基本信息
陈路  女  博导  中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件: chenlu@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 玉田路500号
邮政编码: 200083

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体红外敏感材料制备方法和性能评价

教育背景

2000-09--2005-07   中国科学院上海技术物理研究所   博士学位
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2000-09~2005-07,中国科学院上海技术物理研究所, 博士学位
1998-08~2011-07,中国科学院上海技术物理研究所, 课题组长
社会兼职
   

教授课程

   

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 碲镉汞2000元长线列红外焦平面, 二等奖, 省级, 2006
专利成果
( 1 ) 用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法 , 2005, 第 2 作者, 专利号: 200410053175.5

出版信息

   
发表论文
(1) The performance of mid-wave infrared HgCdTe e-avalanche photodiodes at SITP, SPIE Proceedings Volume 11170, 14th National Conference on Laser Technology and Optoelectronics (LTO 2019); 111702M (2019), 2019, 第 3 作者
(2) Backside-illuminated infrared photoluminescence and photoreflectance : Probe of vertical monuniformity of HgCdTe on GaAs,  Appl. Phys. Lett., 2010, 第 2 作者
(3)  Realization of photoreflectance spectroscopy in verey-long wave infrared of up to 20 μm, Appl. Phys. Lett, 2009, 第 2 作者
(4) Impurity Activation in MBE-grown As-doped HgCdTe by Modulated photoluminescence spectra,  Chinese Phys.Lett, 2009, 第 2 作者
(5) MBE HgCdTe on Si and GaAs substrates, Journal of Crystal Growth, 2007, 第 2 作者
(6) MBE HgCdTe: A challenge towards to the realization of third GEN infrared FPAs,  Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 第 2 作者
(7) Heteroepitaxy of CdTe on tilting Si(211) substrates by MBE, J. Crystal Growth, 2006, 第 2 作者
(8) MBE growth of Si/CdTe(211)B composite substrates,  Laser and Infrared, 2005, 第 1 作者
(9) MBE growth of CdTe(211)B composite substrates on Silicon, J. Infrared Millim. Waves, 2005, 第 1 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
( 1 ) Si基碲镉汞材料的缺陷抑制方法研究, 主持, 部委级, 2011-01--2012-12
( 2 ) Si基长波碲镉汞材料技术, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12
( 3 ) 线性雪崩焦平面研究, 主持, 国家级, 2016-01--2020-12
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生