基本信息
郑厚植  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: hzzheng@red.semi.ac.cn
通信地址: 北京市东城区安外东河沿1号楼3单元203室
邮政编码: 100000
部门/实验室:超晶格国家重点实验室

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
070205-凝聚态物理
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
磁性材料与半导体异质界面的自旋调控,半导体中的孤立中心的自旋
基于磁性材料与半导体异质结构的自旋器件

教育背景

   

工作经历

   

教授课程

半导体自旋电子学进展

专利与奖励

   

出版信息

   
发表论文
(1) Electronic structure and exciton shifts in Sb-doped MoS2 monolayer, 2D Materials and Applications, 2019, 第 6 作者
(2) Temperature dependent excitonic transition energies and linewidths of monolayer MoS2 probed by magnetic circular dichroism spectroscopy, Acta Physica Sinica, 2018, 第 11 作者
(3) Valley Zeeman splitting of monolayer MoS2 probed by low-field magnetic circular dichroism spectroscopy at room temperature, Appl Phys Lett, 2018, 第 9 作者
(4) Strong ferromagnetic proximity polarization in ferromagnetic metal MnGa/n-type GaAs quantum well junction, Journal of Physics D-Applied Physics, 2017, 第 11 作者
(5) Spin Dynamics in Ferromagnet/10-nm-Thick N-Type GaAs Quantum Well Junctions, Chinese Physics Letters, 2017, 第 11 作者

科研活动

   

合作情况

   

指导学生