基本信息
毛旭 男 硕导 半导体研究所
电子邮件:maoxu@semi.ac.cn
通信地址:北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码:100083

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
MEMS器件,惯性器件,光电器件,微系统封装

教育背景

2006-07--2009-03 北京大学信息学院 博士后
2002-09--2006-07 中国电子科技集团第十二研究所 博士学位
1996-09--1999-07 云南大学物理系 硕士学位
1992-09--1996-07 云南大学物理系 学士学位

工作经历

   
工作简历
2009-04--今 中国科学院半导体研究所 副研究员
1999-07--2002-09 云南大学材料系 讲师

专利与奖励

   
奖励信息
(1) Si基薄膜理论和实验研究,三等奖,省级,2003
专利成果
[1] 毛旭, 赵永梅, 杨香, 黄亚军, 季安, 白云霞, 王晓东, 杨富华. 晶圆级光刻机键合方法. 中国: CN105174209A, 2015-12-23.

[2] 毛旭, 吕兴东, 魏伟伟, 杨晋玲, 杨富华. 阵列型微机电可变光衰减器. 中国: CN103576243A, 2014.02.12.

[3] 毛旭, 魏伟伟, 吕兴东, 杨晋玲, 杨富华. 一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法. 中国: CN103576242A, 2014.02.12.

[4] 毛旭, 吕兴东, 魏伟伟, 杨晋玲, 杨富华. 一种挡光式微机电可变光衰减器. 中国: CN103576241A, 2014.02.12.

[5] 朱银芳, 魏伟伟, 毛旭, 杨晋玲, 杨富华. 一种快速射频微机械开关. 中国: CN102623253A, 2012-08-01.

[6] 毛旭, 方志强, 杨晋玲, 杨富华. 基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置. 中国: CN102502481A, 2012-06-20.

[7] 毛旭, 杨晋玲, 杨富华. 一种提高光刻胶曝光精度的方法. 中国: CN102354087A, 2012-02-15.

[8] 毛旭, 杨晋玲, 杨富华. 基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法. 中国: CN102130026A, 2011-07-20.

出版信息

   
发表论文
(1) A novel MEMS actuator with large lateral stroke driven by Lorentz force,Journal of Micromechanics Microengineering,2015,第3作者
(2) A novel MEMS actuator with large lateral stroke driven by Lorentz force,Sensors and Actuators A: Physical,2015,第3作者
(3) A Wafer-Level Sn-Rich Au–Sn Bonding Technique and Its Application in Surface Plasmon Resonance Sensors,CHIN. PHYS. LETT.,2014,第1作者
(4) A single-mask dry-release process for fabrication of high aspect ratio SOI MEMS devices,Science China-Technological Sciences,2013,第3作者
(5) Two new methods to improve the lithography precision for SU-8 photoresist on glass substrate,J. Microelectromech. Syst.,2013,第1作者
(6) Sn-Rich Au-Sn Hermetic Packaging at Wafer Level and Its Application in SPR Sensor, IEEE–NEMS2013,2013,第1作者
(7) A wafer-level Sn-rich Au–Sn intermediate bonding technique with high strength,J. Micromech. Microeng,2013,第2作者
(8) Two new methods to improve the lithography precision for SU-8 photoresist on glass substrate,IEEE MEMS 2012,2012,第1作者
(9) A single mask dry releasing process for making high aspect ratio SOI mems devices,IEEE-NEMS 2010,2010,第2作者
(10) 采用防Footing工艺加工的SOI 微加速度计,纳米技术与精密工程,2010,第1作者
(11) The Method of Prevent Footing Effect in Making SOI Micro-mechanical Structure, IEEE–NEMS2009,2009,第1作者
(12) Fabrication of SOI MEMS Inertial Sensors with Dry Releasing Process,IEEE SENSORS 2009 ,2009,第1作者

科研活动

   
科研项目
(1) MEMS红外光学调制器研究,主持,部委级,2013-03--2014-12
(2) 集成微流道及其肿瘤标志物检测中的应用,参与,国家级,2013-01--2015-12
(3) 基于微纳谐振结构的高灵敏、原位快速生化检测方法研究,主持,国家级,2011-11--2013-12
(4) 水环境监测无线网络微传感器芯片系统基础研究(封装研究),参与,国家级,2009-01--2013-12
参与会议
(1) Sn-Rich Au-Sn Hermetic Packaging at Wafer Level and Its Application in SPR Sensor,2013-04,Xu Mao, Zhiqiang. Fang, Zhe Zhang, Jinling Yang, Zhimei Qi, and Fuhua Yang
(2) Two new methods to improve the lithography precision for SU-8 photoresist on glass substrate,2012-01,Xu Mao,Jinling Yang, An Ji, and Fuhua Yang
(3) A single mask dry releasing process for making high aspect ratio SOI mems devices,2010-04,Wei yumin, Mao Xu, Zhenchuan Yang, Guizhen Yan