080903-微电子学与固体电子学

半导体红外敏感材料制备方法和性能评价
雪崩器件模拟与性能测试

2000-09--2005-07   中国科学院上海技术物理研究所   博士学位

   

2000-09~2005-07,中国科学院上海技术物理研究所, 博士学位
1998-08~2011-07,中国科学院上海技术物理研究所, 课题组长

   

（1） 硅基碲镉汞红外焦平面成像器件技术, 一等奖, 省级, 2017
（2） 推扫成像型碲镉汞红外焦平面组件关键技术及其航天应用, 二等奖, 国家级, 2015
（3） 航天长波红外焦平面组件技术, 一等奖, 省级, 2013
（4） 航天红外焦平面技术研究集体, 一等奖, 部委级, 2013
（5） 碲镉汞2000元长线列红外焦平面, 二等奖, 省级, 2006

（ 1 ） 碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101740662A

（ 2 ） 碲镉汞材料光学激活深能级上载流子弛豫时间的检测方法, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101706428A

（ 3 ） 用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1298022C

   

（1） Temperature-Dependent Characteristics of HgCdTe Mid-Wave Infrared E-Avalanche Photodiode, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2022, 第 9 作者
（2） 中波碲镉汞雪崩焦平面器件变温特性的数值模拟研究, 红外与毫米波学报, 2021, 通讯作者
（3） 高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响研究, 红外与毫米波学报, 2021, 通讯作者
（4） Spatial description theory of narrow-band single-carrier avalanche photodetectors, OPTICS EXPRESS, 2021, 第 7 作者
（5） HgCdTe mid-Infrared photo response enhanced by monolithically integrated meta-lenses, SCIENTIFIC REPORTS, 2020, 第 8 作者
（6） 碲镉汞红外焦平面器件技术进展, Development of technologies for HgCdTe IRFPA, 红外与激光工程, 2020, 第 5 作者
（7） Low frequency noise-dark current correlations in HgCdTe infrared photodetectors, OPTICS EXPRESS, 2020, 第 5 作者
（8） 碲镉汞APD平面型PIN结构仿真设计, Device design of planner PIN HgCdTe avalanche photodiode, 红外与毫米波学报, 2020, 第 4 作者
（9） Low-Frequency Noise Spectroscopy Characterization of HgCdTe Infrared Detectors, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 5 作者
（10） Enhanced Performance of HgCdTe Midwavelength Infrared Electron Avalanche Photodetectors With Guard Ring Designs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 6 作者
（11） Device design of planner PIN HgCdTe avalanche photodiode, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2020, 第 4 作者
（12） Design of a bandgap-engineered barrier-blocking HOT HgCdTe long-wavelength infrared avalanche photodiode, OPTICS EXPRESS, 2020, 第 9 作者
（13） Improved local field model for HgCdTe e-APD, Infrared Physics & Technology, 2019, 第 1 作者
（14） HgCdTe avalanche photodiode FPA, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 8 作者
（15） 碲镉汞APD平面型PIN结构仿真设计研究, 红外毫米波学报, 2019, 通讯作者
（16） 碲镉汞器件光敏元电容测试与分析, Capacitance Measurement and Analysis ofMercury Cadmium Telluride Photosensitive Elements, 红外技术, 2019, 第 7 作者
（17） The performance of mid-wave infrared HgCdTe e-avalanche photodiodes at SITP, SPIE Proceedings Volume 11170, 14th National Conference on Laser Technology and Optoelectronics (LTO 2019); 111702M (2019), 2019, 通讯作者
（18） Improved local field model for HgCdTe electron avalanche photodiode, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2019, 第 2 作者
（19） Influencing Sources for Dark Current Transport and Avalanche Mechanisms in Planar and Mesa HgCdTe p-i-n Electron-Avalanche Photodiodes, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 第 4 作者
（20） Dark current mechanism in long-wavelength HgCdTe infrared detectors on alternative substrates, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2017, 第 2 作者
（21） MBE生长碲镉汞的砷掺入与激活, Arsenic doping and activations in HgCdTe by MBE, 红外与毫米波学报, 2017, 第 2 作者
（22） Arsenic doping and activations in HgCdTe by MBE, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2017, 第 2 作者
（23） 替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理, Dark current mechanism in long-wavelength HgCdTe infrared detectors on alternative substrates, 红外与毫米波学报, 2017, 第 2 作者
（24） 面向HgCdTe红外焦平面探测器应用的分子束外延材料研究, 中国科学：物理学力学天文学, 2014, 第 1 作者
（25） 多层HgCdTe异质外延材料的热退火应力分析, Stress effects on multi-heterostructure HgCdTe by thermal annealing, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 3 作者
（26） 多层HgCdTe异质外延材料的热退火应力分析, Stress effects on multi-heterostructure HgCdTe by thermal annealing, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 3 作者
（27） MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管, MBE growth HgCdTe avalanche photodiode based on PIN structure, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 6 作者
（28） MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管, MBE growth HgCdTe avalanche photodiode based on PIN structure, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 6 作者
（29） 同时模式的中波/长波碲镉汞双色红外探测器, Simultaneous mode MW/LW two color HgCdTe infrared detector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 
（30） Simultaneous mode MW/LW two color HgCdTe infrared detector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 第 4 作者
（31） HgCdTe长波光电二极管列阵的等离子体修饰, HgCdTe long-wavelength photodiode arrays modified with high-density hydrogen plasma, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 第 6 作者
（32） Si基CdTe/HgCdTe分子束外延材料的位错抑制, Dislocation reduction in CdTe/HgCdTe film prepared by MBE on Si substrate, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 6 作者
（33） Si基CdTe/HgCdTe分子束外延材料的位错抑制, Dislocation reduction in CdTe/HgCdTe film prepared by MBE on Si substrate, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 6 作者
（34） HgCdTe mid-wavelength infrared detector with interface passivated by hydrogen implantation, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 6 作者
（35） MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵, HgCdTe photodiode arrays passivated by MBE in-situ grown CdTe film, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 
（36） MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵, HgCdTe photodiode arrays passivated by MBE in-situ grown CdTe film, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 
（37） 钝化界面植氢优化的碲镉汞中波红外探测芯片, HgCdTe mid-wavelength infrared detector with interface passivated by hydrogen implantation, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 6 作者
（38） 128 x 128 sw/mw two-color hgcdte irfpas, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2010, 第 5 作者
（39） Backside-illuminated infrared photoluminescence and photoreflectance : Probe of vertical monuniformity of HgCdTe on GaAs, Appl. Phys. Lett., 2010, 第 1 作者
（40） 128×128短波/中波双色红外焦平面探测器, 128×128 SW/MW TWO-COLOR HgCdTe IRFPAs, 红外与毫米波学报, 2010, 第 5 作者
（41） Realization of photoreflectance spectroscopy in verey-long wave infrared of up to 20 μm, 2009, 第 1 作者
（42） Impurity Activation in MBE-Grown As-Doped HgCdTe by Modulated Photoluminescence Spectra, Impurity Activation in MBE-Grown As-Doped HgCdTe by Modulated Photoluminescence Spectra, 中国物理快报：英文版, 2009, 第 2 作者
（43） 长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件, LONG-WAVE INFRARED 2048-ELEMENTS LINEAR HgCdTe FOCAL PLANE ARRAY, 红外与毫米波学报, 2009, 第 10 作者
（44） 分子束外延P型Hg（1-x）CdxTe少子寿命的研究, Minority Carrier Lifetime in P-type Hg(1-x)CdxTe Grown by MBE, 人工晶体学报, 2007, 第 4 作者
（45） Si基HgCdTe材料的电学特性研究, Study of Si-substrate HgCdTe Electrical Properties, 激光与红外, 2007, 第 4 作者
（46） Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延材料的生长与性能分析, LPE Growth and Characterization of HgCdTe on Si Based Substrate, 半导体学报, 2007, 第 5 作者
（47） MBE HgCdTe on Si and GaAs substrates, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 
（48） 束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷, Study of Surface Defects Induced by Impurities from Mercury Source on MBE-grown HgCdTe Epilayers, 激光与红外, 2007, 第 7 作者
（49） 碲镉汞As掺杂技术研究, 激光与红外, 2006, 第 1 作者
（50） Si基大面积碲镉汞分子束外延研究, 激光与红外, 2006, 第 2 作者
（51） Heteroepitaxy of CdTe on tilting Si(211) substrates by MBE, J. Crystal Growth, 2006, 第 1 作者
（52） 在Si（211）衬底上分子束外延CdTe的剪切应变, Shear strain in MBE grown CdTe films on Si(211) substrates, 红外与激光工程, 2006, 第 2 作者
（53） MBE HgCdTe: A challenge towards to the realization of third GEN infrared FPAs, Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 
（54） 应对第三代红外焦平面技术挑战的HgCdTe分子束外延, MBE HgCdTe.A Challenge to the Realization of Third Generation Infrared FPAs, 半导体学报, 2006, 第 2 作者
（55） 应对第三代红外焦平面技术挑战的HgCdTe分子束外延, MBE HgCdTe.A Challenge to the Realization of Third Generation Infrared FPAs, 半导体学报, 2006, 第 2 作者
（56） 在Si（211）衬底上分子束外延CdTe的晶格应变, Lattice Strain in MBE Grown CdTe Films on Si(211) Substrates, 激光与红外, 2005, 第 2 作者
（57） MBE growth of CdTe(211)B composite substrates on Silicon, J. Infrared Millim. Waves, 2005, 第 1 作者
（58） Si基CdTe复合衬底分子束外延研究, Mbe Growth of Si/CdTe( 211 ) Composite Substrates, 激光与红外, 2005, 第 1 作者
（59） 在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变, Lattice Strain in MBE Grown CdTe Films on Si and GaAs Substrates, 人工晶体学报, 2005, 第 2 作者
（60） Si和GaAs衬底上的ZnTe、CdTe分子束外延材料的晶向倾角, Tilted Angels of ZnTe and CdTe Epilayers Grown on Si(211) and GaAs ( 211 ) B Substrates by MBE, 人工晶体学报, 2005, 第 2 作者
（61） MBE growth of Si/CdTe(211)B composite substrates, Laser and Infrared, 2005, 第 1 作者
（62） 分子束外延HgCdTe薄膜As掺杂P型激活研究, 红外与毫米波学报, 2005, 第 4 作者
（63） ZnCdTe衬底上HgCdTe分子束外延的位错密度, Dislocation Density of MBE Grown ZnCdTe on HgCdTe Substrates, 固体电子学研究与进展, 2002, 第 3 作者
（64） 用Si作衬底的碲镉汞分子束外延研究, 红外, 2002, 第 1 作者
（65） 分子束外延长3英寸HgCdTe晶片, 红外与毫米波学报, 2002, 第 1 作者
（66） 采用ZnCdTe衬底的MBE Hg1—xCdxTe位错密度研究, 红外与毫米波学报, 2002, 第 3 作者
（67） HgCdTe分子束外延In原子的掺杂特性, Indium Doping in MBE Grown HgCdTe, 固体电子学研究与进展, 2002, 
（68） HgCdTe分子束外延In掺杂研究, 红外与毫米波学报, 2001, 第 3 作者
（69） 分子束外延HgCdTe表面缺陷研究, 红外与毫米波学报, 2001, 第 1 作者

   

（ 1 ） Si基碲镉汞材料的缺陷抑制方法研究, 负责人, 中国科学院计划, 2011-01--2012-12
（ 2 ） Si基长波碲镉汞材料技术, 负责人, 国家任务, 2011-01--2015-12
（ 3 ） 线性雪崩焦平面研究, 负责人, 国家任务, 2016-01--2020-12

（1）Recent progress on HgCdTe by MBE of SITP   2017-11-01
（2）Recent progress on HgCdTe/ZnCdTe by MBE   2016-09-20
（3）e-APD HgCdT 分子束外延材料研究   2015年第11届全国分子束外延会议   2015-08-17
（4）HgCdTe分子束外延材料研究进展及其应用   2013年第10届全国分子束外延会议   2013-08-20