半导体辐射物理、缺陷动力学分析建模

   

080901-物理电子学

第一性原理计算，缺陷表征分析

2008-09--2013-07   清华大学   理学博士学位
2004-09--2008-07   兰州大学   理学学士学位

   

2024-12~现在, 中国科学院新疆理化技术研究所, 研究员
2023-12~2024-12,内江师范学院, 教授
2020-09~2023-11,内江师范学院, 副研究员
2015-12~2020-09,中国工程物理研究院电子工程研究所, 副研究员
2013-07~2015-11,中国工程物理研究院电子工程研究所, 助理研究员

2025-04-15-今,Journal of Materials Chemistry C 期刊审稿人,
2023-06-26-今,APL Materials 期刊审稿人,
2023-04-07-今,Advanced Electronic Materials 期刊审稿人,
2022-05-15-今,Journal of Physics D: Applied Physics 期刊审稿人,
2021-10-11-今,IEEE Transactions on Nuclear Science 期刊审稿人,

   

（1） 《J. Phys. D Appl. Phys.》selected Emerging Leader in applied physics, , 其他, 2025
（2） IOP Outstanding Reviewers, , 专项, 2023
（3） 全国辐射物理学术交流会优秀论文, 其他, 2023

（ 1 ） 双极器件低剂量率辐照损伤升温匹配加速测试方法及系统, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN117434414A

（ 2 ） 基于氧化层电偶极子的双极器件抗低剂量率辐照加固方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116613063A

（ 3 ） SiO 2 中电荷与SiO 2 /Si界面态的分离测试方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN106684012B

（ 4 ） 一种半导体器件的氧化层中陷阱能级分布的测量方法, 发明授权, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN107589361B

（ 5 ） 一种提高多层结构二次离子质谱深度分辨率的系统和方法, 发明授权, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN106990161B

   

（1） Mechanism of E′γ defect generation in ionizing-irradiated a-SiO2: The nonradiative carrier capture–structural relaxation model, PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2025, 第 1 作者
（2） Mechanisms and models of interface trap annealing in positively-biased MOS devices, Journal of Physics D: Applied Physics, 2024, 第 1 作者  通讯作者
（3） Electronic properties of ionizing radiation-induced defects at SiO 2 /Si interfaceassociated with non-trivial excess current splitting, EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS, 2024, 第 7 作者  通讯作者
（4） Electric-Field-Tunable Bipolar Linear Magnetoelectric Effect in Zigzag Graphene Nanoribbon-Based Antiferromagnet, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2024, 第 3 作者
（5） Tailoring the competition between electric dipole and magnetic dipole emission in Eu-doped cubic sesquioxide M 2 O3 (M M = Sc, Y, La), PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2024, 第 6 作者
（6） Observation and Origin of Anomalous Early Recovery of Base Currents in Low-Dose-Rate γ-Ray-Irradiated PNP Transistors, ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2023, 第 7 作者  通讯作者
（7） Design of graphene spin beam splitter based on Brewster's law, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2023, 第 5 作者  通讯作者
（8） Mechanisms and Models for the Suppressed Defect Dynamics in SiO2-Si Structures under High-To-Low Switched Dose Rate Irradiations, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2023, 第 1 作者  通讯作者
（9） Raising T-C of ferromagnetic semiconductors through doping control: The case of GaMnAs, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2023, 第 3 作者
（10） Dual-Level Enhanced Nonradiative Carrier Recombination in Wide-Gap Semiconductors: The Case of Oxygen Vacancy in SiO 2, JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2023, 第 2 作者  通讯作者
（11） General Model for Defect Dynamics in Ionizing-Irradiated SiO2-Si Structures, SMALL, 2022, 第 1 作者  通讯作者
（12） Ab initio calculation of silicon monovacancy defect in amorphous-SiO2/Si interface, AIP ADVANCES, 2022, 第 2 作者
（13） 双极型晶体管总剂量效应的统计特性, 物理学报, 2021, 第 2 作者  通讯作者
（14） Linear dependence of post-irradiation input bias currents on pre-irradiation values in silicon bipolar microcircuits, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 第 1 作者  通讯作者
（15） Defect Dynamic Model of the Synergistic Effect in Neutron- and gamma-Ray-Irradiated Silicon NPN Transistors, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 1 作者  通讯作者
（16） Ultra-slow dynamic annealing of neutron-induced defects in n-type silicon: role of charge carriers, EUROPEANPHYSICALJOURNALPLUS, 2020, 第 6 作者  通讯作者
（17） Origin of Irradiation Synergistic Effects in Silicon Bipolar Transistors, ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 第 1 作者  通讯作者
（18） Hydroxyl E ' center and stress-assisted proton generation in hydrogen-rich amorphous silica, COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2020, 第 5 作者  通讯作者
（19） Molecular dynamics simulation of atomic hydrogen diffusion in strained amorphous silica, Molecular dynamics simulation of atomic hydrogen diffusion in strained amorphous silica, Chinese Physics B, 2020, 第 4 作者
（20） Ab initio calculations on oxygen vacancy defects in strained amorphous silica, Ab initio calculations on oxygen vacancy defects in strained amorphous silica, Chinese Physics B, 2020, 第 4 作者
（21） Enhanced negative differential resistance in silicene double-barrier resonant tunneling diodes, EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B, 2020, 第 3 作者
（22） A modified accelerated testing method of ELDRS in extreme-low dose rate irradiation, EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS, 2020, 第 2 作者
（23） Gamma-ray irradiation-induced oxidation and disproportionation at the amorphous SiO2/Si interfaces, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2020, 第 12 作者
（24） Early stage degradation related to dislocation evolution in neutron irradiated AlGaN/GaN HEMTs, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 第 7 作者
（25） Computational Study on Interfaces and Interface Defects of Amorphous Silica and Silicon, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2019, 第 2 作者
（26） Mechanism of Synergistic Effects of Neutron- and Gamma-Ray-Radiated PNP Bipolar Transistors, ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 第 1 作者  通讯作者
（27） First-principles study of defects in amorphous-SiO2/Si interfaces, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 第 6 作者  通讯作者
（28） First-principles investigations of proton generation in α-quartz, Chinese Physics B, 2018, 第 2 作者
（29） Electric-field-induced extremely large change in resistance in graphene ferromagnets, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018, 第 1 作者  通讯作者
（30） A Multi-Time-Step Finite Element Algorithm for 3-D Simulation of Coupled Drift-Diffusion Reaction Process in Total Ionizing Dose Effect, IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, 2018, 第 4 作者  通讯作者
（31） Spin-selectable, region-tunable negative differential resistance in graphene double ferromagnetic barriers, PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2018, 第 1 作者  通讯作者
（32） Interactions of atomic hydrogen with amorphous SiO2, PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2018, 第 4 作者  通讯作者
（33） Dissociation characteristics of proton release in a-SiO2 by first-principles theory, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2018, 第 3 作者
（34） 剂量率切换辐照加速方法适用性的数值评估, Numerical evaluation on the feasibility of dose rate switching technique, 辐射研究与辐射工艺学报, 2017, 第 4 作者
（35） First-principles investigation of oxygen-excess defects in amorphous silica, AIP ADVANCES, 2017, 第 3 作者
（36） Quality improvement of surface triangular mesh using a modified Laplacian smoothing approach avoiding intersection, PLOS ONE, 2017, 第 3 作者
（37） First principles study of oxygen vacancy defects in amorphous SiO2, AIP ADVANCES, 2017, 第 2 作者
（38） Spin-valley splitting of electron beam in graphene, AIP ADVANCES, 2016, 第 1 作者  通讯作者
（39） 硅双极器件ELDRS效应机理的研究进展, Progress in ELDRS Mechanism of Silicon Bipolar Devices, 固体电子学研究与进展, 2016, 第 3 作者
（40） Spin filter and spin valve in ferromagnetic graphene, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 1 作者  通讯作者
（41） 半导体器件辐射电离效应的激光模拟方法, 太赫兹科学与电子信息学报, 2015, 第 3 作者
（42） Negative differential resistances in graphene double barrier resonant tunneling diodes, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 1 作者  通讯作者
（43） Generation of a fully valley-polarized current in bulk graphene, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 1 作者  通讯作者
（44） Ballistic collective group delay and its Goos-Hanchen component in graphene, JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2013, 第 1 作者  通讯作者
（45） Giant Goos-Hanchen shift in graphene double-barrier structures, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 1 作者  通讯作者
（46） Electrically induced bound state switches and near-linearly tunable optical transitions in graphene under a magnetic field, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 1 作者
（47） Bound states in a hybrid magnetic-electric quantum dot, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 第 1 作者

   

（ 1 ） 极端环境中硅电子器件损伤的微观机理与深度学习模型研究, 负责人, 地方任务, 2025-01--2027-12

（1）电离辐照a-SiO2中E’缺陷的产生机制   第六届全国辐射物理学术交流会   宋宇、邱晨、魏苏淮   2024-08-16
（2）基于第一性原理计算揭示电离辐照MOS结构中E’中心缺陷的产生机制   第二届全国半导体缺陷研讨会   宋宇、邱晨、魏苏淮   2024-04-14
（3）硅双极器件位移-电离协同辐照效应的微观起源与物理模型   第二十四届全国半导体物理学术会议   2023-07-13
（4）MOS结构中电离辐照诱导缺陷的动力学机制   第一届全国半导体缺陷物理研讨会   2023-04-02
（5）New concepts and general model of irradiation-induced defect dynamics in SiO2-Si structures   2022-04-07