080903-微电子学与固体电子学

射频、微波器件与电路集成技术
集成电路工程
石墨烯器件与电路

1996-09--吉林大学   博士
1993-09--吉林大学   硕士
1989-09--河北师范大学   学士

   

2004-05~2006-10,日本东京电气通信大学, 研究员
2002-05~2004-05,德国Duisburg-Essen University, 研究员
1999-05~2002-05,日本北海道大学, 博士后研究员

   

（1） 国务院政府特殊津贴, 国家级, 2016

   

（1） Carrier-Number-Fluctuation induced ultralow 1/f noise level in top-gated graphene field effect transistors, ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, 通讯作者
（2） The two timescales in the charge trapping mechanism for the hysteresiss behavior in graphene field effect transistors, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2016, 通讯作者
（3） Intrisic carrier mobility extraction based on a new quasi-analytical model for graphene field-effect transistors, Journal of Physics D: Applied Physics, 2016, 通讯作者
（4） Hydroxyl-free buffered dielectric for graphene field-effect transistors, Carbon, 2015, 第 1 作者
（5） The sheet resistance of graphene under contact and its effect on the derived specific contact resistivity, Carbon, 2015, 通讯作者
（6） The electrochemical transfer of CVD-graphene using agarose gel as solid electrolyte and mechanical support layer, Chemical communication, 2015, 通讯作者
（7） Effect of source-gate spacing on direct current and radio frequency characteristic of graphene field effect transistor, Applied Physics Letters, 2015, 通讯作者
（8） The anisotropy of field effect mobility of CVD graphene grown on copper foil, Small, 2014, 通讯作者
（9） Study of AlN dielectric film on graphene by Raman microscopy, Appl. Phys. Lett, 2009, 第 1 作者
（10） On the design of base-collector junction of InGaAs/InP DHBT, Science in China Series E: Technological Sciences, 2009, 第 1 作者
（11） Common-base multi-finger submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with fmax of 305 GHz, Solid-State Electronics, 2008, 第 1 作者
（12） High-Breakdown-Voltage Submicron InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with ft of 170 GHz and fmax of 253 GHz, Chin. Phys. Lett., 2008, 第 1 作者
（13） Surface-recombination-free InGaAs/InP HBTs and the base contact recombination, Solid-State Electronics, 2008, 第 1 作者

   

（ 1 ） 太赫兹三端电子器件, 主持, 国家级, 2010-01--2014-12
（ 2 ） graphene场效应晶体管及其集成技术研究, 主持, 国家级, 2012-01--2016-12
（ 3 ） 太赫兹HEMT基础问题研究, 主持, 国家级, 2015-01--2019-12
（ 4 ） 石墨烯电子器件与集成技术研究, 主持, 国家级, 2011-01--2016-04
（ 5 ） 石墨烯的CVD制备及其在光电器件中的前瞻性研究, 主持, 部委级, 2012-01--2016-12
（ 6 ） 5G基站宽带高频段功率放大器试验样片研究, 主持, 国家级, 2016-01--2017-12

已指导学生

潘洪亮  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

曹玉雄  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

姚鸿飞  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

周磊  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

苏永波  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

蒲颜  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吴旦昱  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄振兴  硕士研究生  430110-集成电路工程  

王少青  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

陈娇  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄银坤  硕士研究生  430110-集成电路工程  

彭松昂  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

汪丽丹  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

毛达诚  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张国斌  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

现指导学生

黄昕楠  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

童志航  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

姚尧  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王溪  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

晏运鹏  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

曹书睿  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张晓瑞  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

朱超毅  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学