基本信息
吴天如  男  硕导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: trwu@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁区长宁路835号中科院上海微系统所3号楼411室
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
招生方向
二维晶体电子学
低维量子材料与器件

教育背景

2006-09--2012-06   南京航空航天大学   博士
2002-09--2006-09   南京航空航天大学   本科

工作经历

   
工作简历
2012-12~现在, 中科院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
社会兼职
2019-01-01-今,上海市超碳石墨烯产业技术有限公司薄膜平台负责人,

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 上海市自然科学一等奖, 一等奖, 省级, 2019
(2) 上海市青年启明星计划(A类), , 省级, 2018
(3) 上海市青年拔尖人才, 省级, 2017
专利成果
[1] 张学富, 王浩敏, 吴天如, 于庆凯, 谢晓明. 一种低温制备石墨烯单晶晶圆的方法. CN: CN109205599B, 2021-07-09.
[2] 宋志棠, 宋文雄, 赵进, 吴天如. 一种石墨烯-相变材料结构、存储器单元及其制备方法. CN: CN111725396A, 2020-09-29.
[3] 张学富, 吴天如, 王浩敏, 于庆凯, 谢晓明. 一种铜基织构薄膜衬底上制备石墨烯单晶晶圆的方法. CN: CN111705359A, 2020-09-25.
[4] 时志远, 吴天如, 卢光远, 王秀君, 张超, 王浩敏, 谢晓明. 多层六方氮化硼薄膜的制备方法. CN: CN110921637A, 2020-03-27.
[5] 于广辉, 吴天如, 谢晓明, 时志远, 陈吉, 张燕辉, 隋妍萍, 陈志蓥. 一种过渡金属硫族化合物二维材料—石墨烯异质结构及其原位生长方法. CN: CN106756871B, 2019-04-05.
[6] 王浩敏, 谢红, 贺立, 王慧山, 陈令修, 李蕾, 吴天如, 张道礼, 谢晓明, 江绵恒. 一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法. 中国: CN104992905B, 2018.02.13.
[7] 张学富, 王浩敏, 吴天如, 谢晓明. 一种镍铜(111)合金单晶薄膜的制备方法以及由此得到的镍铜(111)合金单晶薄膜. 中国: CN108754608A, 2018-11-06.
[8] 吴天如, 张学富, 卢光远, 杨超, 王浩敏, 谢晓明, 江绵恒. 局域供碳装置及局域供碳制备晶圆级石墨烯单晶的方法. 中国: CN104928649B, 2017-12-05.
[9] 陈吉, 吴天如, 王浩敏, 谢晓明. 一种转移石墨烯的方法. 中国: CN106185900A, 2016-12-07.
[10] 杨超, 吴天如, 卢光远, 张学富, 王浩敏, 谢晓明, 江绵恒. 一种金属蒸气辅助快速生长少层石墨烯的制备方法. 中国: CN105779964A, 2016-07-20.
[11] 陈吉, 卢光远, 吴天如, 王慧山, 张学富, 王浩敏. 一种石墨烯-氮化硼异质结的制备方法. 中国: CN104944417A, 2015-09-30.
[12] 王浩敏, 谢红, 李蕾, 王慧山, 贺立, 陈令修, 吴天如, 邓联文, 谢晓明, 江绵恒. 一种基于石墨烯场效应管微区加热的原位生长材料的方法. 中国: CN104894639A, 2015-09-09.
[13] 王浩敏, 唐述杰, 卢光远, 吴天如, 姜达, 丁古巧, 张学富, 谢红, 谢晓明, 江绵恒. 石墨烯的生长方法. 中国: CN104562195A, 2015-04-29.
[14] 王浩敏, 谢红, 王慧山, 孙秋娟, 陈吉, 张学富, 吴天如, 谢晓明, 江绵恒. 一种柔性衬底上制备石墨烯器件的方法. 中国: CN103943513A, 2014.07.23.
[15] 王浩敏, 谢红, 王慧山, 李蕾, 卢光远, 张学富, 陈吉, 吴天如, 谢晓明, 江绵恒. 一种石墨烯闪存存储器的制备方法. 中国: CN104192835A, 2014-12-10.
[16] 王浩敏, 谢红, 王慧山, 孙秋娟, 卢光远, 陈吉, 张学富, 吴天如, 谢晓明, 江绵恒. 一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法. 中国: CN103943512A, 2014-07-23.
[17] 王慧山, 王浩敏, 孙秋娟, 刘晓宇, 谢红, 陈吉, 吴天如, 张学富, 邓联文, 谢晓明. 一种基于石墨烯场效应管的微区加热方法及结构. 中国: CN103839835A, 2014-06-04.
[18] 卢光远, 吴天如, 宋阳曦, 王浩敏, 谢晓明, 江绵恒. 一种制备六方氮化硼薄膜的方法. 中国: CN103774113A, 2014-05-07.
[19] 卢光远, 吴天如, 杨超, 张学富. 一种石墨烯晶畴的制备方法. 中国: CN103726027A, 2014-04-16.
[20] 王浩敏, 谢红, 孙秋娟, 王慧山, 吴天如, 谢晓明, 江绵恒. 石墨烯器件的制作方法. 中国: CN103646855A, 2014-03-19.
[21] 王浩敏, 谢红, 孙秋娟, 王慧山, 吴天如, 谢晓明. 石墨烯场效应管的制作方法. 中国: CN103531482A, 2014-01-22.
[22] 王浩敏, 谢红, 吴天如, 孙秋娟, 王慧山, 宋阳曦, 刘晓宇, 唐述杰, 谢晓明. 基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法. 中国: CN103400859A, 2013-11-20.
[23] 李修兵, 吴天如, 孙静, 丁古巧, 谢晓明, 江绵恒. 一种石墨烯的制备方法. 中国: CN103011142A, 2013-04-03.
[24] 谢晓明, 沈鸿烈, 吴天如, 丁古巧, 孙雷, 唐述杰, 江绵恒. 一种利用多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的方法. 中国: CN102433544A, 2012-05-02.

出版信息

   
发表论文
[1] Zhang, Chao, Gao, Boxiang, Ran, Yihua, Shi, Zhiyuan, Zhu, Hongyan, Zhang, Hui, Liu, Jian, Yang, Bo, Liu, Zhi, Wu, Tianru, Xie, Xiaoming. Silicon-assisted growth of hexagonal boron nitride to improve oxidation resistance of germanium. 2D MATERIALS[J]. 2021, 8(3): http://dx.doi.org/10.1088/2053-1583/ac0298.
[2] Jiang, Ren, Shi, Zhiyuan, Zhao, Wei, Gao, Boxiang, Wu, Tianru, Yuan, Qinghong. Vacancy-Assisted Growth Mechanism of Multilayer Hexagonal Boron Nitride on a Fe2B Substrate. JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY LETTERS[J]. 2020, 11(20): 8511-8517, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000582569600006.
[3] Zhu, Hongyan, Zhang, Chao, Zhang, Xuefu, Shi, Zhiyuan, Wu, Tianru, Yu, Guanghui. Overview of Rational Design of Binary Alloy for the Synthesis of Two-Dimensional Materials. SURFACESnull. 2020, 3(1): 26-39, http://dx.doi.org/10.3390/surfaces3010003.
[4] Zhiyuan Shi, Xiujun Wang, Qingtian Li, Peng Yang, Guangyuan Lu, Ren Jiang, Huishan Wang, Chao Zhang, Chunxiao Cong, Zhi Liu, Tianru Wu, Haomin Wang, Qingkai Yu, Xiaoming Xie. Vapor–liquid–solid growth of large-area multilayer hexagonal boron nitride on dielectric substrates. Nature Communications[J]. 2020, 11(1): 1-8, https://doaj.org/article/8e4c858c9fc64e1589e0bca0ae54187e.
[5] Ren, Xibiao, Dong, Jichen, Yang, Peng, Li, Jidong, Lu, Guangyuan, Wu, Tianru, Wang, Haomin, Guo, Wanlin, Zhang, Ze, Ding, Feng, Jin, Chuanhong. Grain boundaries in chemical-vapor-deposited atomically thin hexagonal boron nitride. PHYSICAL REVIEW MATERIALS[J]. 2019, 3(1): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000456298300002.
[6] Shi, Zhiyuan, Li, Qingtian, Jiang, Ren, Zhang, Chao, Yin, Weijun, Wu, Tianru, Xie, Xiaoming. Influence of oxygen on the synthesis of large area hexagonal boron nitride on Fe2B substrate. MATERIALS LETTERS[J]. 2019, 247: 52-55, http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2019.03.095.
[7] Zhang, Xuefu, Wu, Tianru, Jiang, Qi, Wang, Huishan, Zhu, Hailong, Chen, Zhiying, Jiang, Ren, Niu, Tianchao, Li, Zhuojun, Zhang, Youwei, Qiu, Zhijun, Yu, Guanghui, Li, Ang, Qiao, Shan, Wang, Haomin, Yu, Qingkai, Xie, Xiaoming. Epitaxial Growth of 6 in. Single-Crystalline Graphene on a Cu/Ni (111) Film at 750 degrees C via Chemical Vapor Deposition. SMALL[J]. 2019, 15(22): [8] Lu, Guangyuan, Zhang, Guanhua, Sun, Julong, Wang, Xiujun, Shi, Zhiyuan, Jiang, Da, Wang, Haomin, Li, Ang, Wu, Tianru, Yu, Qingkai, Xie, Xiaoming. Synthesis and stacking sequence characterization of h-BN/graphene heterostructures on Cu-Ni alloy. CARBON[J]. 2019, 152: 521-526, http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2019.06.040.
[9] Shi, Zhiyuan, Lu, Guangyuan, Yang, Peng, Wu, Tianru, Yin, Weijun, Zhang, Chao, Jiang, Ren, Xie, Xiaoming. Controlled synthesis of uniform multilayer hexagonal boron nitride films on Fe2B alloy. RSC ADVANCES[J]. 2019, 9(18): 10155-10158, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000466754600032.
[10] Liu, Yifan, Wu, Tianru, Yin, Yuling, Zhang, Xuefu, Yu, Qingkai, Searles, Debra J, Ding, Feng, Yuan, Qinghong, Xie, Xiaoming. How Low Nucleation Density of Graphene on CuNi Alloy is Achieved. ADVANCED SCIENCE[J]. 2018, 5(6): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000435765900012.
[11] 杨超, 吴天如, 王浩敏, 谢晓明. 绝缘衬底上石墨烯的化学气相沉积制备与器件应用. 科学通报[J]. 2017, 2168-2179, [12] Yang, Chao, Wu, Tianru, Wang, Haomin, Zhang, Xuefu, Shi, Zhiyuan, Xie, Xiaoming. Copper-vapor-catalyzed chemical vapor deposition of graphene on dielectric substrates. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2017, 111(4): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000406779700041.
[13] 杨鹏, 吴天如, 王浩敏, 卢光远, 邓联文, 黄生祥. 化学气相沉积法在Cu-Ni合金衬底上生长多层六方氮化硼. 科学通报[J]. 2017, 62(20): 2279-2286, [14] Lu, Guangyuan, Wu, Tianru, Wang, Haomin, Yang, Peng, Shi, Zhiyuan, Yang, Chao, Xie, Xiaoming. Synthesis of continuous hexagonal boron nitride films on alloy substrate. MATERIALS LETTERS[J]. 2017, 196: 252-255, http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2017.03.075.
[15] Lu, Guangyuan, Wu, Tianru, Yang, Peng, Yang, Yingchao, Jin, Zehua, Chen, Weibing, Jia, Shuai, Wang, Haomin, Zhang, Guanhua, Sun, Julong, Ajayan, Pulickel M, Lou, Jun, Xie, Xiaoming, Jiang, Mianheng. Synthesis of High-Quality Graphene and Hexagonal Boron Nitride Monolayer In-Plane Heterostructure on Cu-Ni Alloy. ADVANCED SCIENCE[J]. 2017, 4(9): http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/150181.
[16] 王浩敏, 吴天如, 贺立, 张学富, 卢光远, 陈令修. “黑金”与“白石墨”的联姻. 科技纵览. 2017, 62-65, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=673364885.
[17] Yang, Chao, Wu, Tianru, Wang, Haomin, Zhang, Guanhua, Sun, Julong, Lu, Guangyuan, Niu, Tianchao, Li, Ang, Xie, Xiaoming, Jiang, Mianheng. Copper-Vapor-Assisted Rapid Synthesis of Large AB-Stacked Bilayer Graphene Domains on Cu-Ni Alloy. SMALL[J]. 2016, 12(15): 2009-2013, http://cas-ir.dicp.ac.cn/handle/321008/170788.
[18] Wu, Tianru, Zhang, Xuefu, Yuan, Qinghong, Xue, Jiachen, Lu, Guangyuan, Liu, Zhihong, Wang, Huishan, Wang, Haomin, Ding, Feng, Yu, Qingkai, Xie, Xiaoming, Jiang, Mianheng. Fast growth of inch-sized single-crystalline graphene from a controlled single nucleus on Cu-Ni alloys. NATURE MATERIALS[J]. 2016, 15(1): 43-+, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000366690600018.
[19] 吴天如. Synthesis of Large-size Single Crystal Hexagonal Boron Nitride Grains on Cu-Ni Alloy. Nature Communications. 2015, [20] 尤佳毅, 沈鸿烈, 吴天如, 谢晓明. 固态碳源温度对CVD法生长石墨烯薄膜影响的研究. 真空科学与技术学报[J]. 2015, 35(1): 109-113, [21] Wu, Tianru, Ding, Guqiao, Shen, Honglie, Wang, Haomin, Sun, Lei, Jiang, Da, Xie, Xiaoming, Jiang, Mianheng. Triggering the Continuous Growth of Graphene Toward Millimeter-Sized Grains. ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS[J]. 2013, 23(2): 198-203, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000313128700007.
[22] 孙雷, 沈鸿烈, 李金泽, 吴天如, 丁古巧, 朱云, 谢晓明. 低熔点合金衬底上CVD法生长石墨烯. 人工晶体学报[J]. 2013, 42(12): 2589-2594, [23] 吴天如. Three Step Fabrication of graphene Synthesized at Low Temperature by Remote Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition. RSC Advances. 2013, [24] Wu, Tianru, Ding, Guqiao, Shen, Honglie, Wang, Haomin, Sun, Lei, Zhu, Yun, Jiang, Da, Xie, Xiaoming. Continuous graphene films synthesized at low temperatures by introducing coronene as nucleation seeds. NANOSCALE[J]. 2013, 5(12): 5456-5461, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000319756200041.
[25] Wu, Tianru, Shen, Honglie, Sun, Lei, Cheng, Bin, Liu, Bin, Shen, Jiancang. Nitrogen and boron doped monolayer graphene by chemical vapor deposition using polystyrene, urea and boric acid. NEW JOURNAL OF CHEMISTRY[J]. 2012, 36(6): 1385-1391, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000304248200014.
[26] Wu, Tianru, Shen, Honglie, Sun, Lei, Cheng, Bin, Liu, Bin, Shen, Jiancang. Facile Synthesis of Ag Interlayer Doped Graphene by Chemical Vapor Deposition Using Polystyrene As Solid Carbon Source. ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES[J]. 2012, 4(4): 2041-2047, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000303139900024.
[27] Shen, Honglie, Wu, Tianru, Pan, Yuanyuan, Zhang, Lei, Cheng, Bin, Yue, Zhihao. Structural and optical properties of nc-3C-SiC films synthesized by hot wire chemical vapor deposition from SiH4-C2H2-H-2 mixture. THIN SOLID FILMS[J]. 2012, 522: 36-39, http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2012.02.011.
[28] Tianru Wu, Honglie Shen, Bin Cheng, Yuanyuan Pan, Bing Liu, Jiancang Shen. Formation of α-Si1−xCx:H and nc-SiC films grown by HWCVD under different process pressure. Applied Surface Science. 2011, 258(3): 999-1003, http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2011.06.165.

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 晶圆级石墨烯单晶的可控制备与器件应用, 主持, 省级, 2018-06--2020-06
( 2 ) 化学气相沉积生长厘米级高迁移率石墨烯单晶的研究, 主持, 国家级, 2014-01--2016-12
( 3 ) h-BN表面二维晶体异质节外延生长研究, 主持, 省级, 2017-01--2020-12
( 4 ) 晶圆级石墨烯电子材料及器件研究, 参与, 国家级, 2011-01--2016-12
( 5 ) 超导电子器件应用基础研究, 参与, 部委级, 2012-01--2017-12
( 6 ) 厚膜石墨烯的生长技术开发, 主持, 院级, 2019-01--2020-12
( 7 ) 高定向石墨晶体的生长技术开发, 参与, 院级, 2019-01--2020-12
( 8 ) 中国科学院青年创新促进会, 主持, 部委级, 2017-01--2020-12
( 9 ) 功能导向的原子制造前沿科学问题, 参与, 部委级, 2018-01--2023-12
( 10 ) 石墨烯的CVD 制备及在光电器件中的前瞻性研究, 参与, 部委级, 2012-01--2014-12
参与会议
(1)wafer-sized single crystalline graphene crystal from a controlled nucleus on CuNi substrate   2017-09-19
(2)晶圆级石墨烯单晶形核控制与快速生长机理研究   2017-08-15
(3)Rational design of Cu-Ni alloy for graphene and boron nitride heterostructures   2017-07-19
(4)Towards the Controllable Synthesis ofGraphene, hBN and Graphene h-BN Heterostructures   2017-07-16

指导学生

已指导学生

时志远  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

高渤翔  硕士研究生  085204-材料工程  

张超  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学