基本信息
赵超  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: zhaochao@semi.ac.cn
通信地址: 中国科学院半导体研究所
邮政编码: 100083

研究领域

1、III-V族半导体材料和器件

2、大失配异质外延     

3、硅基光电集成

招生信息

   
招生专业
0805Z2-半导体材料与器件
招生方向
异质外延
激光器
光电集成

教育背景

2004-09--2009-07   中国科学院研究生院   研究生 / 博士
2000-09--2004-07   天津大学   本科 / 学士

工作经历

   
工作简历
2021-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2020-04~2021-01,中国科学院半导体研究所, 项目研究员
2018-07~2020-03,亚琛工业大学/于利希国家研究中心, 研究科学家
2009-06~2018-06,阿卜杜拉国王科技大学, 研究专家/研究科学家
社会兼职
2022-06-16-今,Photonics Technology Letters, 副主编
2022-04-03-今,英国物理学会(IOP), 会士
2021-07-20-今,美国光学学会(OSA), 高级会员
2020-04-20-今,Electronics Express, 副主编
2018-03-06-今,电气电子工程师学会(IEEE), 高级会员

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 英国物理学会会士 (FInstP), 其他, 2022
(2) 中国科学院半导体所“卓越青年学者”, 研究所(学校), 2020
(3) 中国科学院“高层次引进人才计划”择优支持, 院级, 2020
专利成果
( 1 ) Method of fabricating orange-emitting nanowires LEDs, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: US10995914(B2)

( 2 ) ULTRABROAD LINEWIDTH ORANGE-EMITTING NANOWIRES LED FOR HIGH CRI LASER-BASED WHITE LIGHTING AND GIGAHERTZ COMMUNICATIONS, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: US20200088353(A1)

( 3 ) Molecular coatings of nitride semiconductors for optoelectronics, electronics, and solar energy harvesting, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: US10784410(B2)

( 4 ) Light emitters on transition metal dichalcogenides directly converted from thermally and electrically conductive substrates and method of making the same, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: US11127591(B2)

( 5 ) Nanowires-based light emitters on thermally and electrically conductive substrates and of making same, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: US10665451(B2)

( 6 ) 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100468802C

出版信息

   
发表论文
(1) High-quality GaSb epitaxially grown on Si (001) through defects self-annihilation for CMOS-compatible near-IR light emitters, Optical Materials Express, 2023, 第 11 作者
(2) Strain-induced tunability of the optoelectronic properties of inorganic lead iodide perovskites APbI3 (A= Rb and Cs), PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2022, 第 6 作者
(3) Investigation into the InAs/GaAs quantum dot material epitaxially grown on silicon for O band lasers, Investigation into the InAs/GaAs quantum dot material epitaxially grown on silicon for O band lasers, 半导体学报:英文版, 2022, 第 11 作者
(4) In(Ga)N Nanostructures and Devices Grown by Molecular Beam Epitaxy and Metal-Assisted Photochemical Etching, NANOMATERIALS, 2021, 第 11 作者
(5) Impact of defect and doping on the structural and electronic properties of monolayer boron phosphide, CHEMICAL PHYSICS, 2021, 第 5 作者
(6) Novel III-V semiconductor epitaxy for optoelectronic devices through two-dimensional materials, PROGRESS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2021, 第 11 作者
(7) Boron-doped III–V semiconductors for Si-based optoelectronic devices, Boron-doped III–V semiconductors for Si-based optoelectronic devices, 半导体学报:英文版, 2020, 第 1 作者
(8) Preface to the Special Issue on Challenges and Possibilities of Energy Storage, Preface to the Special Issue on Challenges and Possibilities of Energy Storage, 半导体学报:英文版, 2020, 第 11 作者
(9) Facile Synthesis of Defect-Modified Thin-Layered and Porous g-C3N4 with Synergetic Improvement for Photocatalytic H2 Production, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 3 作者
(10) Quantified hole concentration in AlGaN nanowires for high-performance ultraviolet emitters, NANOSCALE, 2018, 第 1 作者
(11) III-Nitride Nanowires on Unconventional Substrates: from Material to Optoelectronic Device Applications, PROGRESSINQUANTUMELECTRONICS, 2018, 第 1 作者
(12) InGaN/GaN nanowires epitaxy on large-area MoS2 for high-performance light-emitters, RSC ADVANCES, 2017, 第 1 作者
(13) Facile Formation of High-Quality InGaN/GaN Quantum-Disks-in-Nanowires on Bulk-Metal Substrates for High-Power Light-Emitters, NANO LETTERS, 2016, 第 1 作者
(14) Droop-Free, Reliable, and High-Power InGaN/GaN Nanowire Light Emitting Diodes for Monolithic Metal-Optoelectronics, NANO LETTERS, 2016, 第 1 作者
(15) An enhanced surface passivation effect in InGaN/GaN disk-in-nanowire light emitting diodes for mitigating Shockley-Read-Hall recombination, NANOSCALE, 2015, 第 1 作者
(16) Improved performance of UV-LED by p-AlGaN with graded composition, PHYSICA STATUS SOLIDI(C) CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, 2011, 第 7 作者
(17) Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures, PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 4, 2009, 第 1 作者
(18) Study of wetting layer of InAs/GaAs nanostructures grown by droplet epitaxy, Applied Physics Letters, 2008, 第 1 作者
(19) Evolution of inas nanostructures grown by droplet epitaxy, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 
发表著作
(1) III-V optoelectronic devices grown on silicon, Wiley, 2021-06, 第 其他 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) CMOS工艺兼容的硅基外延InAs量 子点激光器缺陷抑制研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2026-12
( 2 ) 高性能光模块集成技术及验证, 负责人, 国家任务, 2022-07--2025-06
( 3 ) 后摩尔时代硅基异质材料及调控机理, 参与, 中国科学院计划, 2022-07--2027-07
( 4 ) 中国科学院“高层次引进人才计划”择优支持, 负责人, 中国科学院计划, 2021-01--2023-12
( 5 ) 中国科学院半导体所“卓越青年学者”启动经费, 负责人, 研究所自主部署, 2020-04--2023-04
( 6 ) 微纳结构设计及其光电耦合性能优化, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12
参与会议
(1)Automated self-optimization of InAs/GaAs quantum dot laser growth assisted by machine-learning   2024-11-10
(2)III-V semiconductor epitaxy based on machine learning and in-situ feedback control   2024-06-03
(3)Machine-Learning-Assisted and Real-Time-Feedback-Controlled Deoxidation of Substrates and Growth of InAs/GaAs Quantum Dots   2024-04-11
(4)基于机器学习和原位反馈控制的III-V族半导体外延   第十五届全国分子束外延学术会议大会   2023-10-10
(5)III-V族半导体材料和器件的可控外延   第二届光电材料器件学术会议   2023-08-18
(6)硅基锑化物外延生长及其发光性能的研究   第十七届全国硅基光电子材料及器件研讨会   2023-06-08
(7)Monolithic Semiconductor Light Emitters on Silicon Substrates and Beyond   2022-07-22
(8)Special Light Sources on Unconventional Substrates   2020-10-24
(9)InGaN/GaN Nanowire LEDs and Lasers   2016-07-11

合作情况

与国内外知名科研单位建立了深入的合作关系,包括加州大学圣巴巴拉分校、密歇根大学、纽约大学、亚琛工业大学和阿卜杜拉国王科技大学等。

指导学生

现指导学生

李曼阳  硕士研究生  085600-材料与化工  

占文康  博士研究生  0805Z2-半导体材料与器件  

李云凯  博士研究生  0805Z2-半导体材料与器件