基本信息
左玉华  女  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: yhzuo@semi.ac.cn
通信地址: 北京市912信箱光电子研发中心
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
080901-物理电子学
招生方向
硅基低维材料与光电器件
硅基光电子材料与器件

教育背景

2000-09--2003-06   中科院半导体所   博士
1997-09--2000-06   清华大学材料系   硕士
1992-09--1997-06   清华大学材料系   本科

工作经历

   
工作简历
2019-08~2019-10,挪威能源所, 访问学者
2015-08~2016-03,美国UCLA, 访问学者
2013-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 正研
2005-07~2013-01,中国科学院半导体研究所, 副研
2003-07~2005-07,中科院半导体所, 助研
2000-09~2003-06,中科院半导体所, 博士
1997-09~2000-06,清华大学材料系, 硕士
1992-09~1997-06,清华大学材料系, 本科
社会兼职
2017-04-03-2018-04-08,北京市纳米结构薄膜太阳能工程中心技术委员会委员, 委员

教授课程

材料制备与加工
低维材料制备、表征及应用
新型光伏材料和器件

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 共掺杂的硅基杂质中间带材料, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL 201110102926.8
( 2 ) 非晶硅薄膜中间带材料及其制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 201210088816.5
( 3 ) 一种基于键合技术制作微波传输线的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN20091023709
( 4 ) 半导体纳米线有序阵列分布的制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: 201410289538
( 5 ) 硅基锗激光器及其制备方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN201310342715.0
( 6 ) 背接触式钙钛矿发光二极管, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201910391928.X
( 7 ) 增强紫外波段响应度的硅雪崩光电二极管及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201911210339.3
( 8 ) 钙钛矿太阳电池PN结及其制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: 202011282232.2

出版信息

   
发表论文
(1) Effect of chloride ions concentrations on anti-solvent extraction of quasi-two-dimensional perovskite LED luminescence peak blue shift, Tsinghua Science and Technology, 2020, 通讯作者
(2) Enhanced effect of 1,2-dichlorobenzene on the property of PC61BM and perovskite films for planar heterojunction perovskite solar cells, Organic Electronics, 2020, 通讯作者
(3) A facile method for preparing Yb3+-doped perovskite nanocrystals with ultra-stable near-infrared light emission, RSC Adv., 2020, 通讯作者
(4) Spontaneously conversion from film to High crystalline Quality Stripe during Molecular Beam epitaxy for High Sn content GeSn, Scientific Reports, 2020, 第 8 作者
(5) Epitaxial growth and characterization of Ge1-x-ySnxPby ternary alloys, Journal of Alloys and Compounds, 2020, 第 7 作者
(6) Investigation of lead surface segregation during germanium–lead epitaxial growth, J Mater Sci, 2020, 第 8 作者
(7) Horizontal GeSn/Ge multi-quantum-well ridge waveguide LEDs on silicon substrates, Photonics Research, 2020, 第 7 作者
(8) 56 Gbps high-speed Ge electro-absorption modulator, Photonics Research, 2020, 第 6 作者
(9) Enhanced Efficiency of Carbon- Based Mesoscopic Perovskite Solar Cells through a Tungsten Oxide Nanoparticle Additive in the Carbon Electrode, Scientific Report, 2019, 通讯作者
(10) Fabrication of high-hole-mobility germanium-on-insulator wafers through an easy method, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 第 9 作者
(11) Growth of high-Sn content (28%) GeSn alloy films by sputtering epitaxy, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 第 4 作者
(12) MnO2 Nanoflowers and Reduced Graphene Oxide 3D Composites for Ultrahigh-Energy-Density Asymmetric Supercapacitors, ENERGY TECHNOLOGY, 2018, 第 5 作者
(13) Dual-Emission and Two Charge-Transfer States in Ytterbium-doped Cesium Lead Halide Perovskite Solid Nanocrystals, J. Phys. Chem. C, 2018, 通讯作者
(14) Dual-Emission and Two Charge Transfer States in Ytterbium-Doped Cesium Lead Halide Perovskite Solid Nanocrystals, J. Phys. Chem. C, 2018, 通讯作者
(15) Fabrication of Low-Resistance Ni Ohmic Contacts on n+-Ge1−xSnx, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 第 4 作者
(16) Theoretical Studies on InGaAs/InAlAs SAGCM Avalanche Photodiodes, Nanoscale Research Letters, 2018, 第 5 作者
(17) High gain-bandwidth product Ge/Si tunneling avalanche photodiode with high-frequency tunneling effect, Journal of Semiconductors, 2017, 第 6 作者
(18) All-Inorganic Perovskite Quantum Dot/Mesoporous Tio2 Composite-Based Photodetectors with Enhanced Performance, Dalton Transactions, 2017, 通讯作者
(19) Insight into the Effect of Ligand-exchange on Colloidal CsPbBr3Perovskite Quantum Dot/mesoporous-TiO2 Composite-based Photodetectors: Much Faster Electron Injection, Journal of Materials Chemistry C, 2017, 通讯作者
(20) Numerical Calculation of Strain-N+-Ge1-Xsnx/P+-Delta Ge1-Xsnx/N-Ge1-Y-Zsiysnz/P+-Ge1-Y-Zsiysnz Heterojunction Tunnel Field-Effect Transistor, Japanese Journal of Applied Physics, 2017, 第 5 作者
(21) High-Performance Ball-Milled Siox Anodes for Lithium Ion Batteries, Journal of Power Sources, 2017, 第 5 作者
(22) Influence of H-2 on Strain Evolution of High-Sn-Content Ge1-X Sn (X) Alloys, Journal of Materials Science, 2017, 第 6 作者
(23) Characterization of a Ge1-X-Ysiysnx/Ge1-Xsnx Multiple Quantum Well Structure Grown by Sputtering Epitaxy, Optics Letters, 2017, 第 8 作者
(24) Device simulation of GeSn/GeSiSn pocket n-type tunnel field-effect transistor for analog and RF applications, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017, 第 5 作者
(25) Facile and Efficient Synthesis of a Microsized SiOx/C Core-Shell Composite as Anode Material for Lithium Ion Batteries, ENERGY & FUELS, 2017, 第 6 作者
(26) Hydrogen on the Properties of Titanium Doped Hydrogenated Amorphous Silicon Prepared by Sputtering, Vacuum, 2016, 通讯作者
(27) Defect-Free High Sn-Content Gesn on Insulator Grown by Rapid Melting Growth, Scientific Reports, 2016, 第 7 作者
(28) Temperature Dependent Direct-Bandgap Light Emission and Optical Gain of Ge, Chinese Physics B, 2016, 第 6 作者
(29) High-Performance Lithium-Ion Battery with Nano-Porous Polycrystalline Silicon Particles as Anode, Electrochimica Acta, 2016, 第 5 作者
(30) Gesn P-I-N Photodetectors with Gesn Layer Grown by Magnetron Sputtering Epitaxy, Applied Physics Letters, 2016, 第 7 作者
(31) Doped Hydrogenated Amorphous Si Film with Suitable Resistivity and High Tcr for Microbolometer Applications, Vacuum, 2015, 通讯作者
(32) Enhanced Light Trapping in Periodically Truncated Cone Silicon Nanowire Structure, Journal of Semiconductors, 2015, 通讯作者
(33) Ni(Ge1-X-Ysixsny) Ohmic Contact Formation on P-Type Ge0.86si0.07sn0.07, Ieee Electron Device Letters, 2015, 第 7 作者
(34) Structural, optical and electrical properties of Ti doped amorphous silicon prepared by co-sputtering, Vacuum, 2014, 通讯作者
(35) 单载流子光电探测器的高速及高饱和功率的研究, High-speed and high-power uni-traveling-carrier photodetector, 物理学报, 2012, 通讯作者
(36) 衬底引起的Si/SiO2多层结构中应变问题, Substrate-induced stress in silicon nanocrystal/SiO2 multilayer structure, Chinese Physics B, 2012, 通讯作者
(37) 硅基中间带太阳电池的极限效率计算, Detailed Balance Limit of Efficiency of Silicon Intermediate Band Solar Cells, Chinese Physics B, 2011, 通讯作者
(38) 薄膜硅太阳电池的高效陷光结构, A highly efficient light-trapping structure for thin-film silicon solar cells. , Solar Energy , 2011, 第 2 作者
(39) 高掺杂Ti的SOI基PIN结构的近红外响应, Infrared Response of Lateral PIN Structure of High Titanium Doping Silicon-on-Insulator Material, Chinese Physics B, 2011, 通讯作者
发表著作
( 1 ) 太阳能电池发展现状及提升效率的途径, 科学出版社, 2014-06, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 运用量子尺寸效应和杂质中间带提高硅基太阳电池效率的研究, 主持, 国家级, 2011-01--2014-12
( 2 ) 具有三维径向纳米结构的非晶硅中间带薄膜材料及太阳电池应用的可行性研究, 主持, 国家级, 2014-01--2017-12
( 3 ) 硅基新型低维钙钛矿材料及纳米光电器件应用研究, 主持, 研究所(学校), 2016-06--2017-05
( 4 ) 硅器时代, 主持, 部委级, 2015-01--2015-12
( 5 ) 高灵敏Si 基APD 可靠性研究, 主持, 国家级, 2017-07--2020-06
( 6 ) 新型硅基稀土掺杂近红外激光器研究, 主持, 国家级, 2019-01--2022-12
( 7 ) 面向硅基光电子应用的材料平台, 主持, 国家级, 2020-12--2024-08
参与会议
(1)Reliability of Silicon Avalanche Photodetector in Geiger mode   左玉华   2018-10-01
(2)TRANSPORT MECHANISM OF NOVEL SILICON-RICHED NITRIDE (SRN)/SILICON-RICHED OXIDE (SRO) SUPERLATTICE QUANTUM DOT STRUCTURE   第38届电气电子工程师学会光伏专家会议   Yeliao Tao, Yuhua Zuo*, Jun Zheng, Quan Cao, Tianwei Zhou, Chunlai Xue, Buwen Cheng, Xiangbo Zeng, Qiming Wang   2012-06-02