基本信息
杨富华  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: fhyang@semi.ac.cn
通信地址: 北京912信箱
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
085400-电子信息
招生方向
MEMS
纳米结构光电子物理与器件
纳米结构光电子物理和器件

教育背景

1993-10--1998-07   法国Paul Sabatier大学   硕士和博士学位
1979-09--1983-07   南开大学   大学/学士

工作经历

   
工作简历
1993-10~1998-07,法国Paul Sabatier大学, 硕士和博士学位
1983-09~2016-08,中国科学半导体研究所, 助理研究员、副研究员、研究员
1979-09~1983-07,南开大学, 大学/学士

教授课程

半导体量子电子器件物理
半导体器件物理
科学前沿进展名家系列讲座III

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 政府特殊津贴专家, , 国家级, 2011
专利成果
( 1 ) 一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: ZL. 201310038944.3
( 2 ) 一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: ZL. 201310511425.4
( 3 ) 基于谐振式微悬臂梁结构的高灵敏生化传感器的制作方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: ZL.201310234239.0
( 4 ) 具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法, 2016, 第 5 作者, 专利号: ZL. 201410031339.8
( 5 ) 太赫兹波探测器, 2017, 第 3 作者, 专利号: ZL.201510029446.1
( 6 ) 基于埋层的垂直结构存储器的制备方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: ZL.201410039896.4
( 7 ) SOI叉指结构衬底Ⅲ-Ⅴ族材料沟道薄膜晶体管及制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: ZL.201510433864.7
( 8 ) 基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: ZL.201510416091.1

出版信息

   
发表论文
(1) A Double-Step Unscented Kalman Filter and HMM-Based Zero-Velocity Update for Pedestrian Dead Reckoning Using MEMS Sensors, IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRIAL ELECTRONICS, 2020, 通讯作者
(2) Observation of hopping transitions for delocalized electrons by temperature-dependent conductance in silicon junctionless nanowire transistors, Chin. Phys. B, 2019, 第 7 作者
(3) Asymmetry Analysis of the Resonance Curve in Resonant Integrated Optical Gyroscopes, sensors, 2019, 第 2 作者
(4) Si-grating-assistedSPRsensorwithhighfigureofmeritbasedonFabry–Pérot cavity, Optics Communications, 2019, 第 5 作者
(5) Enhancing oxidation rate of 4H–SiC by oxygen ion implantation, J Mater Sci, 2019, 通讯作者
(6) Research on Wafer-Level MEMS Packaging with Through-Glass Vias, micromachines, 2018, 通讯作者
(7) High-efficiency photon capturing in ultrathin silicon solar cells with double-sided skewed nanopyramid arrays, Journal of Optics,J. Opt., 2017, 通讯作者
(8) Analysis of Substrate Effect in Field Effect Transistor Terahertz Detectors, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2016, 通讯作者
(9) A low feed-through 3D vacuum packaging technique with silicon vias for RF MEMS resonators, Journal of Micromechanics and Microengineering, 2016, 第 5 作者
(10) A zero-level vacuum encapsulation technique with less parasitic effect for VHF MEMS resonators, Sensors & Actuators: A. Physical, 2016, 第 6 作者
(11) A high accuracy cantilever array sensor for early liver cancer diagnosis, Biomedical Microdevices, 2016, 第 8 作者
(12) Observation of Degenerate One-Dimensional Subbands in-Single n-Channel Junctionless Nanowire Transistors, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 通讯作者
(13) Electron transport behaviors through donor-induced quantum dot array in heavily n-doped junctionless nanowire transistors, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 通讯作者
(14) A novel MEMS electromagnetic actuator with large displacement, Sensors and Actuators A, 2015, 第 4 作者
(15) Frequency Stability of RF-MEMS Disk Resonators, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 第 4 作者
(16) A novel MEMS actuator with large lateral stroke driven by Lorentz force, J. Micromech. Microeng, 2015, 第 4 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) MEMS器件的研发, 主持, 院级, 2016-01--2020-12
( 2 ) 基于光子束调制的跨尺度微纳结构加工与器件应用研究, 参与, 国家级, 2016-07--2021-06