311) A SUBSTRATE, 物理学报, 1999, 第 3 作者
（167） Red Luminesecnce from Self-Assembled InAlAs/AlGaAs Quantum Dots with Bimodal Size Distribution, Red luminesecnce from self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots with bimodal size distribution, Chinese Physics Letters, 1999, 第 5 作者
（168） InAs量子点的原子力显微镜测试结果分析, 半导体学报, 1999, 第 3 作者
（169） 808nm GaAs／AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制, 半导体学报, 1997, 第 4 作者
（170） 高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性, 半导体学报, 1997, 第 9 作者
（171） MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究, 发光学报, 1997, 第 5 作者
（2） InAs/GaAs quantum dot laterally coupled distributed feedback lasers at 1.3 ��m, CHINESE OPTICS LETTERS, 2023, 第 11 作者 通讯作者
（3） Single-mode GaSb-based laterally coupled distributed-feedback laser for CO 2 gas detection, CHINESE PHYSICS B, 2023, 第 9 作者 通讯作者
（4） InAs/GaAs quantum dot laterally coupled distributed feedback lasers at 1.3 mu m, CHINESE OPTICS LETTERS, 2023, 第 11 作者 通讯作者
（5） Improving structure design of active region of InAs quantum dots by using InAs/GaAs digital alloy superlattice, ACTA PHYSICA SINICA, 2023, 第 6 作者 通讯作者
（6） Effects of in-situ thermal annealing on metamorphic InGaAs photodetector materials grown by molecular beam epitaxy, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2023, 第 9 作者
（7） 有源区Be掺杂对1.3 μm InAs量子点激光器性能的影响, Effect of Be doping in active regions on the performance of 1.3 ��m InAs quantum dot lasers, 红外与毫米波学报, 2023, 第 5 作者
（8） 采用Ga（In，As）P异变缓冲层的GaP/Si衬底上InAs量子阱, InAs quantum wells grown on GaP/Si substrate with Ga(In,As)P metamorphic buffers, 红外与毫米波学报, 2022, 第 5 作者
（9） 2.7 ��m GaSb-based distributed feedback lasers with laterally coupled gratings, Physica Scripta, 2022, 第 12 作者 通讯作者
（10） Composition measurement of fully-strained epitaxial InxGa1-xAsyP1-y/InP layer by temperature dependent X-ray diffraction, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2022, 第 5 作者 通讯作者
（11） InP-Based Broadband Photodetectors With InGaAs/GaAsSb Type-II Superlattice, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2022, 第 9 作者
（12） High-Performance InP-Based Bias-Tunable Near-Infrared/Extended-Short Wave Infrared Dual-Band Photodetectors, JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2022, 第 9 作者
（13） 2.7 mu m GaSb-based distributed feedback lasers with laterally coupled gratings, PHYSICA SCRIPTA, 2022, 第 12 作者 通讯作者
（14） 基于光子晶体的量子点半导体光放大器波长转换特性, Wavelength Conversion Characteristics of Quantum-Dot Semiconductor Optical Amplifier Based on Photonic Crystal, 光学学报, 2022, 第 4 作者
（15） Highly Tensile-Strained Self-Assembled Ge Quantum Dots on InP Substrates for Integrated Light Sources, ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2021, 第 12 作者
（16） Long-Wave Infrared Sub-Monolayer Quantum dot Quantum Cascade Photodetector, JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2021, 第 8 作者 通讯作者
（17） The optimization of InGaAs/InGaP quantum wells grown by gas source molecular beam epitaxy, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2021, 第 11 作者 通讯作者
（18） Submonolayer quantum dot quantum cascade long-wave infrared photodetector grown on Ge substrate, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2021, 第 8 作者 通讯作者
（19） 基于QD-SOA-XGM的全光逻辑或非门研究, All-Optical Logic NOR Gate based on QD-SOA-XGM, 通信技术, 2020, 第 5 作者
（20） Epitaxial growth of lattice-matched InSb/CdTe heterostructures on the GaAs(111) substrate by molecular beam epitaxy, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 第 7 作者
（21） InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性, Voltage-temperature Characteristics of InGaAs/GaAs/InGaP Quantum Well Laser, 发光学报, 2020, 第 7 作者
（22） Mid- and long-infrared emission properties of InxGa1���xAsySb1���y quaternary alloy with Type-II InAs/GaSb superlattice distribution, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2020, 第 6 作者
（23） 低温下GaSb基量子阱激光器的光电特性研究, Photoelectric Characteristics of GaSb-based Quantum Well Lasers at Low Temperature, 通信技术, 2020, 第 6 作者
（24） 基于QD-SOA交叉相位调制全光逻辑或门啁啾特性的研究, Characteristics of All-Optical Logic OR Gate Chirp based on QD-SOA-XPM, 通信技术, 2020, 第 5 作者
（25） Research of all-optical NAND gates based on quantum dot semiconductor optical amplifiers cascaded connection XGM and XPM, OPTIK, 2020, 第 4 作者
（26） The impurity states in different shaped quantum wells under applied electric field, INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2020, 第 3 作者
（27） Impurity states in a GaN/AlxGa1-xN spherical quantum dot under an applied electric field, JOURNAL OF NANOPHOTONICS, 2020, 第 3 作者
（28） Effects of buffer doping on the strain relaxation of metamorphic InGaAs photodetector structures, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2020, 第 6 作者
（29） Impurity states in InGaAsP/InP core-shell quantum dot under external electric field, JOURNAL OF NANOPHOTONICS, 2020, 第 3 作者
（30） 数字递变异变赝衬底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光电探测器的性能改进, Improved performances of 2. 6 ��m In0. 83 Ga0. 17 As /InP photodetectors on digitally-graded metamorphic pseudo-substrates, 红外与毫米波学报, 2019, 第 6 作者
（31） Self-sustained pulse oscillations in a quantum dot laser monolithically grown on germanium, 2019 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS EUROPE & EUROPEAN QUANTUM ELECTRONICS CONFERENCE (CLEO/EUROPE-EQEC), 2019, 第 5 作者
（32） Mid-infrared type-I InAs/In0.83Al0.17As quantum wells grown on GaP and InP by gas source molecular beam epitaxy, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2019,
（33） GaAs-Based InPBi Quantum Dots for High Efficiency Super-Luminescence Diodes, INTERNATIONAL JOURNAL OF MOLECULAR SCIENCES, 2019, 第 3 作者 通讯作者
（34） Intensity Noise and Pulse Oscillations of an InAs/GaAs Quantum Dot Laser on Germanium, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2019, 第 6 作者
（35） InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光单模特性研究, Laser Single-Mode Characteristics of InGaAs/GaAs/InGaP Quantum Well Lasers, 激光与光电子学进展, 2019, 第 6 作者
（36） 基于QD-SOA级联XGM与XPM全光逻辑或门的研究, QD-SOA Cascaded XGM and XPM All-Optical Logic OR Gate, 通信技术, 2019, 第 4 作者
（37） Optimization of In0.6Ga0.4As/InAs electron barrier for In0.74Ga0.26As detectors grown by molecular beam epitaxy, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2019,
（38） 数字递变异变赝衬底上2. 6 μm In_（0. 83）Ga_（0. 17） As /InP光电探测器的性能改进, Improved performances of 2. 6 ��m In_(0. 83)Ga_(0. 17) As /InP photodetectors on digitally-graded metamorphic pseudo-substrates, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 6 作者
（39） Exciton states in InGaAsP/InP core-shell quantum dots under an external electric field, JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS, 2019, 第 3 作者
（40） Fabrication and Characterization of an InAs(Sb)/InxGa1-xAsySb1-y Type-II Superlattice, PHYSICASTATUSSOLIDIRAPIDRESEARCHLETTERS, 2019, 第 3 作者
（41） Monolithically grown 2.5 mu m InGaAs photodetector structures on GaP and GaP/Si (001) substrates, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2019, 第 6 作者
（42） Improved performances of 2. 6 mu m In0.83Ga0.17 As/InP photodetectors on digitally-graded metamorphic pseudo-substrates, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 6 作者
（43） Passivation Mechanism of Nitrogen in ZnO under Different Oxygen Ambience, CRYSTALS, 2019, 第 6 作者
（44） The External Electric and Magnetic Fields Effect on Binding Energy of Hydrogenic Donor Impurity in a InGaAsP/InP Core-Shell Quantum Dot, JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2019, 第 3 作者
（45） Laser Single-Mode Characteristics of InGaAs/GaAs/InGaP Quantum Well Lasers, LASER & OPTOELECTRONICS PROGRESS, 2019, 第 6 作者 通讯作者
（46） Effect of electric and magnetic field on impurity binding energy in InGaAsP/InP quantum ring, MODERN PHYSICS LETTERS B, 2019, 第 3 作者
（47） High optical feedback tolerance of InAs/GaAs quantum dot lasers on germanium, OPTICS EXPRESS, 2018, 第 4 作者
（48） 2.0μm中红外量子阱激光器研制及其性能测试与分析, Fabrication and performance test of 2.0��m mid-infrared quantum well lasers, 光电子．激光, 2018, 第 7 作者
（49） 全光逻辑与门转换效率的研究, Conversion Efficiency of All-optical Logic AND Gates, 通信技术, 2018, 第 5 作者
（50） InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化, Optimization of growth temperatures for InAlAs metamorphic buffers and high indium InGaAs on InP substrate, 红外与毫米波学报, 2018, 第 4 作者
（51） 基于QD-SOA的动态啁啾特性研究, Theoretical Study on Dynamic Chirp Characteristics based on QD-SOA, 通信技术, 2018, 第 5 作者
（52） Speed Characterization of InGaAs/GaAsSb Type-II Quantum Wells PIN Photodiodes, 2018 ASIA COMMUNICATIONS AND PHOTONICS CONFERENCE (ACP), 2018, 第 2 作者
（53） 1.3μm波段InAs/GaAs量子点激光器性能研究, Performance of 1.3��m InAs/GaAs Quantum-Dot Laser, 通信技术, 2018, 第 6 作者
（54） 全光逻辑异或门相位差特性研究, Study on phase difference of all-optical logic XOR gates, 激光技术, 2018, 第 5 作者
（55） 通过晶格失配调节有盖层张应变Ge量子点的光电特性, Tuning the Optoelectronic Properties of Capped Tensile-strained Ge Quantum Dots by Lattice Mismatch, 材料导报, 2018, 第 8 作者
（56） Dynamic model and bandwidth characterization of InGaAs/GaAsSb type-II quantum wells PIN photodiodes, OPTICS EXPRESS, 2018, 第 6 作者
（57） 基于QD—SOA级联XGM与XPM波长转换Q因子特性, Q Factor Characteristics of Wavelength Conversion based on QD- SOA Cascaded Connection XGM and XPM, 通信技术, 2018, 第 5 作者
（58） InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化, Optimization of growth temperatures for InAlAs metamorphic buffers and high indium InGaAs on InP substrate, 红外与毫米波学报, 2018, 第 4 作者
（59） Optimization of growth temperatures for InAlAs metamorphic buffers and high indium InGaAs on InP substrate, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2018, 第 4 作者
（60） Comparison of external electric and magnetic fields effect on binding energy of hydrogenic donor impurity in different shaped quantum wells, EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B, 2018, 第 3 作者
（61） Optical properties of beryllium-doped GaSb epilayers grown on GaAs substrate, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 第 5 作者
（62） Electron beam lithography on uneven resist for uniform Bragg gratings in GaSb based distributed-feedback laser, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2018, 第 5 作者 通讯作者
（63） External electric field effect on the binding energy of a hydrogenic donor impurity in InGaAsP/InP concentric double quantum rings, INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2018, 第 3 作者
（64） Improved performance of In(0.83)Ga(0)A(7)As/InP photodetectors through modifying the position of In0.66Ga0.34As/InAs superlattice electron barrier, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 第 6 作者
（65） 外场对InPBi量子阱中激子结合能的影响, Effect of external field on exciton binding energy in InPBi quantum well, 量子电子学报, 2017, 第 6 作者
（66） Facile synthesis of highly graphitized nitrogen-doped carbon dots and carbon sheets with solid-state white-light emission, MATERIALS LETTERS, 2017,
（67） Electronic states in low-dimensional nano-structures: Comparison between the variational and plane wave basis method, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017, 第 3 作者
（68） 量子点半导体光放大器的波长转换效率, Wavelength Conversion Efficiency of Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier, 光学学报, 2017, 第 5 作者
（69） Annealing effect of the InAs dot-in-well structure grown by MBE, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 第 7 作者 通讯作者
（70） InP-based pseudomorphic InAs/InGaAs triangular quantum well lasers with bismuth surfactant., APPLIED OPTICS, 2017,
（71） Cd1-xMnxTe/CdTe量子阱中电子-LO声子散射率, Electron-LO phonon scattering rate in Cd1-xMnxTe/CdTe quantum well, 量子电子学报, 2017, 第 5 作者
（72） External cavity lasers using stripe mirrors with different mirror width, JOURNAL OF MODERN OPTICS, 2017, 第 3 作者 通讯作者
（73） Relative intensity noise of InAs quantum dot lasers epitaxially grown on Ge, OPTICS EXPRESS, 2017, 第 5 作者 通讯作者
（74） Influence of GaAsBi Matrix on Optical and Structural Properties of InAs Quantum Dots., NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2016, 第 7 作者 通讯作者
（75） 大范围连续调谐的InAs/InP（100）外腔量子点激光器, 光电子·激光, 2016, 第 6 作者
（76） 基于单端QD-SOA波长转换增益恢复特性研究, Study on gain recovery time of wavelength conversionbased on single-port-coupled QD-SOA, 激光技术, 2016, 第 5 作者
（77） Influence of doping in inp buffer on photoluminescence behavior of inpbi, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 6 作者 通讯作者
（78） Detailed Study of the Influence of InGaAs Matrix on the Strain Reduction in the InAs Dot-In-Well Structure., NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2016, 第 6 作者 通讯作者
（79） GaInAsP/InP阶梯量子阱中电子-电子的散射率, Electron-electron Scattering Rate in GaInAsP/InP Stepped Quantum Well, 发光学报, 2016, 第 5 作者
（80） 基于量子点光放大器波长转换的啁啾特性研究, Theoretical study on chirp of wavelength conversion based on QD-SOA, 激光技术, 2016, 第 4 作者
（81） 气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心, Deep Centers in InPBi Thin Film Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy, 发光学报, 2016, 第 9 作者
（82） 量子点半导体光放大器波长转换的Q因子特性, Q Factor Characteristics of Wavelength Conversion Based on Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifiers, 发光学报, 2016, 第 5 作者
（83） Growth and material properties of InPBi thin films using gas source molecular beam epitaxy, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 第 8 作者
（84） The electron-longitudinal optical phonon scattering rate in GaInAsP/InP stepped quantum well, INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2016, 第 5 作者
（85） Heteroepitaxy growth of GaAsBi on Ge(100) substrates by gas source molecular beam epitaxy, Applied Physics Express, 2016, 第 1 作者 通讯作者
（86） 基于QD-SOA光判决门的研究, Optical Decision Gate based on QD-SOA, 通信技术, 2016, 第 5 作者
（87） 基于QD-SOA-MZI结构的全光逻辑门的性能优化, Performance Optimization of All Optical Logic Gates based on QD-SOA-MZI Structure, 通信技术, 2016, 第 5 作者
（88） Heteroepitaxy growth of GaAsBi on Ge(100) substrate by gas source molecular beam epitaxy, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 第 6 作者 通讯作者
（89） External electric field effect on exciton binding energy in InGaAsP/InP cylindrical quantum wires, PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2016, 第 3 作者
（90） Highly luminescent carbon nanoparticles as yellow emission conversion phosphors, MATERIALS LETTERS, 2015, 第 3 作者
（91） InAs/GaAs量子点激光器的增益和线宽展宽因子, Gain and Linewidth Enhancement Factor of InAs/GaAs Quantum-dot Laser Diodes, 发光学报, 2015, 第 6 作者
（92） A wireless remote high-power laser device for optogenetics experiments, Laser Physics, 2015, 第 1 作者 通讯作者
（93） Analysis of mode-hop free tuning of folded cavity grating feedback lasers, APPLIED OPTICS, 2015, 第 2 作者 通讯作者
（94） A facile and transfer-free path for template-less synthesis of carbon nanosheets, MATERIALS LETTERS, 2015,
（95） InAs/InP量子点激光器中欧姆接触合金层特性研究, Characteristic study of ohmic contact alloy layer in InAs/InP quantum dot lasers, 光电子·激光, 2015, 第 2 作者
（96） Wavelength tuning of InAs quantum dot laser by micromirror device, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015,
（97） Highly luminescence carbon nanoparticles as yellow emission conversion phosphors, Materials Letters, 2015, 第 1 作者
（98） A Novel Method to Measure the Internal Quantum Efficiency and Optical Loss of Laser Diodes, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2015,
（99） Junction-Temperature Measurement in InAs/InP(100) Quantum-Dot Lasers, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 2 作者
（100） Raman spectroscopy of epitaxial topological insulator bi2te3 thin films on gan substrates, MODERN PHYSICS LETTERS B, 2015, 第 3 作者
（101） Cd_（1-x）Mn_xTe/CdTe拋物量子阱内激子结合能研究, Binding energies of excitons in symmetrical Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe parabolic quantum well, 量子电子学报, 2015, 第 3 作者
（102） Novel InGaPBi single crystal grown by molecular beam epitaxy, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2015, 第 9 作者
（103） Raman scattering studies of dilute InP1-xBix alloys reveal unusually strong oscillator strength for Bi-induced modes, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015, 第 13 作者
（104） Investigation to the deep center related properties of low temperature grown InPBi with Hall and photoluminescence, AIP ADVANCES, 2015, 第 6 作者
（105） Vibrational properties of epitaxial Bi4Te3 films as studied by Raman spectroscopy, AIP ADVANCES, 2015, 第 7 作者
（106） A new route toward light emission from Ge: tensile-strained quantum dots, NANOSCALE, 2015, 第 7 作者
（107） Mobility enhancement in tensile-strained Ge grown on InAlP metamorphic templates, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 第 2 作者
（108） 采用InGaP和InAlP作为虚衬底的张应变Ge薄膜的材料性质比较, Property Comparison of Tensile-strained Ge Films on Metamorphic InGaP and InAlP Templates, 材料科学与工程学报, 2014, 第 2 作者
（109） 高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器, High performance InAs/GaAs quantum dot external cavity lasers, 光电子·激光, 2014, 第 3 作者
（110） Template-less synthesis of hollow carbon nanospheres for white light-emitting diodes, MATERIALS LETTERS, 2014,
（111） A novel semiconductor compatible path for nano-graphene synthesis using CBr4 precursor and Ga catalyst., SCIENTIFIC REPORTS, 2014,
（112） Raman enhancement by graphene-Ga2O3 2D bilayer film., NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2014, 第 6 作者
（113） Refined sectionalized method of QD-SOA, OPTIK, 2014, 第 3 作者
（114） Structural and optical characterizations of InPBi thin films grown by molecular beam epitaxy., NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2014, 第 8 作者 通讯作者
（115） Chemical vapor deposition of graphene on liquid metal catalysts, CARBON, 2013, 第 4 作者
（116） 基于DMD的外腔量子点激光器性能研究, Performance of a quantum-dot external-cavity laser based on digital micro-mirror device, 光电子·激光, 2013, 第 3 作者
（117） High Intensity Single-Mode Peak Observed in the Lasing Spectrum of InAs/GaAs Quantum Dot Laser, High Intensity Single-Mode Peak Observed in the Lasing Spectrum of InAs/GaAs Quantum Dot Laser, Chinese Physics Letters, 2013, 第 2 作者
（118） High-performance InAs/GaAs quantum dot laser with dot layers grown at 425��C, CHINESE OPTICS LETTERS, 2013, 第 2 作者
（119） 外加电场对GaN/AlxGa1-xN双量子阱中性施主束缚能的影响, Influence of electric field on binding energy of neutral donor in symmetrical GaN/AlxGa1-xN double quantum wells, 量子电子学报, 2013, 第 3 作者
（120） GaInAsP /InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能, Binding energy of hydrogenic donor impurity in GaInAsP /InP stepped quantum well, 量子电子学报, 2013, 第 3 作者
（121） 外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响, External electric field effect on exciton binding energy in InGaAsP/InP quantum wells, 物理学报, 2013, 第 3 作者
（122） 外腔反馈对量子点激光器输出特性的影响, Influence of External Cavity Feedback on The Output Characteristics of Quantum-dot Lasers, 发光学报, 2013, 第 4 作者
（123） High-performance InAs/GaAs quantum dot laser with dot layers grown at 425 degrees C, CHINESE OPTICS LETTERS, 2013, 第 2 作者
（124） Ga_（1-x）In_xN_yAs_（1-y）/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率, Electron-LO phonon scattering in Ga_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)/GaAs quantum well, ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 第 4 作者
（125） External electric field effect on exciton binding energy in InGaAsP/InP quantum wells, ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 第 3 作者
（126） Electron-LO phonon scattering in Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs quantum well, ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 第 4 作者
（127） Optical investigation of InAs/InP(100) quantum dots grown by gas source molecular beam epitaxy, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2012,
（128） Morphology and shape dependent characteristics of InAs/InP(100) quantum dot lasers grown by gas source molecular beam epitaxy, Physica E, 2012, 第 1 作者
（129） Low-temperature characteristics of two-color InAs/InP quantum dots laser, CHINESE OPTICS LETTERS, 2012, 第 2 作者
（130） Measurements of I-V characteristic in InAs/InP quantum dot laser diode, Journal of Modern Optics, 2012, 第 1 作者
（131） 基于ZigBee远程控制的激光光源系统, Remote-Control Laser Source System based on ZigBee, 通信技术, 2012, 第 3 作者
（132） InAs/InP量子点激光器制备工艺研究, Fabricating technique of InAs/InP quantum dot lasers, 光电子．激光, 2012, 第 2 作者
（133） 1.5mm腔长InAs/InP量子点激光器镜面外腔光谱特性研究, 半导体光电, 2012, 第 2 作者
（134） Low-temperature characteristics of two-color InAs/InP quantum dots laser, Low-temperature characteristics of two-color InAs/InP quantum dots laser, 中国光学快报(英文版), 2012, 第 2 作者
（135） Temperature dependent lasing characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2012,
（136） Multicolor InAs/InP(100) Quantum Dot Laser, Multicolor InAs/InP(100) Quantum Dot Laser, Chinese Physics Letters, 2011, 第 2 作者
（137） The I-V characteristics of InAs/GaAs quantum dot laser, PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2011, 第 4 作者
（138） High performance external cavity InAs/InP quantum dot lasers, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011,
（139） Fabrication of Hinged Mirrors Using a Strain-Driven Self-Assembly Method on a GaAs Substrate, Fabrication of Hinged Mirrors Using a Strain-Driven Self-Assembly Method on a GaAs Substrate, Chinese Physics Letters, 2011, 第 4 作者
（140） InAs/GaAs qunatum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epiatxy, J. Cryst. Growth, 2010, 第 1 作者 通讯作者
（141） External electric field effect on the hydrogenic donor impurity in zinc-blende InGaN/GaN cylindrical quantum well wire, PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2010, 第 3 作者
（142） InAs/InP(100) quantum dot laser with high wavelength stability, ELECTRONICS LETTERS, 2010,
（143） 气源分子束外延生长的InAs/InP（100）量子点激光器, InAs/InP (100) Quantum Dot Laser Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy, 半导体技术, 2010, 第 6 作者
（144） InAs/GaAs quantum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2010,
（145） Defect and dope selective of transmission properties of 2D photonic crystal, OPTIK, 2010, 第 2 作者
（146） InAs／GaAs量子点激光器结温研究, Junction-temperature Measurement in InAs/GaAs Quantum-dot Lasers, 半导体光电, 2010, 第 7 作者
（147） Submilliampare threshold 1.3 mu m vertical-cavity surface-emitting lasers, ACTA PHYSICA SINICA, 2009, 第 5 作者
（148） The electric field effect on binding energy of hydrogenic impurity in zinc-blende GaN/AlxGa1-xN spherical quantum dot, PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2009, 第 4 作者
（149） Simple and Efficient Near-Infrared Organic Chromophores for Light-Emitting Diodes with Single Electroluminescent Emission above 1000 nm, ADVANCED MATERIALS, 2009, 第 1 作者
（150） Electronic States of a Shallow Hydrogenic Donor Impurity in Different Shaped Semiconductor Quantum Wells, COMMUNICATIONS IN THEORETICAL PHYSICS, 2009, 第 4 作者
（151） External electric field effect on the hydrogenic donor impurity in zinc-blende GaN/AlGaN cylindrical quantum dot, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 第 4 作者
（152） Growth of InAs/GaSb type-II superlattices by gas-source molecular-beam epitaxy, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2009,
（153） Two-color quantum dot laser with tunable wavelength gap, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009,
（154） 亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器, Submilliampare threshold 1.3��m vertical-cavity surface-emitting lasers, 物理学报, 2009, 第 5 作者
（155） Room temperature continuous-wave operation of InAs/InP (100) quantum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008,
（156） 键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器, Fabrication of InAsP/InGaAsP Quantum-Well 1.3��m VCSELs by Direct Wafer-Bonding, 半导体学报, 2008, 第 7 作者
（157） GSMBE生长的非均匀多纵模量子点激光器, Inhomogeneously Multi-Longitudinal-Mode Lasing Quantum-Dot Lasers Grown by GSMBE, 半导体技术, 2008, 第 2 作者
（158） Lasing cavities and ultra-fast switch based on self-collimation of photonic crystal, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2008, 第 3 作者
（159） Bulletlike light pulses in photonic crystals, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 第 2 作者
（160） External electric field elect on hydrogenic donor impurity in zinc-blende InGaN quantum dot, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 第 4 作者
（161） 太赫兹量子级联激光器电极制备中的几个问题, 第11届全国发光学学术会议论文摘要集, 2007, 第 2 作者
（162） Photonic band gap structures in the Thue-Morse lattice, PHYSICAL REVIEW B, 2007, 第 5 作者
（163） 大功率In（Ga）As／GaAs量子点激光器, 半导体学报, 2000, 第 6 作者
（164） 量子点激光器及其应用研究, 高技术通讯, 2000, 第 8 作者
（165） 红光InAlAs量子点的结构和光学性质, 发光学报, 1999, 第 3 作者
（166） GaAs（311）A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性, STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF SELF-ASSEMBLED InAs QUANTUM DOTS GROWN ON GaAs(311) A SUBSTRATE, 物理学报, 1999, 第 3 作者
（167） Red Luminesecnce from Self-Assembled InAlAs/AlGaAs Quantum Dots with Bimodal Size Distribution, Red luminesecnce from self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots with bimodal size distribution, Chinese Physics Letters, 1999, 第 5 作者
（168） InAs量子点的原子力显微镜测试结果分析, 半导体学报, 1999, 第 3 作者
（169） 808nm GaAs／AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制, 半导体学报, 1997, 第 4 作者
（170） 高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性, 半导体学报, 1997, 第 9 作者
（171） MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究, 发光学报, 1997, 第 5 作者
科研活动
科研项目
（ 1 ） 面向规模集成的高效硅基光波导放大器和激光器, 负责人, 国家任务, 2021-12--2024-11
（ 2 ） 超导计算机互连技术, 参与, 中国科学院计划, 2018-02--2022-12
（ 3 ） 2-4μm 室温连续激光器及中远红外探测器研究, 参与, 国家任务, 2017-07--2020-12
（ 4 ） 片上量子点激光器外延技术研究, 负责人, 地方任务, 2017-01--2021-12
（ 5 ） 单片集成硅基量子点激光器的研究, 参与, 国家任务, 2017-01--2020-12
（ 6 ） 大规模光子集成芯片, 参与, 中国科学院计划, 2016-07--2021-07
（ 2 ） 超导计算机互连技术, 参与, 中国科学院计划, 2018-02--2022-12
（ 3 ） 2-4μm 室温连续激光器及中远红外探测器研究, 参与, 国家任务, 2017-07--2020-12
（ 4 ） 片上量子点激光器外延技术研究, 负责人, 地方任务, 2017-01--2021-12
（ 5 ） 单片集成硅基量子点激光器的研究, 参与, 国家任务, 2017-01--2020-12
（ 6 ） 大规模光子集成芯片, 参与, 中国科学院计划, 2016-07--2021-07