基本信息
陈静 女 博导 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： jchen@mail.sim.ac.cn
通信地址： 上海市长宁路865号
邮政编码： 200050
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
085208-电子与通信工程
招生方向
教育背景
学历
-- 研究生
学位
-- 博士
专利与奖励
专利成果
[1] 任志鹏, 葛浩, 陈静, 吕迎欢, 谢甜甜. 变容二极管漏电电流的建模方法. CN: CN112699629A, 2021-04-23.[2] 任志鹏, 葛浩, 陈静, 吕迎欢, 谢甜甜. 片上电容的建模方法. CN: CN112685983A, 2021-04-20.[3] 陈静, 吕迎欢, 谢甜甜, 王青, 葛浩. 低功耗静态随机存储器单元以及存储器. CN: CN112687308A, 2021-04-20.[4] 陈静, 葛浩, 吕迎欢, 谢甜甜, 王青. 阈值电压的测量方法以及晶圆测试机台. CN: CN112666440A, 2021-04-16.[5] 陈静, 王青, 葛浩, 谢甜甜, 吕迎欢. 构造赝自旋的装置. CN: CN112650472A, 2021-04-13.[6] 陈静, 吕迎欢, 葛浩, 谢甜甜, 王青. 静态随机存储器单元以及存储器. CN: CN112581988A, 2021-03-30.[7] 陈静, 王青, 葛浩, 谢甜甜, 吕迎欢. 随机数发生单元以及随机数发生器. CN: CN112558925A, 2021-03-26.[8] 陈静, 吕迎欢, 葛浩, 谢甜甜, 王青. 抗辐射的静态随机存储器单元以及存储器. CN: CN112562756A, 2021-03-26.[9] 陈静, 葛浩, 田明, 商干兵, 卢剑萍. 全耗尽绝缘体上硅的背栅电压偏置电路. CN: CN112306140A, 2021-02-02.[10] 陈静, 王硕, 王本艳, 柴展, 葛浩. SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法. CN: CN109509507B, 2021-01-05.[11] 陈静, 黄建强, 罗杰馨, 柴展, 吕凯, 何伟伟. 一种SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法. CN: CN107305593B, 2020-12-01.[12] 陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦. 一种SOI MOS器件及其制作方法. CN: CN106952954B, 2020-11-13.[13] 陈静, 吕迎欢, 王硕, 葛浩, 谢甜甜. 一种新型静态存储单元. 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出版信息
发表论文
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