080903-微电子学与固体电子学

射频、微波器件与电路集成技术
集成电路工程
石墨烯器件与电路

1996-09--吉林大学   博士
1993-09--吉林大学   硕士
1989-09--河北师范大学   学士

   

2004-05~2006-10,日本东京电气通信大学, 研究员
2002-05~2004-05,德国Duisburg-Essen University, 研究员
1999-05~2002-05,日本北海道大学, 博士后研究员

   

（1） 国务院政府特殊津贴, 国家级, 2016

   

[1] Feng, Zhiyu, Cao, Shurui, Feng, Ruize, Zhou, Fugui, Su, Yongbo, Ding, Wucang, Jin, Zhi. An Accurate Model for InP HEMT Small-Signal Equivalent Circuit Based on EM Simulation. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023, [2] 金智. Accurate Modeling Approach for InP fT-Doubler Based on Electromagnetic Simulation. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2023, 70(3): 941-946, [3] Zhen, Wenxiang, Xiao, Luning, Cao, Shurui, Su, Yongbo, Jin, Zhi. RF Performance Improvement of InP Frequency Divider by Using Enhanced $f_{T}$ -Doubler Technique. IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS[J]. 2022, 32(9): 1063-1066, http://dx.doi.org/10.1109/LMWC.2022.3169807.
[4] Zhen, Wenxiang, Xiao, Luning, Cao, Shurui, Su, Yongbo, Jin, Zhi. A 35-GHz Bandwidth 30 GSa/s InP Track-and-Hold Amplifier Using Enhanced f(T)-Doubler Technique. IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS[J]. 2022, 69(11): 4243-4247, [5] Li, Shaojun, Su, Yongbo, Lv, Hongliang, Zhou, Lei, Zhang, Yimen, Zhang, Yuming, Hu, Jun, Yang, Feng, Jin, Zhi. A Broadband InP Track-and-Hold Amplifier Using Emitter Capacitive/Resistive Degeneration. IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS[J]. 2020, 30(4): 391-394, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000527791700017.
[6] Yao, Yao, Peng, Songang, Huang, Xinnan, Zhang, Dayong, Shi, Jingyuan, Jin, Zhi. A uniform stable P-type graphene doping method with a gold etching process. NANOTECHNOLOGY[J]. 2019, 30(40): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000476603300003.
[7] Jin Zhi. Carrier-Number-Fluctuation induced ultralow 1/f noise level in top-gated graphene field effect transistors. ACS Applied Materials & Interfaces. 2017, [8] Jin Zhi. The two timescales in the charge trapping mechanism for the hysteresiss behavior in graphene field effect transistors. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2016, [9] Jin Zhi. Intrisic carrier mobility extraction based on a new quasi-analytical model for graphene field-effect transistors. Journal of Physics D: Applied Physics. 2016, [10] Zhang Dayong, Jin Zhi, Shi Jingyuan, Wang Xuanyun, Peng Songang, Wang Shaoqing. The electrochemical transfer of CVD-graphene using agarose gel as solid electrolyte and mechanical support layer. CHEM. COMMUN.[J]. 2015, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1089125.
[11] Peng, Songang, Jin, Zhi, Ma, Peng, Zhang, Dayong, Shi, Jingyuan, Niu, Jiebin, Wang, Xuanyun, Wang, Shaoqing, Li, Mei, Liu, Xinyu, Ye, Tianchun, Zhang, Yanhui, Chen, Zhiying, Yu, Guanghui. The sheet resistance of graphene under contact and its effect on the derived specific contact resistivity. CARBON[J]. 2015, 82: 500-505, http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2014.11.001.
[12] Peng, Songang, Jin, Zhi, PengMa, Zhang, Dayong, Shi, JingYuan, Wang, Xuanyun, Wang, Shaoqing, MeiLi, Liu, Xinyu, Yu, Guanghui. Effect of source-gate spacing on direct current and radio frequency characteristic of graphene field effect transistor. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2015, 106(3): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000348381000069.
[13] Jin, Zhi, Ma, Peng, Wang, Shaoqing, Peng, Songang, Zhang, Dayong, Shi, Jingyuan, Niu, Jiebin, Yu, Guanghui, Wang, Xuanyun, Li, Mei. Hydroxyl-free buffered dielectric for graphene field-effect transistors. CARBON[J]. 2015, 86: 264-271, http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2015.01.030.
[14] Jin Zhi. The anisotropy of field effect mobility of CVD graphene grown on copper foil. SMALL. 2014, [15] Jin Zhi, Liu XinYu. On the design of base-collector junction of InGaAs/InP DHBT. SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES[J]. 2009, 52(6): 1672-1678, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1089162.
[16] Jin, Zhi, Su, Yongbo, Chen, Jianwu, Liu, Xinyu, Wu, Dexin. Study of AlN dielectric film on graphene by Raman microscopy. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2009, 95(23): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000272627700087.
[17] Jin, Z, Su, Y, Cheng, W, Liu, X, Xu, A, Qi, M. Common-base multi-finger submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(max) of 305 GHz. SOLID-STATE ELECTRONICS[J]. 2008, 52(11): 1825-1828, http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2008.09.004.
[18] Jin, Z, Liu, X, Prost, W, Tegude, F J. Surface-recombination-free InGaAs/InP HBTs and the base contact recombination. SOLID-STATE ELECTRONICS[J]. 2008, 52(7): 1088-1091, http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2008.03.016.
[19] 金智, 苏永波, 程伟, 刘新宇, 徐安怀, 齐鸣. High-Breakdown-Voltage Submicron InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with ft=170 GHz and fmax=253 GHz. 中国物理快报：英文版[J]. 2008, 25(7): 2686-2689, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=27686212.

   

（ 1 ） 太赫兹三端电子器件, 主持, 国家级, 2010-01--2014-12
（ 2 ） graphene场效应晶体管及其集成技术研究, 主持, 国家级, 2012-01--2016-12
（ 3 ） 太赫兹HEMT基础问题研究, 主持, 国家级, 2015-01--2019-12
（ 4 ） 石墨烯电子器件与集成技术研究, 主持, 国家级, 2011-01--2016-04
（ 5 ） 石墨烯的CVD制备及其在光电器件中的前瞻性研究, 主持, 部委级, 2012-01--2016-12
（ 6 ） 5G基站宽带高频段功率放大器试验样片研究, 主持, 国家级, 2016-01--2017-12

已指导学生

潘洪亮  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

曹玉雄  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

姚鸿飞  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

周磊  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

苏永波  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

蒲颜  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吴旦昱  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄振兴  硕士研究生  430110-集成电路工程  

王少青  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

陈娇  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄银坤  硕士研究生  430110-集成电路工程  

彭松昂  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

汪丽丹  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

毛达诚  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张国斌  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

现指导学生

黄昕楠  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

童志航  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

姚尧  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王溪  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

晏运鹏  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

曹书睿  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张晓瑞  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

朱超毅  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学