光电子学

半导体材料与器件

超快诊断技术

计算成像

   

080901-物理电子学

光电子器件，半导体材料，超快探测技术

2006-09--2009-06   中国科学院西安光学精密机械研究所   工学硕士
2002-09--2006-06   西安交通大学   工学学士

2002.9-2006.7 西安交通大学 电信学院电子系 学士

2006.9-2009.7 中国科学院西安光学精密机械研究所 光电子学室 硕士

2016.9-2022.7 西安交通大学 仪器科学与技术 博士

2009.7-2012.1 中科院西安光机所 光电子学室 研究实习员

2012.9-2022.1 中科院西安光机所 条纹相机工程中心 工程师

2022.1-至今     中科院西安光机所 条纹相机工程中心 高级工程师

2022-01~2022-04,中国科学院西安光学精密机械研究所, 高级工程师
2009-07~2021-12,中国科学院西安光学精密机械研究所, 工程师

   

（ 1 ） 一种超小型干涉式超快X射线光纤探测器, 专利授权, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN110488340B

（ 2 ） 用于ICF芯部自发光关键过程的全光固体超快成像系统及方法, 发明专利, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN112649834A

（ 3 ） 辐照条件下粘接界面状态的原位表征方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112595696A

（ 4 ） 预制裂纹铜合金聚氨酯粘结结构拉伸扯离试件及制作方法, 发明专利, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN112525644A

（ 5 ） 一种实时三维显微成像装置及方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112509111A

（ 6 ） 一种半导体材料瞬态折射率超快检测装置, 外观设计, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN212364068U

（ 7 ） 一种X射线超快检测装置, 外观设计, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN212229183U

（ 8 ） 高时间分辨、高灵敏度、多谱段响应的X射线测试系统, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111562608A

（ 9 ） X射线全光固体超快探测芯片调制光栅的制备方法及光栅, 专利授权, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN109827981B

（ 10 ） 一种半导体材料瞬态折射率超快检测装置及方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111443062A

（ 11 ） 全光固体超快探测芯片和全光固体超快探测器, 实用新型, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN210243002U

（ 12 ） 倒像式像增强型超快成像探测器, 发明专利, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN110487757A

（ 13 ） 全光固体超快探测芯片、全光固体超快探测器及其探测方法, 发明专利, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN110398293A

（ 14 ） 一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法, 发明专利, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN109545681A

（ 15 ） 像增强型全光固体超快成像探测器, 发明专利, 2018, 第 9 作者, 专利号: CN108254349A

（ 16 ） 像增强型全光固体超快成像探测器, 实用新型, 2018, 第 9 作者, 专利号: CN207894829U

（ 17 ） 一种激光探测器性能检测系统, 实用新型, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN207113913U

（ 18 ） 一种带电粒子圆磁透镜, 实用新型, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN206907735U

（ 19 ） 一种带电粒子圆磁透镜, 发明专利, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107204267A

（ 20 ） 超快脉冲X射线源系统, 实用新型, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN205542693U

（ 21 ） 超快脉冲X射线源系统, 发明专利, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105448629A

（ 22 ） 全光固体条纹相机, 实用新型, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN202331004U

（ 23 ） 全光固体条纹相机, 发明专利, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102364396A

（ 24 ） 一种桥丝感应电流的测量方法及系统, 发明专利, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101750530A

   

（1） Research on Deep Learning Denoising Method in an Ultra-Fast All-Optical Solid-State Framing Camera, 2021, 
（2） GaAs material photorefractive response time measurement based on spectral probe, FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHOTONICS AND OPTICAL ENGINEERING, 2021, 第 2 作者
（3） One-shot x-ray detection based on the instantaneous change in the refractive index of GaAs, AIP ADVANCES, 2020, 第 7 作者
（4） Ultrafast Time-Response Characteristics of AlGaAs Materials, 9TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ADVANCED OPTICAL MANUFACTURING AND TESTING TECHNOLOGIES: OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES FOR SENSING AND IMAGING, 2019, 第 1 作者
（5） Photorefractive effect of low-temperature-grown aluminum gallium arsenide, ACTA PHYSICA SINICA, 2019, 第 8 作者
（6） 空间高速InGaAs-PIN光电二极管辐射损伤效应试验研究, Radiation damage of high-speed InGaAs-PIN photodiode devices used for space laser communication, 航天器环境工程, 2019, 第 6 作者
（7） 低温生长铝镓砷光折变效应的研究, Photorefractive effect of low-temperature-grownaluminum gallium arsenide, 物理学报, 2019, 第 8 作者
（8） Ultrafast all-optical imaging technique using low-temperature grown GaAs/Al x Ga 1− x As multiple-quantum-well semiconductor, Physics Letters A, 2017, 
（9） InGaAs-MSM photodetector with low dark current, Guangzi xuebao/acta photonica sinica, 2015, 第 3 作者
（10） InAsSb材料的LP-MOCVD生长, 半导体光电, 2015, 第 4 作者
（11） NDUCED CURRENT MEASUREMENT IN BRIDGEWIRE EED THROUGH INFRARED OPTICAL FIBER IMAGE BUNDLE, 2013, 第 4 作者
（12） 红外光纤双波段法对桥丝温度的测量, The Two-wavelength Infrared Fiber Temperature Measuring for Bridgewire, 光电工程, 2011, 第 3 作者
（13） Growth of short-period InAs/GaSb superlattices for infrared sensing, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 3 作者
（14） 利用红外光纤传像束测量桥丝感应电流, Induced current measurement in bridgewire EED through infrared optical fiber image bundle, 光电子．激光, 2011, 第 3 作者
（15） 用于红外探测的短周期InAs/GaSb超晶格材料的生长, Growth of short-period InAs/GaSb superlattices for infrared sensing, 红外与毫米波学报, 2011, 第 3 作者
（16） InAs/GaSb superlattices grown by LP-MOCVD for similar to 10 mu m wavelength infrared range, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2011, 第 3 作者
（17） InAs/GaSb type-II superlattice grown by MOCVD for long-wavelength infrared detection, OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS, 2011, 第 5 作者
（18） 高响应度GaAs-MSM光电自混频面阵器件, Facture of high responsivity GaAs-MSM optoelectronic self-mixing array, 激光与红外, 2011, 第 3 作者
（19） 桥丝式电点火头感应电流的测试研究, Measurement Research on Current-induced of Bridgewire Electroexplosive Device, 光子学报, 2009, 第 1 作者
（20） 面阵式激光雷达探测芯片的设计与制作, 2009, 第 1 作者
（21） 低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs／GaSb超晶格材料表面形貌的影响, Effect of the LP-MOCVD Growth Parameters For Type-Ⅱ InAs/GaSb Superlattices Surface Morphology, 光子学报, 2009, 第 7 作者
（22） Study on the induced current measurement in bridgewire EED, MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, 2008, 第 3 作者

   

（ 1 ） 高性能四象限光电探测器组件, 负责人, 中国科学院计划, 2017-12--2021-03
（ 2 ） THz帧频压缩感知飞秒相机, 负责人, 国家任务, 2022-01--2026-12
（ 3 ） XX探测技术, 负责人, 国家任务, 2022-01--2026-12
（ 4 ） **平衡探测器芯片, 负责人, 国家任务, 2015-12--2022-06
（ 5 ） **光电探测器研制, 负责人, 国家任务, 2019-02--2022-06
（ 6 ） **性能研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2022-12
（ 7 ） **分幅相机研制, 参与, 国家任务, 2017-01--2022-12
（ 8 ） 适用于低偏置电压的PCSS开放应用研究, 负责人, 其他任务, 2017-07--2021-12
（ 9 ） 基于激光瞬态光栅的缺陷监测系统研究, 负责人, 其他任务, 2021-08--2023-12
（ 10 ） 电源设备性能评估实验系统, 负责人, 其他任务, 2020-12--2022-12

（1）GaAs material photorefractive response time measurement based on spectral probe   第四届国际光子学和光学工程会议   2020-10-15
（2）Design and manufacture of large area and high bandwidth semiconductor photodetector   纳米操纵、制造与测量国际会议   2018-08-13
（3）Ultrafast time-response characteristics of AlGaAs materials   Ninth International Symposium on Advanced Optical Manufacturing and Testing Technologies (AOMATT2018), 2018, Chengdu, China   2018-06-26