基本信息
郑厚植 男 博导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： hzzheng@red.semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码： 100000
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教授课程
半导体自旋电子学进展
出版信息
发表论文
（1） Electronic structure and exciton shifts in Sb-doped MoS2 monolayer, NPJ 2D MATERIALS AND APPLICATIONS, 2019, 第 6 作者
（2） Valley Zeeman splitting of monolayer MoS2 probed by low-field magnetic circular dichroism spectroscopy at room temperature, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018,
（3） Temperature dependent excitonic transition energies and linewidths of monolayer MoS2 probed by magnetic circular dichroism spectroscopy, ACTA PHYSICA SINICA, 2018, 第 11 作者
（4） Spin Dynamics in Ferromagnet/10-nm-Thick N-Type GaAs Quantum Well Junctions, Spin Dynamics in Ferromagnet/10-nm-Thick N-Type GaAs Quantum Well Junctions, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2017, 第 11 作者
（5） Strong ferromagnetic proximity polarization in ferromagnetic metal MnGa/n-type GaAs quantum well junction, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017, 第 11 作者
（2） Valley Zeeman splitting of monolayer MoS2 probed by low-field magnetic circular dichroism spectroscopy at room temperature, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018,
（3） Temperature dependent excitonic transition energies and linewidths of monolayer MoS2 probed by magnetic circular dichroism spectroscopy, ACTA PHYSICA SINICA, 2018, 第 11 作者
（4） Spin Dynamics in Ferromagnet/10-nm-Thick N-Type GaAs Quantum Well Junctions, Spin Dynamics in Ferromagnet/10-nm-Thick N-Type GaAs Quantum Well Junctions, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2017, 第 11 作者
（5） Strong ferromagnetic proximity polarization in ferromagnetic metal MnGa/n-type GaAs quantum well junction, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017, 第 11 作者