基本信息
陶科 男 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件: taoke@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:
电子邮件: taoke@ime.ac.cn
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
高效太阳电池,硅基光电探测器
教育背景
2008-09--2011-06 南开大学 博士学位2005-09--2008-07 南开大学 硕士学位2001-09--2005-07 南开大学 学士学位
工作经历
工作简历
2014-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员2011-09~2014-08,日本东京工业大学, 博士后
专利与奖励
奖励信息
(1) 2018SNEC兆瓦级翡翠奖, , 其他, 2018(2) 第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会优秀论文奖(2016), 其他, 2016
专利成果
( 1 ) 晶体硅太阳能电池, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201711105491.6( 2 ) 晶体硅太阳能电池及其制备方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201810109422.0( 3 ) 一种砷化镓太阳能电池, 发明, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN201720539219.8( 4 ) 一种背结背接触太阳能电池, 发明, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN201611257309.4( 5 ) 一种石墨烯/砷化镓太阳电池, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN201611130595.8( 6 ) 一种背结背接触太阳能电池, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN201611259263.X
出版信息
发表论文
(1) Application of a-Si/μc-Si hybrid layer in tunnel oxide passivated contact n-type silicon solar cells, Solar Energy, 2017, 第 1 作者(2) 氢退火对硅上硅锗低温外延薄膜性能的影响, 无机材料学报, 2017, 第 2 作者(3) Studies on the polycrystalline silicon/SiO2 stack as front surface field for IBC solar cells by two dimensional simulations, Chinese physics B, 2017, 第 3 作者(4) Ultralow temperature epitaxial growth of silicon-germanium thin films on Si(001) using GeF4, Diamond and Related Materials, 2016, 第 1 作者(5) Replacing the amorphous silicon thin layer with microcrystalline silicon thin layer in TOPCon solar cells, Solar Energy, 2016, 第 2 作者(6) Two dimensional simulation studies on amorphous silicon stack as front surface field for interdigitated back contact solar cells, Vacuum, 2016, 第 2 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 基于隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)技术的叉指背接触(IBC)晶体硅太阳电池的研究, 主持, 国家级, 2018-01--2020-12( 2 ) 高速x射线探测器, 参与, 国家级, 2017-10--2019-12
参与会议
(1)隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)晶体硅太阳电池的研究 第二届N型晶硅电池与双面发电论坛2017 陶科 2017-12-12(2)ITO生长及后退火对双面TOPCon晶体硅太阳电池的影响研究 13th CSPV 中国太阳级硅及光伏发电研讨会 陶科 2017-11-16(3)Doped a-Si:H/µc-Si:H hybrid layers used to improve the performance of TOP-Con silicon solar cells 欧洲光伏太阳能会议暨展览会 陶科 2016-06-20