基本信息
王晓亮  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: xlwang@red.semi.ac.cn
通信地址: 北京海淀清华东路甲35号
邮政编码: 100083
部门/实验室:材料科学重点实验室

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080501-材料物理与化学
085208-电子与通信工程
招生方向
宽禁带半导体信息功能材料的外延生长、物理及器件制备
MOCVD材料生长关键设备研制,GaN基电力电子器件

教育背景

1992-03--1995-10   中科院西安光机所、中科院半导体所   博士
1987-07--1990-07   西北大学、中科院西安光机所   硕士
1980-09--1984-07   西北大学   本科
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2001-09~现在, 中科院半导体所, 研究员
1997-06~2001-09,中科院半导体研究所, 副研究员
1996-01~1998-01,中科院半导体所, 博士后
1992-03~1995-10,中科院西安光机所、中科院半导体所, 博士
1987-07~1990-07,西北大学、中科院西安光机所, 硕士
1984-07~1995-12,西北大学, 讲师
1980-09~1984-07,西北大学, 本科
社会兼职
2015-09-01-今,山东大学“功能晶体及器件教育部重点实验室”学术委员会, 委员
2014-05-26-今,国家安全重大基础研究“石墨烯晶片级材料与毫米波器件基础研究”项目专家组, 专家
2011-01-01-今,中国科学院“北京地区机加工技术服务中心”管理委员会, 委员
2010-01-01-今,中国科学院创新科学仪器研制技术服务中心管理委员会, 委员
2010-01-01-今,西安交通大学“腾飞人才计划”特聘教授, 教授
2009-12-31-今,工信部国防科技奖评审专家委员会, 专家
2007-06-14-今,西安交通大学“电子物理与器件教育部重点实验室”学术会员会, 委员
2007-01-01-今,全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会, 委员
2006-01-01-今,中国电子学会半导体集成技术分会, 秘书长
2006-01-01-今,中国电子学会, 理事
2002-06-27-今,西安交通大学, 兼职教授

教授课程

宽禁带半导体电子器件
宽禁带半导体电子器件(中国科学院大学、首席教授)
半导体物理与器件
半导体工艺
宽禁带电力电子器件
宽禁带半导体材料与器件

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 工信部科学技术进步奖, 一等奖, 部委级, 2017
(2) 北京市科学技术奖, 二等奖, 省级, 2012
(3) 全国优秀科技工作者, , 部委级, 2012
(4) 工信部科学技术成果奖, 一等奖, 部委级, 2009
(5) 中国科学院预先研究先进个人, , 部委级, 2006
专利成果
( 1 ) p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL200810240351.4
( 2 ) 用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL201010033962.9
( 3 ) 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL200810226288.9
( 4 ) 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110401468.8
( 5 ) 用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘及其制作工艺, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL201010033965.2
( 6 ) Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL200910236706.7
( 7 ) 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL200610112883.0
( 8 ) 用于金属有机物化学沉积设备的气路装置, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL201010033967.1
( 9 ) 金属有机物化学沉积设备的反应室, 2011, 第 2 作者, 专利号: ZL201010033963.3
( 10 ) 一种制备稀磁半导体薄膜的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL200710304215.2
( 11 ) 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: 201310054863.2
( 12 ) 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201210467084.0
( 13 ) 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210348006.9
( 14 ) 用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201510002676.9
( 15 ) 纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构及其制作方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201611255799.4
( 16 ) 一种用于薄膜材料生长的感应加热装置, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710728514.2
( 17 ) 一种基于电磁感应的加热装置, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710738799.8
( 18 ) 一种用于薄膜材料生长设备加热托盘的固定控制装置, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710728515.7

出版信息

   
发表论文
(1) Roles of polarization effects in InGaN/GaN solar cells and comparison of p-i-n and n-i-p structures, OPTICS EXPRESS, 2018, 第 11 作者
(2) Simulation and Optimization of Temperature Distribution in Induction Heating Reactor, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 第 11 作者
(3) Flow Field and Temperature Field in GaN-MOCVD Reactor Based on Computational Fluid Dynamics Modeling, CHIN. PHYS. LETT, 2018, 第 11 作者
(4) Theoretical analysis of induction heating in high-temperature epitaxial growth system, AIP ADVANCES, 2018, 第 11 作者
(5) Simulation Study of Enhancement-Mode InAlN/GaN HEMT with InGaN Cap Layer, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 第 11 作者
(6) Trapping Effects Induced by Gate OFF-State Stress in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe-Doped Buffer, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 第 11 作者
(7) Gate Leakage and Breakdown Characteristics ofAlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe Delta-Doped Buffer, Nanoscience and Nanotechnology Letters, 2018, 第 11 作者
(8) Highly Sensitive Detection of Deoxyribonucleic Acid Hybridization Using Au-Gated AlInN/GaN High Electron Mobility Transistor-Based Sensors, Chinese Physics Letters, 2017, 第 11 作者
(9) Fast electrical detection of carcinoembryonic antigen (CEA) based on AlGaN/GaN high electron mobility transistor aptasensor, Chinese Physics Letters, 2017, 第 11 作者
(10) Optimization of growth and fabrication techniques to enhance the InGaN/GaN multiple quantum well solar cells performance, Superlattices and Microstructures, 2017, 第 11 作者
(11) Impact of dual field plates on drain current degradation in InAlN/AlN/GaN HEMTs, Semicond. Sci. Technol, 2017, 第 11 作者
(12) Self-consistent simulation of two-dimensional electron gas characteristics of a novel (InxAl1–xN/AlN) MQWs/InN/GaN heterostructure, Phys. Status Solidi A, 2016, 第 11 作者
(13) Theoretical investigations on the N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN heterostructures: Considering the existence of both two-dimensional hole and electron gases, Journal of Applied Physics, 2016, 第 11 作者
(14) Effects of a GaN cap layer on the reliability of AlGaN/GaN Schottky diodes, Phys. Status Solidi A, 2015, 第 11 作者
(15) A Novel Multi-Finger Gate Structure of AlGaN/GaN High Electron Mobility, CHIN. PHYS. LETT, 2015, 第 11 作者
(16) High performance AlGaN/GaN power switch with Si3N4 Insulation, Eur.Phys.J.Appl.Phys., 2013, 第 2 作者
(17) Bipolar characteristics of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN double heterojunction structure with AlGaN as buffer layer, Journal of Alloys and Compounds, 2013, 第 2 作者
(18) The Valence Band Offset of an Al0.17Ga0.83N/GaN Heterojunction Determined by, Chinese Phyics Letter, 2013, 第 2 作者
(19) A 2nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures, Applied Physics Letters, 2012, 第 2 作者
(20) The influence of pressure on the growth of InAlN/AlN/GaN heterostructure., Eur.Phys.J.Appl.Phys., 2012, 第 2 作者
(21) Self-consistent simulation of carrier confinement characteristics in (AlyGa1-yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1-xN/GaN)MQW/GaN heterostructures, Journal of Alloys and Compounds, 2012, 第 2 作者
(22) Numerical optimization of carrier confinement characteristics in (AlxGa1_xN/AlN)SLs/GaN heterostructures, Physica B, 2012, 第 2 作者
(23) Raman study on dislocation in high Al content AlxGa1-xN, Eur.Phys.J.Appl.Phys., 2012, 第 2 作者
(24) An investigation on InxGa1?xN/GaN multiple quantum well solar cells, Journal of Physics D: Applied Physics, 2011, 第 2 作者
(25) Growth of GaN film on Si (111) substrate by using AlN sandwich structure as buffer, Journal of Crystal Growth, 2011, 第 2 作者
(26) Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates, Journal of Crystal Growth, 2011, 第 2 作者
(27) Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN, Applied Physics Letters, 2011, 第 2 作者
(28) An Internally-matched GaN HEMTs Device with 45.2 W at 8 GHz for X band application, Solid State Electronics, 2009, 第 1 作者
(29) High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz, Solid State Electronics, 2008, 第 1 作者
(30) MOCVD-grown high mobility Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure on sapphire substrate, Journal of Crystal Growth, 2007, 第 1 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 核高基国家科技重大专项(Ku****), 主持, 国家级, 2009-01--2012-12
( 2 ) InGaN基全光谱光伏材料及其器件应用, 主持, 国家级, 2012-01--2016-08
( 3 ) GaN 基毫米波功率器件与材料的新结构研究, 主持, 国家级, 2009-01--2012-12
( 4 ) 3-4英寸GaN基微电子材料专用MOCVD装备研制, 主持, 部委级, 2011-11--2013-10
( 5 ) 核高基国家科技重大专项(宽带****), 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
( 6 ) SiC衬底HEMT结构材料生长技术研究, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12
( 7 ) 毫米波GaN功率器件和电路研究, 主持, 国家级, 2010-01--2014-12
( 8 ) 核高基国家科技重大专项(宽带*****), 主持, 国家级, 2014-01--2016-12
( 9 ) 高温MOCVD****, 主持, 国家级, 2014-01--2016-12
( 10 ) 4英寸AlGaN/GaN******, 参与, 国家级, 2016-01--2018-12
( 11 ) 毫米波GaN****, 参与, 国家级, 2012-01--2016-12
( 12 ) GaN基功率器件基础问题研究, 主持, 国家级, 2014-01--2018-12
( 13 ) GaN同质外延生长技术研究, 主持, 研究所(学校), 2016-01--2018-12
( 14 ) 宽推3期, 主持, 国家级, 2017-01--2020-12
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生