基本信息

汤益丹 女 博导 中国科学院微电子研究所
电子邮件: tangyidan@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:
研究领域
宽禁带半导体器件及电路研发
招生信息
招收有兴趣在宽禁带半导体器件及电路等领域开展设计、工艺、可靠性等研究的硕士、博士研究生
招生专业
140100-集成电路科学与工程080903-微电子学与固体电子学080902-电路与系统
招生方向
宽禁带半导体器件及电路研发半导体缺陷工程
教育背景
2016-09--2020-01 中国科学院大学 工学博士2007-09--2010-06 北京工业大学 工学硕士2003-09--2007-06 湖南师范大学 学士
学历
博士研究生
学位
工学博士
工作经历
工作简历
2023-01~现在, 中国科学院微电子研究所, 青年研究员2020-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员2013-10~2020-07,中国科学院微电子研究所, 助理研究员2010-07~2013-10,中国科学院微电子研究所, 研究实习员
专利与奖励
奖励信息
(1) 高电流密度SiC电力电子器件关键技术及应用, 二等奖, 省级, 2019(2) SiC电力电子器件关键技术及应用, 省级, 2018
专利成果
( 1 ) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PREPARATION METHOD THERE OF, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: US 11,508,809( 2 ) 一种SiC功率MOSFET器件, 发明专利, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN112103345A( 3 ) 一种沟槽型MOSFET结构及其制作方法, 发明专利, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111403486A( 4 ) 微波等离子体装置及等离子体激发方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110049614A( 5 ) 一种双沟槽SS-SiC MOSFET结构, 发明专利, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109768091A( 6 ) Method for manufacturing grooved MOSFET device based on two-step microwave plasma oxidation, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: US10763105(B2)( 7 ) Microwave plasma generating device for plasma oxidation of SiC, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: US10734199(B2)( 8 ) 一种4H-SiC MOSFET功率器件及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109616523A( 9 ) 一种碳化硅双沟槽MOSFET器件有源区的制备方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109545855A( 10 ) SiC氧化中SiC-SiO 2 界面碳杂质类型与位置分布的测定方法, 发明专利, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109540969A( 11 ) SiC氧化中SiC-SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法, 专利授权, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN109540969B( 12 ) 基于交流电压下微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件制造方法, 专利授权, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109545687A( 13 ) 基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法, 专利授权, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109494147A( 14 ) SiC氧化中SiC-SiO 2 界面碳残留浓度的测定方法及其应用, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109283298A( 15 ) 一种环形温度传感器, 专利授权, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN109341880A( 16 ) 紫外探测器及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109301007A( 17 ) 紫外探测器及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109301007A( 18 ) 半导体器件及其制备方法, 专利授权, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN109216436B( 19 ) RC-IGBT器件及其制备方法, 专利授权, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN108649068A( 20 ) 基于微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108735607A( 21 ) 具有微孔微纳结构双耦合谐振腔的微波等离子体发生装置, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108770174A( 22 ) 基于两步微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108766887A( 23 ) 用于微波等离子体发生装置的微孔微纳结构双耦合谐振腔, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108770175A( 24 ) 基于微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108735607A( 25 ) 基于两步微波等离子体氧化的碳化硅氧化方法, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108666206A( 26 ) 基于微波等离子体的碳化硅氧化方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108584963A( 27 ) 用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108735570A( 28 ) 具有CSL输运层的SiC沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法, 专利授权, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108346688A( 29 ) 超级结肖特基二极管与其制作方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108336129A( 30 ) SiC衬底的图形化方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108063088A( 31 ) 一种碳化硅功率器件终端结构及其制作方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107731905A( 32 ) 一种碳化硅器件及其制作方法, 发明专利, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN107658215A( 33 ) 一种碳化硅功率器件终端及其制作方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN107658213A( 34 ) 一种碳化硅器件终端及其制作方法, 发明专利, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107507859A( 35 ) 碳化硅功率器件终端及其制作方法, 发明专利, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107293599A( 36 ) 一种基于台面多区复合JTE终端结构的器件及其制作方法, 发明专利, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107275382A( 37 ) 一种沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法, 专利授权, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107331616A( 38 ) 一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN106158985A( 39 ) 碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制作方法, 专利授权, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN106206323A( 40 ) 一种碳化硅双极结型晶体管, 专利授权, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105957886A( 41 ) 一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法, 发明专利, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105225943A( 42 ) 碳化硅MOSFET器件及其制作方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN105161539A( 43 ) Silicon carbide MOSFET device and method for manufacturing the same, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: US10680067(B2)( 44 ) 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN105070663A( 45 ) 一种沟道自对准的碳化硅MOSFET结构及其制造方法, 发明专利, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN105185831A( 46 ) 一种场限环结终端结构的优化设计方法, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104409477A( 47 ) 一种插入层复合结构及其制作方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104393031A( 48 ) 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管, 实用新型, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104409501A( 49 ) 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管, 发明专利, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN104409501B( 50 ) 一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103578960A( 51 ) 一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103579375A( 52 ) 一种宽禁带功率器件场板的制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103606515A( 53 ) 一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103560078A( 54 ) 带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103578942A( 55 ) 一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103000697A( 56 ) 一种具有增益的紫外探测器结构及其制备方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102931272A( 57 ) 一种测量高Al组分AlGaN材料刻蚀诱生界面态参数的方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102944588A( 58 ) 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103000698A( 59 ) 一种实现P型SiC材料低温欧姆合金退火的方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102931054A( 60 ) 用于P-SiC欧姆接触的界面过渡层复合结构及其制备方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102931224A( 61 ) 多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102446721A( 62 ) SiC肖特基二极管及其制作方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102376779A( 63 ) 一种三层复合离子注入阻挡层及其制备、去除方法, 发明专利, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102496559A( 64 ) SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102437201A( 65 ) 防止钝化层过刻蚀的方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103021840A( 66 ) 一种TiO 2 光催化消解装置及其制备方法, 发明专利, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102824902A( 67 ) 一种TiO 2 光催化消解装置及其制备方法, 发明专利, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102824902A( 68 ) 一种在SiC材料上生长SiO 2 钝化层的方法, 发明专利, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102810465A( 69 ) 一种在SiC材料上生长SiO 2 钝化层的方法, 发明专利, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102810465A
出版信息
发表论文
[1] Liao, YuWei, Li, Qiang, Yang, Mu, Liu, ZhengHao, Yan, FeiFei, Wang, JunFeng, Zhou, JiYang, Lin, WuXi, Tang, YiDan, Xu, JinShi, Li, ChuanFeng, Guo, GuangCan. Deep-Learning-Enhanced Single-Spin Readout in Silicon Carbide at Room Temperature. PHYSICAL REVIEW APPLIED[J]. 2022, 第 9 作者17(3): http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevApplied.17.034046.[2] Zuo, Xinxin, Lu, Jiang, Liu, Xinyu, Bai, Yun, Tian, Xiaoli, Cheng, Guodong, Tang, Yidan, Yang, Chengyue, Chen, Hong. A 1200 V SiC Trench MOSFET with a Laterally Widened P-Shield Region to Enhance the Short-Circuit Ruggedness. ELECTRONICS[J]. 2022, 第 7 作者11(7): http://dx.doi.org/10.3390/electronics11071077.[3] Zhao, Liansheng, Tang, Yidan, Bai, Yun, Qiu, Menglin, Wu, Zhikang, Yang, Yu, Yang, Chengyue, Tian, Xiaoli, Liu, Xinyu. Analysis of Defects and Electrical Characteristics of Variable-Temperature Proton-Irradiated 4H-SiC JBS Diodes. 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科研活动
科研项目
( 1 ) 宽禁带SiC器件及电路研制及特性研究, 负责人, 国家任务, 2021-10--2026-12( 2 ) 中高压 SiC 超级结电荷平衡理论研究及器件研制, 负责人, 国家任务, 2021-12--2025-11( 3 ) 高功率密度SiC器件及模块热电特性及可靠性研究, 负责人, 地方任务, 2022-01--2024-12( 4 ) 轨道交通用SiC 器件/模块可靠性评估研究, 负责人, 地方任务, 2019-11--2023-06( 5 ) SiC SBD关键制造技术开发, 负责人, 国家任务, 2013-01--2019-12( 6 ) 高功率碳化硅器件瞬态极端损伤机理与加固技术研究, 负责人, 国家任务, 2024-01--2028-12
指导学生
现指导学生
董真 硕士研究生 085400-电子信息
柳文龙 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
曹璐 硕士研究生 085403-集成电路工程
胡政 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学