基本信息
陈路 女 博导 中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： chenlu@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 玉田路500号
邮政编码： 200083
电子邮件： chenlu@mail.sitp.ac.cn
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邮政编码： 200083
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体红外敏感材料制备方法和性能评价
雪崩器件模拟与性能测试
雪崩器件模拟与性能测试
教育背景
2000-09--2005-07 中国科学院上海技术物理研究所 博士学位
工作经历
工作简历
2000-09~2005-07,中国科学院上海技术物理研究所, 博士学位
1998-08~2011-07,中国科学院上海技术物理研究所, 课题组长
1998-08~2011-07,中国科学院上海技术物理研究所, 课题组长
专利与奖励
奖励信息
（1） 硅基碲镉汞红外焦平面成像器件技术, 一等奖, 省级, 2017
（2） 推扫成像型碲镉汞红外焦平面组件关键技术及其航天应用, 二等奖, 国家级, 2015
（3） 航天长波红外焦平面组件技术, 一等奖, 省级, 2013
（4） 航天红外焦平面技术研究集体, 一等奖, 部委级, 2013
（5） 碲镉汞2000元长线列红外焦平面, 二等奖, 省级, 2006
（2） 推扫成像型碲镉汞红外焦平面组件关键技术及其航天应用, 二等奖, 国家级, 2015
（3） 航天长波红外焦平面组件技术, 一等奖, 省级, 2013
（4） 航天红外焦平面技术研究集体, 一等奖, 部委级, 2013
（5） 碲镉汞2000元长线列红外焦平面, 二等奖, 省级, 2006
专利成果
（ 1 ） 碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101740662A
（ 2 ） 碲镉汞材料光学激活深能级上载流子弛豫时间的检测方法, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101706428A
（ 3 ） 用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1298022C
（ 2 ） 碲镉汞材料光学激活深能级上载流子弛豫时间的检测方法, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101706428A
（ 3 ） 用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1298022C
出版信息
发表论文
（1） Study on high gain-bandwidth product HgCdTe MWIR electron avalanche photodiodes, Infrared Physics & Technology, 2023,
（2） Research on high gain-bandwidth product mid-wavelength infrared HgCdTe avalanche photodiodes, SPIE, 2023,
（3） Temperature-Dependent Characteristics of HgCdTe Mid-Wave Infrared E-Avalanche Photodiode, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2022, 第 9 作者
（4） 中波碲镉汞雪崩焦平面器件变温特性的数值模拟研究, 红外与毫米波学报, 2021, 第 11 作者
（5） 高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响研究, 红外与毫米波学报, 2021, 第 11 作者
（6） Spatial description theory of narrow-band single-carrier avalanche photodetectors, OPTICS EXPRESS, 2021, 第 7 作者
（7） HgCdTe mid-Infrared photo response enhanced by monolithically integrated meta-lenses, SCIENTIFIC REPORTS, 2020, 第 8 作者
（8） 碲镉汞红外焦平面器件技术进展, Development of technologies for HgCdTe IRFPA, 红外与激光工程, 2020, 第 5 作者
（9） Low frequency noise-dark current correlations in HgCdTe infrared photodetectors, OPTICS EXPRESS, 2020, 第 5 作者
（10） 碲镉汞APD平面型PIN结构仿真设计, Device design of planner PIN HgCdTe avalanche photodiode, 红外与毫米波学报, 2020, 第 4 作者
（11） Low-Frequency Noise Spectroscopy Characterization of HgCdTe Infrared Detectors, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 5 作者
（12） Enhanced Performance of HgCdTe Midwavelength Infrared Electron Avalanche Photodetectors With Guard Ring Designs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 6 作者
（13） Device design of planner PIN HgCdTe avalanche photodiode, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2020, 第 4 作者
（14） Design of a bandgap-engineered barrier-blocking HOT HgCdTe long-wavelength infrared avalanche photodiode, OPTICS EXPRESS, 2020, 第 9 作者
（15） Improved local field model for HgCdTe e-APD, Infrared Physics & Technology, 2019, 第 1 作者
（16） HgCdTe avalanche photodiode FPA, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 8 作者
（17） 碲镉汞APD平面型PIN结构仿真设计研究, 红外毫米波学报, 2019, 第 11 作者
（18） 碲镉汞器件光敏元电容测试与分析, Capacitance Measurement and Analysis ofMercury Cadmium Telluride Photosensitive Elements, 红外技术, 2019, 第 7 作者
（19） The performance of mid-wave infrared HgCdTe e-avalanche photodiodes at SITP, SPIE Proceedings Volume 11170, 14th National Conference on Laser Technology and Optoelectronics (LTO 2019); 111702M (2019), 2019, 第 11 作者
（20） Improved local field model for HgCdTe electron avalanche photodiode, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2019, 第 2 作者
（21） Influencing Sources for Dark Current Transport and Avalanche Mechanisms in Planar and Mesa HgCdTe p-i-n Electron-Avalanche Photodiodes, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 第 4 作者
（22） Dark current mechanism in long-wavelength HgCdTe infrared detectors on alternative substrates, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2017, 第 2 作者
（23） MBE生长碲镉汞的砷掺入与激活, Arsenic doping and activations in HgCdTe by MBE, 红外与毫米波学报, 2017, 第 2 作者
（24） Arsenic doping and activations in HgCdTe by MBE, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2017, 第 2 作者
（25） 替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理, Dark current mechanism in long-wavelength HgCdTe infrared detectors on alternative substrates, 红外与毫米波学报, 2017, 第 2 作者
（26） 面向HgCdTe红外焦平面探测器应用的分子束外延材料研究, 中国科学：物理学力学天文学, 2014, 第 1 作者
（27） 多层HgCdTe异质外延材料的热退火应力分析, Stress effects on multi-heterostructure HgCdTe by thermal annealing, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 3 作者
（28） 多层HgCdTe异质外延材料的热退火应力分析, Stress effects on multi-heterostructure HgCdTe by thermal annealing, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 3 作者
（29） MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管, MBE growth HgCdTe avalanche photodiode based on PIN structure, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 6 作者
（30） MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管, MBE growth HgCdTe avalanche photodiode based on PIN structure, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 6 作者
（31） 同时模式的中波/长波碲镉汞双色红外探测器, Simultaneous mode MW/LW two color HgCdTe infrared detector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012,
（32） Simultaneous mode MW/LW two color HgCdTe infrared detector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 第 4 作者
（33） HgCdTe长波光电二极管列阵的等离子体修饰, HgCdTe long-wavelength photodiode arrays modified with high-density hydrogen plasma, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 第 6 作者
（34） Si基CdTe/HgCdTe分子束外延材料的位错抑制, Dislocation reduction in CdTe/HgCdTe film prepared by MBE on Si substrate, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 6 作者
（35） Si基CdTe/HgCdTe分子束外延材料的位错抑制, Dislocation reduction in CdTe/HgCdTe film prepared by MBE on Si substrate, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 6 作者
（36） HgCdTe mid-wavelength infrared detector with interface passivated by hydrogen implantation, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 6 作者
（37） MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵, HgCdTe photodiode arrays passivated by MBE in-situ grown CdTe film, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011,
（38） MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵, HgCdTe photodiode arrays passivated by MBE in-situ grown CdTe film, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011,
（39） 钝化界面植氢优化的碲镉汞中波红外探测芯片, HgCdTe mid-wavelength infrared detector with interface passivated by hydrogen implantation, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 6 作者
（40） 128 x 128 sw/mw two-color hgcdte irfpas, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2010, 第 5 作者
（41） Backside-illuminated infrared photoluminescence and photoreflectance : Probe of vertical monuniformity of HgCdTe on GaAs, Appl. Phys. Lett., 2010, 第 1 作者
（42） 128×128短波/中波双色红外焦平面探测器, 128��128 SW/MW TWO-COLOR HgCdTe IRFPAs, 红外与毫米波学报, 2010, 第 5 作者
（43） Realization of photoreflectance spectroscopy in verey-long wave infrared of up to 20 ��m, 2009, 第 1 作者
（44） Impurity Activation in MBE-Grown As-Doped HgCdTe by Modulated Photoluminescence Spectra, Impurity Activation in MBE-Grown As-Doped HgCdTe by Modulated Photoluminescence Spectra, 中国物理快报：英文版, 2009, 第 2 作者
（45） 长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件, LONG-WAVE INFRARED 2048-ELEMENTS LINEAR HgCdTe FOCAL PLANE ARRAY, 红外与毫米波学报, 2009, 第 10 作者
（46） 分子束外延P型Hg（1-x）CdxTe少子寿命的研究, Minority Carrier Lifetime in P-type Hg(1-x)CdxTe Grown by MBE, 人工晶体学报, 2007, 第 4 作者
（47） Si基HgCdTe材料的电学特性研究, Study of Si-substrate HgCdTe Electrical Properties, 激光与红外, 2007, 第 4 作者
（48） Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延材料的生长与性能分析, LPE Growth and Characterization of HgCdTe on Si Based Substrate, 半导体学报, 2007, 第 5 作者
（49） MBE HgCdTe on Si and GaAs substrates, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007,
（50） 束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷, Study of Surface Defects Induced by Impurities from Mercury Source on MBE-grown HgCdTe Epilayers, 激光与红外, 2007, 第 7 作者
（51） 碲镉汞As掺杂技术研究, 激光与红外, 2006, 第 1 作者
（52） Si基大面积碲镉汞分子束外延研究, 激光与红外, 2006, 第 2 作者
（53） Heteroepitaxy of CdTe on tilting Si(211) substrates by MBE, J. Crystal Growth, 2006, 第 1 作者
（54） 在Si（211）衬底上分子束外延CdTe的剪切应变, Shear strain in MBE grown CdTe films on Si(211) substrates, 红外与激光工程, 2006, 第 2 作者
（55） MBE HgCdTe: A challenge towards to the realization of third GEN infrared FPAs, Chinese Journal of Semiconductors, 2006,
（56） 应对第三代红外焦平面技术挑战的HgCdTe分子束外延, MBE HgCdTe.A Challenge to the Realization of Third Generation Infrared FPAs, 半导体学报, 2006, 第 2 作者
（57） 应对第三代红外焦平面技术挑战的HgCdTe分子束外延, MBE HgCdTe.A Challenge to the Realization of Third Generation Infrared FPAs, 半导体学报, 2006, 第 2 作者
（58） 在Si（211）衬底上分子束外延CdTe的晶格应变, Lattice Strain in MBE Grown CdTe Films on Si(211) Substrates, 激光与红外, 2005, 第 2 作者
（59） MBE growth of CdTe(211)B composite substrates on Silicon, J. Infrared Millim. Waves, 2005, 第 1 作者
（60） Si基CdTe复合衬底分子束外延研究, Mbe Growth of Si/CdTe( 211 ) Composite Substrates, 激光与红外, 2005, 第 1 作者
（61） 在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变, Lattice Strain in MBE Grown CdTe Films on Si and GaAs Substrates, 人工晶体学报, 2005, 第 2 作者
（62） Si和GaAs衬底上的ZnTe、CdTe分子束外延材料的晶向倾角, Tilted Angels of ZnTe and CdTe Epilayers Grown on Si(211) and GaAs ( 211 ) B Substrates by MBE, 人工晶体学报, 2005, 第 2 作者
（63） MBE growth of Si/CdTe(211)B composite substrates, Laser and Infrared, 2005, 第 1 作者
（64） 分子束外延HgCdTe薄膜As掺杂P型激活研究, 红外与毫米波学报, 2005, 第 4 作者
（65） ZnCdTe衬底上HgCdTe分子束外延的位错密度, Dislocation Density of MBE Grown ZnCdTe on HgCdTe Substrates, 固体电子学研究与进展, 2002, 第 3 作者
（66） 用Si作衬底的碲镉汞分子束外延研究, 红外, 2002, 第 1 作者
（67） 分子束外延长3英寸HgCdTe晶片, 红外与毫米波学报, 2002, 第 1 作者
（68） 采用ZnCdTe衬底的MBE Hg1—xCdxTe位错密度研究, 红外与毫米波学报, 2002, 第 3 作者
（69） HgCdTe分子束外延In原子的掺杂特性, Indium Doping in MBE Grown HgCdTe, 固体电子学研究与进展, 2002,
（70） HgCdTe分子束外延In掺杂研究, 红外与毫米波学报, 2001, 第 3 作者
（71） 分子束外延HgCdTe表面缺陷研究, 红外与毫米波学报, 2001, 第 1 作者
（2） Research on high gain-bandwidth product mid-wavelength infrared HgCdTe avalanche photodiodes, SPIE, 2023,
（3） Temperature-Dependent Characteristics of HgCdTe Mid-Wave Infrared E-Avalanche Photodiode, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2022, 第 9 作者
（4） 中波碲镉汞雪崩焦平面器件变温特性的数值模拟研究, 红外与毫米波学报, 2021, 第 11 作者
（5） 高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响研究, 红外与毫米波学报, 2021, 第 11 作者
（6） Spatial description theory of narrow-band single-carrier avalanche photodetectors, OPTICS EXPRESS, 2021, 第 7 作者
（7） HgCdTe mid-Infrared photo response enhanced by monolithically integrated meta-lenses, SCIENTIFIC REPORTS, 2020, 第 8 作者
（8） 碲镉汞红外焦平面器件技术进展, Development of technologies for HgCdTe IRFPA, 红外与激光工程, 2020, 第 5 作者
（9） Low frequency noise-dark current correlations in HgCdTe infrared photodetectors, OPTICS EXPRESS, 2020, 第 5 作者
（10） 碲镉汞APD平面型PIN结构仿真设计, Device design of planner PIN HgCdTe avalanche photodiode, 红外与毫米波学报, 2020, 第 4 作者
（11） Low-Frequency Noise Spectroscopy Characterization of HgCdTe Infrared Detectors, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 5 作者
（12） Enhanced Performance of HgCdTe Midwavelength Infrared Electron Avalanche Photodetectors With Guard Ring Designs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 6 作者
（13） Device design of planner PIN HgCdTe avalanche photodiode, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2020, 第 4 作者
（14） Design of a bandgap-engineered barrier-blocking HOT HgCdTe long-wavelength infrared avalanche photodiode, OPTICS EXPRESS, 2020, 第 9 作者
（15） Improved local field model for HgCdTe e-APD, Infrared Physics & Technology, 2019, 第 1 作者
（16） HgCdTe avalanche photodiode FPA, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 8 作者
（17） 碲镉汞APD平面型PIN结构仿真设计研究, 红外毫米波学报, 2019, 第 11 作者
（18） 碲镉汞器件光敏元电容测试与分析, Capacitance Measurement and Analysis ofMercury Cadmium Telluride Photosensitive Elements, 红外技术, 2019, 第 7 作者
（19） The performance of mid-wave infrared HgCdTe e-avalanche photodiodes at SITP, SPIE Proceedings Volume 11170, 14th National Conference on Laser Technology and Optoelectronics (LTO 2019); 111702M (2019), 2019, 第 11 作者
（20） Improved local field model for HgCdTe electron avalanche photodiode, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2019, 第 2 作者
（21） Influencing Sources for Dark Current Transport and Avalanche Mechanisms in Planar and Mesa HgCdTe p-i-n Electron-Avalanche Photodiodes, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 第 4 作者
（22） Dark current mechanism in long-wavelength HgCdTe infrared detectors on alternative substrates, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2017, 第 2 作者
（23） MBE生长碲镉汞的砷掺入与激活, Arsenic doping and activations in HgCdTe by MBE, 红外与毫米波学报, 2017, 第 2 作者
（24） Arsenic doping and activations in HgCdTe by MBE, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2017, 第 2 作者
（25） 替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理, Dark current mechanism in long-wavelength HgCdTe infrared detectors on alternative substrates, 红外与毫米波学报, 2017, 第 2 作者
（26） 面向HgCdTe红外焦平面探测器应用的分子束外延材料研究, 中国科学：物理学力学天文学, 2014, 第 1 作者
（27） 多层HgCdTe异质外延材料的热退火应力分析, Stress effects on multi-heterostructure HgCdTe by thermal annealing, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 3 作者
（28） 多层HgCdTe异质外延材料的热退火应力分析, Stress effects on multi-heterostructure HgCdTe by thermal annealing, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 3 作者
（29） MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管, MBE growth HgCdTe avalanche photodiode based on PIN structure, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 6 作者
（30） MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管, MBE growth HgCdTe avalanche photodiode based on PIN structure, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 6 作者
（31） 同时模式的中波/长波碲镉汞双色红外探测器, Simultaneous mode MW/LW two color HgCdTe infrared detector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012,
（32） Simultaneous mode MW/LW two color HgCdTe infrared detector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 第 4 作者
（33） HgCdTe长波光电二极管列阵的等离子体修饰, HgCdTe long-wavelength photodiode arrays modified with high-density hydrogen plasma, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 第 6 作者
（34） Si基CdTe/HgCdTe分子束外延材料的位错抑制, Dislocation reduction in CdTe/HgCdTe film prepared by MBE on Si substrate, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 6 作者
（35） Si基CdTe/HgCdTe分子束外延材料的位错抑制, Dislocation reduction in CdTe/HgCdTe film prepared by MBE on Si substrate, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 6 作者
（36） HgCdTe mid-wavelength infrared detector with interface passivated by hydrogen implantation, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 6 作者
（37） MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵, HgCdTe photodiode arrays passivated by MBE in-situ grown CdTe film, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011,
（38） MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵, HgCdTe photodiode arrays passivated by MBE in-situ grown CdTe film, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011,
（39） 钝化界面植氢优化的碲镉汞中波红外探测芯片, HgCdTe mid-wavelength infrared detector with interface passivated by hydrogen implantation, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 6 作者
（40） 128 x 128 sw/mw two-color hgcdte irfpas, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2010, 第 5 作者
（41） Backside-illuminated infrared photoluminescence and photoreflectance : Probe of vertical monuniformity of HgCdTe on GaAs, Appl. Phys. Lett., 2010, 第 1 作者
（42） 128×128短波/中波双色红外焦平面探测器, 128��128 SW/MW TWO-COLOR HgCdTe IRFPAs, 红外与毫米波学报, 2010, 第 5 作者
（43） Realization of photoreflectance spectroscopy in verey-long wave infrared of up to 20 ��m, 2009, 第 1 作者
（44） Impurity Activation in MBE-Grown As-Doped HgCdTe by Modulated Photoluminescence Spectra, Impurity Activation in MBE-Grown As-Doped HgCdTe by Modulated Photoluminescence Spectra, 中国物理快报：英文版, 2009, 第 2 作者
（45） 长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件, LONG-WAVE INFRARED 2048-ELEMENTS LINEAR HgCdTe FOCAL PLANE ARRAY, 红外与毫米波学报, 2009, 第 10 作者
（46） 分子束外延P型Hg（1-x）CdxTe少子寿命的研究, Minority Carrier Lifetime in P-type Hg(1-x)CdxTe Grown by MBE, 人工晶体学报, 2007, 第 4 作者
（47） Si基HgCdTe材料的电学特性研究, Study of Si-substrate HgCdTe Electrical Properties, 激光与红外, 2007, 第 4 作者
（48） Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延材料的生长与性能分析, LPE Growth and Characterization of HgCdTe on Si Based Substrate, 半导体学报, 2007, 第 5 作者
（49） MBE HgCdTe on Si and GaAs substrates, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007,
（50） 束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷, Study of Surface Defects Induced by Impurities from Mercury Source on MBE-grown HgCdTe Epilayers, 激光与红外, 2007, 第 7 作者
（51） 碲镉汞As掺杂技术研究, 激光与红外, 2006, 第 1 作者
（52） Si基大面积碲镉汞分子束外延研究, 激光与红外, 2006, 第 2 作者
（53） Heteroepitaxy of CdTe on tilting Si(211) substrates by MBE, J. Crystal Growth, 2006, 第 1 作者
（54） 在Si（211）衬底上分子束外延CdTe的剪切应变, Shear strain in MBE grown CdTe films on Si(211) substrates, 红外与激光工程, 2006, 第 2 作者
（55） MBE HgCdTe: A challenge towards to the realization of third GEN infrared FPAs, Chinese Journal of Semiconductors, 2006,
（56） 应对第三代红外焦平面技术挑战的HgCdTe分子束外延, MBE HgCdTe.A Challenge to the Realization of Third Generation Infrared FPAs, 半导体学报, 2006, 第 2 作者
（57） 应对第三代红外焦平面技术挑战的HgCdTe分子束外延, MBE HgCdTe.A Challenge to the Realization of Third Generation Infrared FPAs, 半导体学报, 2006, 第 2 作者
（58） 在Si（211）衬底上分子束外延CdTe的晶格应变, Lattice Strain in MBE Grown CdTe Films on Si(211) Substrates, 激光与红外, 2005, 第 2 作者
（59） MBE growth of CdTe(211)B composite substrates on Silicon, J. Infrared Millim. Waves, 2005, 第 1 作者
（60） Si基CdTe复合衬底分子束外延研究, Mbe Growth of Si/CdTe( 211 ) Composite Substrates, 激光与红外, 2005, 第 1 作者
（61） 在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变, Lattice Strain in MBE Grown CdTe Films on Si and GaAs Substrates, 人工晶体学报, 2005, 第 2 作者
（62） Si和GaAs衬底上的ZnTe、CdTe分子束外延材料的晶向倾角, Tilted Angels of ZnTe and CdTe Epilayers Grown on Si(211) and GaAs ( 211 ) B Substrates by MBE, 人工晶体学报, 2005, 第 2 作者
（63） MBE growth of Si/CdTe(211)B composite substrates, Laser and Infrared, 2005, 第 1 作者
（64） 分子束外延HgCdTe薄膜As掺杂P型激活研究, 红外与毫米波学报, 2005, 第 4 作者
（65） ZnCdTe衬底上HgCdTe分子束外延的位错密度, Dislocation Density of MBE Grown ZnCdTe on HgCdTe Substrates, 固体电子学研究与进展, 2002, 第 3 作者
（66） 用Si作衬底的碲镉汞分子束外延研究, 红外, 2002, 第 1 作者
（67） 分子束外延长3英寸HgCdTe晶片, 红外与毫米波学报, 2002, 第 1 作者
（68） 采用ZnCdTe衬底的MBE Hg1—xCdxTe位错密度研究, 红外与毫米波学报, 2002, 第 3 作者
（69） HgCdTe分子束外延In原子的掺杂特性, Indium Doping in MBE Grown HgCdTe, 固体电子学研究与进展, 2002,
（70） HgCdTe分子束外延In掺杂研究, 红外与毫米波学报, 2001, 第 3 作者
（71） 分子束外延HgCdTe表面缺陷研究, 红外与毫米波学报, 2001, 第 1 作者
科研活动
科研项目
（ 1 ） 碲镉汞线性雪崩焦平面, 负责人, 其他, 2022-01--2025-12
（ 2 ） 线性雪崩焦平面研究, 负责人, 国家任务, 2016-01--2020-12
（ 3 ） Si基碲镉汞材料的缺陷抑制方法研究, 负责人, 中国科学院计划, 2011-01--2012-12
（ 4 ） Si基长波碲镉汞材料技术, 负责人, 国家任务, 2011-01--2015-12
（ 2 ） 线性雪崩焦平面研究, 负责人, 国家任务, 2016-01--2020-12
（ 3 ） Si基碲镉汞材料的缺陷抑制方法研究, 负责人, 中国科学院计划, 2011-01--2012-12
（ 4 ） Si基长波碲镉汞材料技术, 负责人, 国家任务, 2011-01--2015-12
参与会议
（1）Recent progress on HgCdTe by MBE of SITP 2017-11-01
（2）Recent progress on HgCdTe/ZnCdTe by MBE 2016-09-20
（3）e-APD HgCdT 分子束外延材料研究 2015年第11届全国分子束外延会议 2015-08-17
（4）HgCdTe分子束外延材料研究进展及其应用 2013年第10届全国分子束外延会议 2013-08-20
（2）Recent progress on HgCdTe/ZnCdTe by MBE 2016-09-20
（3）e-APD HgCdT 分子束外延材料研究 2015年第11届全国分子束外延会议 2015-08-17
（4）HgCdTe分子束外延材料研究进展及其应用 2013年第10届全国分子束外延会议 2013-08-20