基本信息
陶科  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: taoke@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
高效太阳电池,硅基光电探测器

教育背景

2008-09--2011-06   南开大学   博士学位
2005-09--2008-07   南开大学   硕士学位
2001-09--2005-07   南开大学   学士学位

工作经历

   
工作简历
2014-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2011-09~2014-08,日本东京工业大学, 博士后

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 2018SNEC兆瓦级翡翠奖, , 其他, 2018
(2) 第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会优秀论文奖(2016), 其他, 2016
专利成果
( 1 ) 晶体硅太阳能电池, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201711105491.6
( 2 ) 晶体硅太阳能电池及其制备方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201810109422.0
( 3 ) 一种砷化镓太阳能电池, 发明, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN201720539219.8
( 4 ) 一种背结背接触太阳能电池, 发明, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN201611257309.4
( 5 ) 一种石墨烯/砷化镓太阳电池, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN201611130595.8
( 6 ) 一种背结背接触太阳能电池, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN201611259263.X

出版信息

   
发表论文
(1) Application of a-Si/μc-Si hybrid layer in tunnel oxide passivated contact n-type silicon solar cells, Solar Energy, 2017, 第 1 作者
(2) 氢退火对硅上硅锗低温外延薄膜性能的影响, 无机材料学报, 2017, 第 2 作者
(3) Studies on the polycrystalline silicon/SiO2 stack as front surface field for IBC solar cells by two dimensional simulations, Chinese physics B, 2017, 第 3 作者
(4) Ultralow temperature epitaxial growth of silicon-germanium thin films on Si(001) using GeF4, Diamond and Related Materials, 2016, 第 1 作者
(5) Replacing the amorphous silicon thin layer with microcrystalline silicon thin layer in TOPCon solar cells, Solar Energy, 2016, 第 2 作者
(6) Two dimensional simulation studies on amorphous silicon stack as front surface field for interdigitated back contact solar cells, Vacuum, 2016, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 基于隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)技术的叉指背接触(IBC)晶体硅太阳电池的研究, 主持, 国家级, 2018-01--2020-12
( 2 ) 高速x射线探测器, 参与, 国家级, 2017-10--2019-12
参与会议
(1)隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)晶体硅太阳电池的研究   第二届N型晶硅电池与双面发电论坛2017   陶科   2017-12-12
(2)ITO生长及后退火对双面TOPCon晶体硅太阳电池的影响研究   13th CSPV 中国太阳级硅及光伏发电研讨会   陶科   2017-11-16
(3)Doped a-Si:H/µc-Si:H hybrid layers used to improve the performance of TOP-Con silicon solar cells   欧洲光伏太阳能会议暨展览会   陶科   2016-06-20