基本信息
赵超  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: zhaochao@semi.ac.cn
通信地址: 中国科学院半导体研究所
邮政编码: 100083

研究领域

1、AI for Semiconductor

2III-V族半导体材料和器件

3硅基光子集成     

4、空间光电子器件

招生信息

   
招生专业
0805Z2-半导体材料与器件
招生方向
异质外延
激光器
光电集成

教育背景

2004-09--2009-07   中国科学院研究生院   研究生 / 博士
2000-09--2004-07   天津大学   本科 / 学士

工作经历

   
工作简历
2021-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2020-04~2021-01,中国科学院半导体研究所, 项目研究员
2018-07~2020-03,亚琛工业大学/于利希国家研究中心, 研究科学家
2009-06~2018-06,阿卜杜拉国王科技大学, 研究专家/研究科学家
社会兼职
2022-06-16-今,Photonics Technology Letters, 副主编
2022-04-03-今,英国物理学会(IOP), 会士
2021-07-20-今,美国光学学会(OSA), 高级会员
2020-04-20-今,Electronics Express, 副主编
2018-03-06-今,电气电子工程师学会(IEEE), 高级会员

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 英国物理学会会士 (FInstP), 其他, 2022
(2) 中国科学院半导体所“卓越青年学者”, 研究所(学校), 2020
(3) 中国科学院“高层次引进人才计划”择优支持, 院级, 2020
专利成果
( 1 ) 硅基III-V族模斑转换集成激光器及制备方法, 发明专利, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN117080861A

( 2 ) 基于机器学习的半导体工艺过程控制方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115458422A

( 3 ) 一种CMOS兼容硅衬底上的III-V族化合物材料生长方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114551222A

( 4 ) Method of fabricating orange-emitting nanowires LEDs, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: US10995914(B2)

( 5 ) ULTRABROAD LINEWIDTH ORANGE-EMITTING NANOWIRES LED FOR HIGH CRI LASER-BASED WHITE LIGHTING AND GIGAHERTZ COMMUNICATIONS, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: US20200088353(A1)

( 6 ) Molecular coatings of nitride semiconductors for optoelectronics, electronics, and solar energy harvesting, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: US10784410(B2)

( 7 ) Light emitters on transition metal dichalcogenides directly converted from thermally and electrically conductive substrates and method of making the same, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: US11127591(B2)

( 8 ) Nanowires-based light emitters on thermally and electrically conductive substrates and of making same, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: US10665451(B2)

( 9 ) 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100468802C

( 10 ) 材料生长参数的调整方法及装置, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN118155767A

( 11 ) 兼顾材料生长和工艺制备的模型预测方法及装置, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN118155765A

( 12 ) 材料生长阶段的确定方法及装置, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN118155766A

( 13 ) 材料生长的控制方法及装置, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN118136173A

出版信息

   
发表论文
[1] Shen, Chao, Zhan, Wenkang, Tang, Jian, Wu, Zhaofeng, Xu, Bo, Zhao, Chao, Wang, Zhanguo. Universal Deoxidation of Semiconductor Substrates Assisted by Machine Learning and Real-Time Feedback Control. ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES[J]. 2024, 第 6 作者  通讯作者  16(14): 18213-18221, http://dx.doi.org/10.1021/acsami.4c01765.
[2] Nature Communications. 2024, 第 13 作者  通讯作者  
[3] Applied Physics Reviews. 2024, 第 5 作者  通讯作者  
[4] TIANYI TANG, 占文康, CHAO SHEN, MANYANG LI, BO XU, Zhanguo Wang, 赵超. High-quality GaSb epitaxially grown on Si (001) through defects self-annihilation for CMOS-compatible near-IR light emitters. Optical Materials Express[J]. 2023, 第 7 作者  通讯作者  13(1): 104-118, 
[5] Tianyi Tang, Tian Yu, Guanqing Yang, Jiaqian Sun, Wenkang Zhan, Bo Xu, Chao Zhao, Zhanguo Wang. Investigation into the InAs/GaAs quantum dot material epitaxially grown on silicon for O band lasers. 半导体学报:英文版[J]. 2022, 第 7 作者  通讯作者  43(1): 37-43, http://doi.org/10.1088/1674- 4926/43/1/012301.
[6] Zhao, Chao, Li, Zhaonan, Tang, Tianyi, Sun, Jiaqian, Zhan, Wenkang, Xu, Bo, Sun, Huajun, Jiang, Hui, Liu, Kong, Qu, Shengchun, Wang, Zhijie, Wang, Zhanguo. Novel III-V semiconductor epitaxy for optoelectronic devices through two-dimensional materials. PROGRESS IN QUANTUM ELECTRONICS. 2021, 第 1 作者  通讯作者  76: http://dx.doi.org/10.1016/j.pquantelec.2020.100313.
[7] Chao Zhao, Bo Xu, Zhijie Wang, Zhanguo Wang. Boron-doped III–V semiconductors for Si-based optoelectronic devices. 半导体学报:英文版[J]. 2020, 第 1 作者41(1): 28-38, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7100725444.
[8] Zhao, Chao, Ebaid, Mohamed, Zhang, Huafan, Priante, Davide, Janjua, Bilal, Zhang, Daliang, Wei, Nini, Alhamoud, Abdullah A, Shakfa, Mohammad Khaled, Ng, Tien Khee, Ooi, Boon S. Quantified hole concentration in AlGaN nanowires for high-performance ultraviolet emitters. NANOSCALE[J]. 2018, 第 1 作者10(34): http://dx.doi.org/10.1039/c8nr02615g.
[9] Zhao Chao. III-Nitride Nanowires on Unconventional Substrates: from Material to Optoelectronic Device Applications. PROGRESSINQUANTUMELECTRONICS. 2018, 第 1 作者
[10] Zhao, Chao, Ng, Tien Khee, Tseng, ChienChih, Li, Jun, Shi, Yumeng, Wei, Nini, Zhang, Daliang, Consiglio, Giuseppe Bernardo, Prabaswara, Aditya, Alhamoud, Abdullah Ali, Albadri, Abdulrahman M, Alyamani, Ahmed Y, Zhang, X X, Li, LainJong, Ooi, Boon S. InGaN/GaN nanowires epitaxy on large-area MoS2 for high-performance light-emitters. RSC ADVANCES[J]. 2017, 第 1 作者7(43): 26665-26672, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000401975700018.
[11] Zhao, Chao, Ng, Tien Khee, Wei, Nini, Prabaswara, Aditya, Alias, Mohd S, Janjua, Bilal, Shen, Chao, Ooi, Boon S. Facile Formation of High-Quality InGaN/GaN Quantum-Disks-in-Nanowires on Bulk-Metal Substrates for High-Power Light-Emitters. NANO LETTERS[J]. 2016, 第 1 作者16(2): 1056-1063, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000370215200035.
[12] Zhao, Chao, Ng, Tien Khee, ElAfandy, Rami T, Prabaswara, Aditya, Consiglio, Giuseppe Bernardo, Ajia, Idris A, Roqan, Iman S, Janjua, Bilal, Shen, Chao, Eid, Jessica, Alyamani, Ahmed Y, ElDesouki, Munir M, Ooi, Boon S. Droop-Free, Reliable, and High-Power InGaN/GaN Nanowire Light Emitting Diodes for Monolithic Metal-Optoelectronics. NANO LETTERS[J]. 2016, 第 1 作者16(7): 4616-4623, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000379794200093.
[13] Zhao, Chao, Ng, Tien Khee, Prabaswara, Aditya, Conroy, Michele, Jahangir, Shafat, Frost, Thomas, OConnell, John, Holmes, Justin D, Parbrook, Peter J, Bhattacharya, Pallab, Ooi, Boon S. An enhanced surface passivation effect in InGaN/GaN disk-in-nanowire light emitting diodes for mitigating Shockley-Read-Hall recombination. NANOSCALE[J]. 2015, 第 1 作者7(40): 16658-16665, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000362662100015.
[14] Yan, Jianchang, Wang, Junxi, Cong, Peipei, Sun, Lili, Liu, Naixin, Liu, Zhe, Zhao, Chao, Li, Jinmin. Improved performance of UV-LED by p-AlGaN with graded composition. PHYSICA STATUS SOLIDI(C) CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS[J]. 2011, 第 7 作者8(2): 461-463, http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23149.
发表著作
(1) III-V optoelectronic devices grown on silicon, Wiley, 2021-06, 第 其他 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) CMOS工艺兼容的硅基外延InAs量 子点激光器缺陷抑制研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2026-12
( 2 ) 高性能光模块集成技术及验证, 负责人, 国家任务, 2022-07--2025-06
( 3 ) 后摩尔时代硅基异质材料及调控机理, 负责人, 中国科学院计划, 2022-07--2027-07
( 4 ) 中国科学院“高层次引进人才计划”择优支持, 负责人, 中国科学院计划, 2021-01--2023-12
( 5 ) 中国科学院半导体所“卓越青年学者”启动经费, 负责人, 研究所自主部署, 2020-04--2023-04
( 6 ) 微纳结构设计及其光电耦合性能优化, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12
参与会议
(1)Automated self-optimization of InAs/GaAs quantum dot laser growth assisted by machine-learning   2024-11-10
(2)III-V semiconductor epitaxy based on machine learning and in-situ feedback control   2024-06-03
(3)Machine-Learning-Assisted and Real-Time-Feedback-Controlled Deoxidation of Substrates and Growth of InAs/GaAs Quantum Dots   2024-04-11
(4)基于机器学习和原位反馈控制的III-V族半导体外延   第十五届全国分子束外延学术会议大会   2023-10-10
(5)III-V族半导体材料和器件的可控外延   第二届光电材料器件学术会议   2023-08-18
(6)硅基锑化物外延生长及其发光性能的研究   第十七届全国硅基光电子材料及器件研讨会   2023-06-08
(7)Monolithic Semiconductor Light Emitters on Silicon Substrates and Beyond   2022-07-22
(8)Special Light Sources on Unconventional Substrates   2020-10-24
(9)InGaN/GaN Nanowire LEDs and Lasers   2016-07-11

合作情况

与国内外知名科研单位建立了深入的合作关系,包括加州大学圣巴巴拉分校、密歇根大学、纽约大学、亚琛工业大学和阿卜杜拉国王科技大学等。

指导学生

现指导学生

李曼阳  硕士研究生  085600-材料与化工  

占文康  博士研究生  0805Z2-半导体材料与器件  

李云凯  博士研究生  0805Z2-半导体材料与器件  

王琼璋  博士研究生  085600-材料与化工  

沈超  博士研究生  0805Z2-半导体材料与器件