余兆安  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: yuzhaoan@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

研究领域

半导体器件及集成电路测试是验证产品设计、监控生产状况、保证产品质量、分析产品实效和指导应用的重要手段,贯穿着整个产业链,具有极其重要的作用。集成电路测试机通常内置电源、高精度源表、时钟板卡、数字板卡和模拟板卡等功能模块,是一套十分复杂的系统,目前高端半导体参数分析仪和集成电路测试机超过80%的市场份额被国外垄断。围绕半导体器件及集成电路测试领域的重要科学与技术问题,开展高精度源表、高速数字/模拟芯片测试板卡及IP设计、测试算法、系统软硬件集成等研究,具体包括:

1 集成电路设计与测试技术

2 仪器仪表工程

3 嵌入式系统设计与实现技术


招生信息

招生专业:仪器仪表、电子信息、电子科学与技术、信号与系统、计算机等相关专业

招生数量:每年拟招收硕士生1名


招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080902-电路与系统
085400-电子信息
招生方向
集成电路设计与测试
仪器仪表工程
嵌入式系统

教育背景

2011-09--2016-01   中国科学院大学   工学博士

工作经历

   
工作简历
2017-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 新型存储器件及集成研究集体, , 院级, 2018
专利成果
[1] 刘琦, 赵晓龙, 吴祖恒, 刘宇, 张凯平, 路程, 张培文, 赵盛杰, 姚志宏, 余兆安, 吕杭炳, 刘明. 非易失性存储方法及装置. CN: CN108922961A, 2018-11-30.
[2] 余兆安, 姚志宏, 霍宗亮, 龙世兵, 谢常青, 刘明. 一种对负载或输出进行限流保护的装置. CN: CN104242277A, 2014-12-24.
[3] 姚志宏, 余兆安, 吕杭炳, 霍宗亮, 谢常青, 刘明. 一种对阻变存储器阵列进行测试的系统. CN: CN104217766A, 2014-12-17.
[4] 冀永辉, 王凤虎, 丁川, 余兆安, 王琴, 龙世兵, 刘明. 一种基于差分技术的消除成像器件阈值偏差影响的方法. CN: CN102611852A, 2012-07-25.
[5] 冀永辉, 丁川, 王凤虎, 余兆安, 王琴, 龙世兵, 刘明. 一种光学传感器及其内部的成像器件. CN: CN102610620A, 2012-07-25.
[6] 龙世兵, 刘明, 刘琦, 吕杭炳, 李颖弢, 张森, 王艳, 连文泰, 张康玮, 王明, 张满红, 霍宗亮, 王琴, 刘璟, 余兆安, 李冬梅. 非挥发性电阻转变存储器及其制备方法. CN: CN102487122A, 2012-06-06.
[7] 余兆安, 龙世兵, 刘明, 张森, 刘琦, 柳江. 一种用于测试阻变存储器性能指标的限流电路. CN: CN101783183A, 2010-07-21.
[8] 余兆安, 贾锐, 龙世兵, 刘明, 陈晨. 产生磁场的装置及对低温探针台外加磁场的方法. CN: CN101783223A, 2010-07-21.

出版信息

   
发表论文
(1) 超稳定线性温控模块设计, Design of super-stable linear temperature control module, 传感器与微系统, 2022, 第 1 作者
(2) Back-End-of-Line-Based Resistive RAM in 0.13 mu m Partially-Depleted Silicon-on-Insulator Process for Highly Reliable Irradiation-Resistant Application, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 第 4 作者
(3) 一种忆阻器阵列的阻值调制测试系统, A resistance modulation test system of memristor array, 微纳电子与智能制造, 2021, 第 1 作者
(4) 基于量子级联激光器的甲烷吸收谱, Methane Absorption Spectrum Based on Quantum Cascade Lasers, 微纳电子技术, 2020, 第 1 作者
(5) First Demonstration of OxRRAM Integration on 14nm FinFet Platform and Scaling Potential Analysis towards Sub-10nm Node, 2020 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 2020, 第 9 作者
(6) Fast Switching beta-Ga2O3 Power MOSFET With a Trench-Gate Structure, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 第 16 作者
(7) 三维神经网络中Nb2O5-x突触器件的脉冲操作模式优化研究, Optimizing the pulse operating mode of Nb2O5-x synaptic devices in three-dimensional neural networks, 微纳电子与智能制造, 2019, 第 2 作者
(8) 40x Retention Improvement by Eliminating Resistance Relaxation with High Temperature Forming in 28 nm RRAM Chip, 2018 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 2018, 第 10 作者
(9) Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory, Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory, 中国物理B:英文版, 2018, 第 5 作者
(10) Schottky Barrier Rectifier Based on (100) beta-Ga2O3 and its DC and AC Characteristics, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 第 6 作者
(11) The Impact of RTN Signal on Array Level Resistance Fluctuation of Resistive Random Access Memory, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 第 10 作者
(12) Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 5 作者
(13) 阻变存储阵列的自动化测试系统, Automatic Test System for the Resistive Random Access Memory Array, 半导体技术, 2017, 第 6 作者
(14) BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond, Electron Devices Meeting (IEDM) 2017 IEEE International, 2017, 第 4 作者
(15) 8-layers 3D Vertical RRAM with Excellent Scalability towards Storage Class Memory Applications, Electron Devices Meeting(IEDM)2017 IEEE International, 2017, 第 3 作者
(16) 基于频率补偿的窄脉冲量子级联激光器快速驱动技术, A fast driving technique for narrow pulsed quantum cascade lasers with frequency compensation, 红外与激光工程, 2016, 第 1 作者
(17) The Statistics of Set Time of Oxide-based Resistive Switching Memory, 2016, 第 3 作者
(18) 脉冲量子级联激光器吸收谱扫描方法, 微纳电子技术, 2015, 第 1 作者
(19) Improving resistance uniformity and endurance of resistive switching memory by accurately controlling the stress time of pulse program operation, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 3 作者
(20) A Physical Model for the Statistics of the Set Switching Time of Resistive RAM Measured With the Width-Adjusting Pulse Operation Method, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 第 4 作者
(21) 脉冲量子级联激光器吸收谱关键技术研究, Research on key technology of pulsed quantum cascade laser absorption spectroscopy, 2015, 第 1 作者
(22) Impact of program, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2015, 第 3 作者
(23) Impact of program/erase operation on the performances of oxide-based resistive switching memory, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2015, 第 3 作者
(24) A simple and accurate method for measuring program/erase speed in a memory capacitor structure, CHINESE PHYSICS B, 2013, 第 5 作者
(25) Effect of high temperature annealing on the performance of MANOS charge trapping memory, Effect of high temperature annealing on the performance of MANOS charge trapping memory, 中国科学:技术科学英文版, 2012, 第 4 作者
(26) Reducing formation time of the inversion layer by illumination around a memory capacitor, CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE 2012 (CSTIC 2012), 2012, 第 4 作者
(27) Effect of high temperature annealing on the performance of manos charge trapping memory, SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2012, 第 4 作者
(28) A novel junction-assisted programming scheme for si-nanocrystal memory devices with improved performance, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2011, 第 6 作者
(29) A study of cycling induced degradation mechanisms in si nanocrystal memory devices, NANOTECHNOLOGY, 2011, 第 6 作者
(30) Unification of three multiphonon trap-assisted tunneling mechanisms, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 3 作者
(31) Differential conductance as a promising approach for rapid DNA sequencing with nanopore-embedded electrodes, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 第 8 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 新型阻变存储器参数测试系统, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2021-12
( 2 ) 超宽带半导体器件, 负责人, 国家任务, 2018-05--2021-04
( 3 ) 三维阻变存储器基础研究, 参与, 中国科学院计划, 2016-08--2022-12
( 4 ) 存算一体计算芯片, 参与, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12
( 5 ) 基于阻变存储器的阵列控制器芯片研发及示范应用, 参与, 地方任务, 2020-07--2022-07
( 6 ) 基于半导体参数分析仪的阵列级器件自动化测试系统, 参与, 中国科学院计划, 2019-10--2021-09
( 7 ) 神经形态器件与电路的设计方法及工具研究, 负责人, 国家任务, 2021-12--2026-11
( 8 ) 基于阻变存储器参数测试系统的存算一体应用模块开发, 负责人, 中国科学院计划, 2022-10--2024-09