基本信息
杨国文  男  博导  中国科学院西安光学精密机械研究所
电子邮件: yangguowen@opt.ac.cn
通信地址: 西安市高新区信息大道17号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体激光芯片
半导体激光器
光电子器件

教育背景

1998-09--2000-02   美国犹他大学   博士后
1994-09--1997-07   中国科学院半导体研究所   博士
1988-09--1991-07   中国科学院半导体研究所   硕士
1984-09--1988-07   南开大学   学士

工作经历

   
工作简历
2013-08~现在, 中国科学院西安光学精密机械研究所, 研究员
2006-08~2013-08,美国捷迪讯JDSU公司, 高级资深工程师
2003-10~2006-08,美国奥谱拓公司, 高级资深工程师
2002-02~2003-10,美国康宁Corning公司, 高级资深工程师
1997-08~1998-08,中国科学院半导体研究所, 副研究员
1994-08~1997-07,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
1991-08~1994-07,中国科学院半导体研究所, 实习研究员

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 全国优秀博士学位论文奖, 国家级, 1994
(2) 院长奖学金特别奖, 研究所(学校), 1994
专利成果
( 1 ) Semiconductor Laser With Narrow Beam Divergence, 发明, 2008, 第 1 作者, 专利号: US 7709280 B2
( 2 ) 一种半导体激光器腔镜制备方法, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201410643677.7
( 3 ) 半导体芯片的表面处理系统, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201510622932.4
( 4 ) 一种样品测试/处理装置, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201510624126.0
( 5 ) 用于半导体激光器腔面失效分析的综合测试系统, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201510622931.X
( 6 ) 用于半导体激光器腔面失效分析的综合测试系统, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201510622931.X
( 7 ) 半导体芯片的表面处理系统, 实用新型, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201520754954.1
( 8 ) 一种样品架翻转装置, 实用新型, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201520754894.3
( 9 ) 一种样品测试/处理装置, 实用新型, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201520753808.7
( 10 ) 用于半导体激光器腔面失效分析的综合测试系统, 实用新型, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201520754206.3
( 11 ) 消除被测物体表面盲点的显微镜辅助装置, 实用新型, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201620634238.4
( 12 ) 一种半导体锥形激光器, 实用新型, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201620638396.7
( 13 ) 一种半导体激光器bar条, 实用新型, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201620639307.0
( 14 ) 一种半导体激光器芯片测试固定装置, 实用新型, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201521132674.3

出版信息

   
发表论文
(1) High Efficiency 1.9 kW Single Diode Laser Bar Epitaxially Stacked With a Tunnel Junction, IEEE Photonics Journal, 2021, 第 4 作者
(2) High-power operation and lateral divergence angle reduction of broad-area laser diodes at 976 nm, Optics and Laser Technology, 2021, 第 2 作者
(3) 808nm半导体激光芯片波导优化与效率特性分析, 发光学报, 2021, 第 4 作者
(4) 高功率半导体激光阵列芯片测试表征与仿真优化, 发光学报, 2021, 第 4 作者
(5) 高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发光点性能影响的分析, 发光学报, 2021, 第 4 作者
(6) 半导体激光器研究进展, 中国激光, 2020, 第 2 作者
(7) 高功率半导体激光阵列的高温特性机理研究, 发光学报, 2020, 第 4 作者
(8) High power, high efficiency continuous-wave 808 nm laser diode arrays, Optics and Laser Technology, 2017, 第 3 作者
(9) 808nm准连续600W高功率半导体激光芯片研究, 中国激光, 2017, 第 3 作者
(10) 808 nm半导体激光芯片电光转换效率的温度特性机理研究, 物理学报, 2017, 第 4 作者
(11) 808nm/976nm高效率、高功率半导体激光芯片, 中国激光, 2016, 第 2 作者
(12) 高功率、高效率808nm 半导体激光器阵列, High-Power, high-efficiency 808nm Laser Diode Array, 物理学报, 2016, 第 2 作者
(13) Grating stabilized high power 980nm pump modules,, Optical Fiber Communication and the National Fiber Optic Engineers Conference, 2007, 第 1 作者
(14) High-performance 980nm ridge waveguide lasers with a nearly circular beam, IEEE Photonics Technology Letters, 2004, 第 1 作者
(15) Impact of near-end residual reflectivity on the spectral performance of high-power pump lasers, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2004, 第 1 作者
(16) Highly reliable high-power 980-nm pump laser, IEEE Photonics Technology Letters, 2004, 第 1 作者
(17) Design consideration and performance of high power and high brightness InGaAs-InGaAsP-AlGaAs quantum well lasers, IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics, 2000, 第 1 作者
(18) Design consideration and performance of high power and high brightness InGaAs-InGaAsP-AlGaAs quantum well lasers, IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics, 2000, 第 1 作者
(19) High performance 980nm quantum well Lasers using a hybrid material system of an Al-free InGaAs/InGaAsP active region and AlGaAs cladding layers grown by metal-organic chemical vapor deposition, IEEE Journal of Quantum Electronics, 1999, 第 1 作者
(20) High performance InGaAs/InGaAsP/AlGaAs diode lasers grown by MOCVD, Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting, 1999, 第 1 作者
(21) 980nm InGaAs/InGaAsP quantum well lasers with AlGaAs cladding grown by metal organic chemical vapor deposition, Electronics Letter, 1998, 第 1 作者
(22) Theoretical investigation on quantum well lasers with extremely low vertical beam divergence and low threshold current, Journal of Applied Physics, 1998, 第 1 作者
(23) Growth and fabrication of high performance 980nm strained InGaAs quantum well lasers using novel hybrid material system of InGaAsP and AlGaAs, Proc. of SPIE, 1998, 第 1 作者
(24) Design and fabrication of 980nm InGaAs/AlGaAs quantum well lasers with low beam divergence, Proc. of SPIE, 1996, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 高峰值功率半导体激光芯片研究, 主持, 市地级, 2015-07--2015-12
( 2 ) 高效率高功率半导体激光芯片研究, 主持, 部委级, 2013-07--2016-10

指导学生

已指导学生

宋云菲  硕士研究生  080501-材料物理与化学  

李波  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

刘育衔  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

赵宇亮  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

汪楠  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杜宇琦  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

兰宇  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

常奕栋  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

张业奇  硕士研究生  085400-电子信息