基本信息
韩郑生  男  博导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: zshan@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码: 100029

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085209-集成电路工程
招生方向
高可靠性器件与集成技术
集成电路设计技术

教育背景

1985-09--1988-06   西安交通大学   研究生毕业/工学硕士
1979-09--1983-06   西安交通大学   本科毕业/工学学士

工作经历

   
工作简历
1999-06~2000-06,香港科技大学, 访问学者
1997-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
社会兼职
2013-09-01-2017-12-31,中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 学术委员会委员
2011-11-22-今,北京电力电子学会, 理事

教授课程

半导体工艺与制造技术
半导体制造技术

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 抗辐照8kx8 SOI CMOS SRAM, 二等奖, 部委级, 2009
(2) 政府特殊津贴, , 国家级, 2007
(3) 亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究, 二等奖, 国家级, 2005
(4) 高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究, 一等奖, 省级, 2004
专利成果
( 1 ) 一种SOI NMOS总剂量辐照建模方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010251985.7
( 2 ) 电流灵敏放大器, 发明, 2009, 第 2 作者, 专利号: 200910305971.6
( 3 ) 具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 200810057921.6
( 4 ) 一种对半导体器件进行总剂量辐照提参建模的方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010145101.X
( 5 ) 一种基于绝缘体上硅的PMOS辐射剂量计, 发明, 2010, 第 4 作者, 专利号: 201010531162.X
( 6 ) 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法, 发明, 2010, 第 4 作者, 专利号: 201010157559.7
( 7 ) 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 201010531161.5
( 8 ) 一种SOI体电阻建模方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010217274.8
( 9 ) 具有H型栅的射频SOI LDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 200810057936.2
( 10 ) 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 200810104230.7
( 11 ) 一种对半导体器件进行提参建模的方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 201010145308.7
( 12 ) DEVICE AND METHOD FOR STORING ENCODED AND/OR DECODED CODES BY RE-USING ENCODER, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: US9,032,270B2
( 13 ) 温控可充气真空辐射设备, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102339655B
( 14 ) 一种改进SOI结构抗辐照性能的方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102522362B
( 15 ) 存储单元测试电路及其测试方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN102903392B
( 16 ) SOIH型栅MOS器件的建模方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102982215B
( 17 ) 一种硅基有机发光二极管像素驱动电路, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102903331B
( 18 ) 集成电路测试方法, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN102866349B
( 19 ) 抗辐照加固的SOI结构及其制作方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN102437087B
( 20 ) MOS器件的建模方法, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN102646147B
( 21 ) SOIMOS晶体管, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102683416B
( 22 ) MOS器件的建模方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102708268B
( 23 ) 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构, 发明, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN102593170B
( 24 ) 一种绝缘体上硅二极管器件及其制造方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN102244030B
( 25 ) SOIMOS器件的建模方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102789530B
( 26 ) 一种PN结结深测算方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN102738030B
( 27 ) 一种SOI体电阻建模方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN102298655B
( 28 ) 一种SOINMOS总剂量辐照建模方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN102375896B
( 29 ) 一种激光脉冲单粒子效应模拟系统, 发明, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN102495355B
( 30 ) 一种OLEDoS微显示器件, 发明, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102306708B
( 31 ) 一种全电流灵敏放大器, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102394094B
( 32 ) 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管, 发明, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102468332B
( 33 ) 液晶显示器用玻璃的制造方法, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102417300B
( 34 ) 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法, 发明, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102236063B
( 35 ) 一种维持电压可调节的可控硅结构, 发明, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102332467B
( 36 ) 基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102054845B
( 37 ) 一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102117797B
( 38 ) 一种对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN101907719B
( 39 ) 一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN101964005B
( 40 ) 一种CMOS集成电路抗辐照加固电路, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102118152B
( 41 ) 晶体管测试装置及方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN101930051B
( 42 ) 一种可调整量程的堆叠测量电路, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN101937091B
( 43 ) 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN101276788B
( 44 ) 一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN101621009B
( 45 ) 一种改善SOI 电路ESD 防护网络用的电阻结构, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN101562188B
( 46 ) 电流灵敏放大器, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101635170B
( 47 ) 一种绝缘体上硅器件及其制备方法, 发明, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101621064B
( 48 ) 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101458337B
( 49 ) 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101562140B
( 50 ) 具有紧密体接触的射频SOILDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101515586B
( 51 ) 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101562187B
( 52 ) 具有H型栅的射频SOILDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101515588B
( 53 ) 一种用于硅基液晶显示器件的帧存储像素电路, 发明, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100550118C
( 54 ) 一种氮化氧化膜的制备方法, 发明, 2004, 第 4 作者, 专利号: CN1178282C

出版信息

   
发表论文
[1] Xiong, GuoDong, Zhu, HuiPing, Wang, Lei, Li, Bo, Zhao, FaZhan, Han, ZhengSheng. Evolution of optical properties and molecular structure of PCBM films under proton irradiation. CHINESE PHYSICS B[J]. 2022, 31(5): 582-587, http://dx.doi.org/10.1088/1674-1056/ac322b.
[2] 刘涛, 岂飞涛, 朱蓓丽, 张琳, 刘海南, 滕瑞, 李博, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 基于静态输入检测的ADC单粒子效应测试系统. 微电子学[J]. 2022, 52(2): 329-333, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107576952.
[3] Zhang, Mengdi, Zhao, Ye, Han, Zhengsheng, Zhao, Fazhan. A 19 ps Precision and 170 M Samples/s Time-to-Digital Converter Implemented in FPGA with Online Calibration. APPLIED SCIENCES-BASEL[J]. 2022, 12(7): http://dx.doi.org/10.3390/app12073649.
[4] Xiong, Guodong, Zhu, Huiping, Wang, Lei, Fan, Linsheng, Zheng, Zhongshan, Li, Bo, Zhao, Fazhan, Han, Zhengsheng. Radiation damage and abnormal photoluminescence enhancement of multilayer MoS2 under neutron irradiation. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER[J]. 2022, 34(5): [5] 韩郑生. 考虑背栅电流的DSOI MOSFET阈值电压模型研究. 原子能科学技术. 2021, [6] Zhang, X, Liu, F Y, Li, B, Li, B H, Luo, J J, Han, Z S, Arsalan, M, Wan, J, Cristoloveanu, S. Pseudo-MOSFET transient behavior: Experiments, model, substrate and temperature effect. SOLID-STATE ELECTRONICS[J]. 2021, 186: http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2021.108131.
[7] Li, Yangyang, Zeng, Chuanbin, Li, Xiaojing, Gao, Linchun, Yan, Weiwei, Li, Duoli, Zhang, Yi, Han, Zhengsheng, Luo, Jiajun. Applications of Direct-Current Current-Voltage Method to Total Ionizing Dose Radiation Characterization in SOI NMOSFETs with Different Process Conditions. ELECTRONICS[J]. 2021, 10(7): https://doaj.org/article/688191f8c1304c60a8c81f932ba0cf68.
[8] Chen, WeiZhong, Huang, YuanXi, Huang, Yao, Huang, Yi, Han, ZhengSheng. A super-junction SOI-LDMOS with low resistance electron channel. CHINESE PHYSICS B[J]. 2021, 30(5): 607-612, http://dx.doi.org/10.1088/1674-1056/abe374.
[9] Xiong, Guodong, Qin, Zilun, Li, Bo, Wang, Lei, Zhang, Xuewen, Zheng, Zhongshan, Zhu, Huiping, Zhao, Suling, Gao, Jiantou, Li, Binhong, Yang, Jianqun, Li, Xingji, Luo, Jiajun, Han, Zhengsheng, Liu, Xinyu, Zhao, Fazhan. Radiation hardness and abnormal photoresponse dynamics of the CH3NH3PbI3 perovskite photodetector. JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C[J]. 2021, 9(6): 2095-2105, http://dx.doi.org/10.1039/d0tc05148a.
[10] 王加鑫, 李晓静, 赵发展, 曾传滨, 李博, 韩郑生, 罗家俊. 用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性. 半导体技术[J]. 2021, 46(3): 210-215, https://kns.cnki.net/KCMS/detail/detail.aspx?dbcode=CJFQ&dbname=CJFDLAST2021&filename=BDTJ202103008&v=MzE1MzZyV00xRnJDVVI3dWZZZWRtRmlyaFdyN0JKeW5mWkxHNEhORE1ySTlGYklSOGVYMUx1eFlTN0RoMVQzcVQ=.
[11] Wang, JiaXin, Li, XiaoJing, Zhao, FaZhan, Zeng, ChuanBin, Li, DuoLi, Gao, LinChun, Li, JiangJiang, Li, Bo, Han, ZhengSheng, Luo, JiaJun. Trigger mechanism of PDSOI NMOS devices for ESD protection operating under elevated temperatures*. CHINESE PHYSICS B[J]. 2021, 30(7): 613-618, http://dx.doi.org/10.1088/1674-1056/abe2fe.
[12] Gu, Rui, Wang, Lei, Zhu, Huiping, Han, Shuangping, Bai, Yurong, Zhang, Xuewen, Li, Bo, Qin, Chengbing, Liu, Jie, Guo, Gang, Shan, Xiaoting, Xiong, Guodong, Gao, Jiantou, He, Chaohui, Han, Zhengsheng, Liu, Xinyu, Zhao, Fazhan. Engineering and Microscopic Mechanism of Quantum Emitters Induced by Heavy Ions in hBN. ACS PHOTONICS[J]. 2021, 8(10): 2912-2922, http://dx.doi.org/10.1021/acsphotonics.1c00364.
[13] Gao, Libo, Du, Chuanhua, Bu, Jianhui, Li, Jiangjiang, Ma, Quangang, Zhao, Fazhan, Zeng, Chao, Gao, Jiantou, Li, Duoli, Zeng, Chuanbin, Han, Zhengsheng, Luo, Jiajun. A transient ionizing radiation SPICE model for PDSOI MOSFET. MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS[J]. 2021, 63(8): 2103-2107, http://dx.doi.org/10.1002/mop.32317.
[14] 韩郑生. Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology. IEEE Transactions on Nuclear Science. 2021, [15] 张颢译, 曾传滨, 李晓静, 高林春, 罗家俊, 韩郑生. 28 nm超薄体FD-SOI高温特性研究. 微电子学[J]. 2021, 51(4): 577-581, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7105717846.
[16] Shan, Xiaoting, Li, Bo, Zhao, Fazhan, Wang, Lei, Sun, Yun, Xun, Meng, Liu, Jie, Gao, Jiantou, Gu, Rui, Yang, Chengyue, Xie, Yiyang, Wang, Ju, Wang, Shufeng, Han, Zhengsheng, Zhou, Jingtao, Wu, Dexin. Radiation effects of heavy ions on the static and dynamic characteristics of 850 nm high-speed vertical cavity surface emitting lasers. JOURNAL OF LUMINESCENCE[J]. 2021, 237: http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2021.118136.
[17] Wang, G Q, Liu, F Y, Li, B, Luo, J J, Huang, Y, Su, X H, Han, Z S, Zhang, J J, Wang, Y C, Wu, C N, Zhang, J M, Cristoloveanu, S. Revisited parasitic bipolar effect in FDSOI MOSFETs: Mechanism, gain extraction and circuit applications. SOLID-STATE ELECTRONICS[J]. 2021, 185: http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2021.108069.
[18] 李垌帅, 王芳, 王可为, 卜建辉, 韩郑生, 罗家俊. 90 nm PDSOI MOSFET热阻研究. 微电子学[J]. 2021, 51(2): 251-254, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7104763419.
[19] 韩郑生. 90nm PD SOI MOSFET热阻研究. 微电子学. 2020, [20] Zheng, Zhongshan, Li, Zhentao, Li, Bo, Luo, Jiajun, Han, Zhengsheng, Liu, Xinyu, IEEE. Fundamental Mechanism Analyses of NBTI-Induced Effects on Single-Event Upset Hardness for SRAM Cells. 2020 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA)null. 2020, [21] 陆航, 蔡小五, 韩郑生, 刘海南, 罗家俊. 一种宽电源带有高阶温度补偿的电压基准电路. 微电子学与计算机[J]. 2020, 37(12): 4-, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7103510023.
[22] 张峰源, 李博, 刘凡宇, 杨灿, 黄杨, 张旭, 罗家俊, 韩郑生. FinFET器件总剂量效应研究进展. 微电子学. 2020, 875-884, [[["https://kns.cnki.net/KCMS/detail/detail.aspx?dbcode=CJFD&dbname=CJFDAUTO&filename=MINI202006019&v=MTY3MzVrVXJyTUtDVEZaN0c0SE5ITXFZOUViWVI4ZVgxTHV4WVM3RGgxVDNxVHJXTTFGckNVUjd1Zlp1ZHJGaXY="]]].
[23] 张峰源, 李博, 刘凡宇, 杨灿, 黄杨, 张旭, 罗家俊, 韩郑生. FinFET器件总剂量效应研究进展. 微电子学[J]. 2020, 50(6): 875-884, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7103795603.
[24] 王成成, 周龙达, 蒲石, 王芳, 杨红, 曾传滨, 韩郑生, 罗家俊, 卜建辉. 部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究. 航空科学技术[J]. 2020, 31(1): 76-80, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7100918157.
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[27] Wang, Lei, Pan, Zhangxu, Li, Bo, Wang, Junjun, Guan, Xiaojun, Wang, Ju, Liu, Ningyang, Wang, Shufeng, Zhang, Xuewen, Gu, Rui, Gong, Zheng, Wei, Zhengjun, Zhu, Huiping, Liu, Naixin, Li, Binhong, Gao, Jiantou, Huang, Yang, Liu, Mengxin, Yang, Jianqun, Li, Xingji, Luo, Jiajun, Han, Zhengsheng, Liu, Xinyu. Mechanism Analysis of Proton Irradiation-Induced Increase of 3-dB Bandwidth of GaN-Based Microlight-Emitting Diodes for Space Light Communication. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE[J]. 2020, 67(7): 1360-1364, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000550669800019.
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[434] 刘新宇, 孙海峰, 刘洪民, 韩郑生, 海潮和. CMOS/SOI4kb静态随机存储器. 功能材料与器件学报[J]. 2002, 8(2): 165-169, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=6497528.
[435] 刘运龙, 刘新宇, 韩郑生, 海潮和, 钱鹤. 氮化H_2-O_2合成薄栅介质的击穿特性. 半导体学报[J]. 2002, 23(11): 1207-1210, [436] 刘新宇, 孙海峰, 刘洪民, 韩郑生, 海潮和. CMOS/SOI4kb静态随机存储器. 功能材料与器件学报[J]. 2002, 8(2): 165-169, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=6497528.
[437] 刘运龙, 刘新宇, 韩郑生, 海潮和, 钱鹤. 氮化H_2-O_2合成薄栅介质的击穿特性. 半导体学报[J]. 2002, 23(11): 1207-1210, [438] Baggio, J, Brisset, C, Sommer, JL, Dhose, C, Lalande, P, Leray, JL, Musseau, O. Electrical and optical response of a laser diode to transient ionizing radiation. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE[J]. 1996, 43(3): 1038-1043, [439] Baggio, J, Brisset, C, Sommer, JL, Dhose, C, Lalande, P, Leray, JL, Musseau, O. Electrical and optical response of a laser diode to transient ionizing radiation. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE[J]. 1996, 43(3): 1038-1043, 
发表著作
(1) 半导体制造技术, Semiconductor Manuafacturing Technology, 电子工业出版社, 2004-04, 第 1 作者
(2) 芯片制造—半导体工艺制程实用教程, Microchip Fabrication A Practical Guide to Semiconductor Processing, 电子工业出版社, 2010-08, 第 1 作者
(3) 抗辐射集成电路概论, Introduction to Radiation Hardened Integrated Circuit, 清华大学出版社, 2011-04, 第 1 作者
(4) 功率半导体器件基础, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, 电子工业出版社, 2013-02, 第 1 作者
(5) 空间单粒子效应-影响航天电子系统的危险因素, Sing Event Effects in Aerospace, 电子工业出版社, 2016-03, 第 1 作者
(6) 现代电子系统软错误, Soft Errors in Modern Electronic Systems, 电子工业出版社, 2016-07, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) ESD研究用传输线脉冲发生器, 主持, 国家级, 2010-01--2012-12
参与会议
(1)数值模拟技术在总剂量效应物理机理、效应规律研究中的应用概述及待研究问题   电子器件、电路和系统辐射效应数值模拟技术研讨会   韩郑生   2016-07-21

指导学生

已指导学生

郭天雷  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李瑞贞  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

汤仙明  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李桦  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

宋文斌  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

赵超荣  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王晓慧  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王文博  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

刘梦新  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

卢烁今  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄苒  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

淮永进  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

范紫菡  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

范雪梅  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

卜建辉  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

陆江  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

龚鸿雁  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王一奇  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王帅  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

姜一波  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

赵博华  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

梅博  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

国硕  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

贾少旭  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李松  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

刘鑫  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吴驰  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

滕渊  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

喻巧群  博士研究生  085271-电子与信息  

郝乐  博士研究生  085271-电子与信息  

田晓丽  博士研究生  085271-电子与信息  

现指导学生

郝宁  博士研究生  085271-电子与信息  

王林飞  博士研究生  085271-电子与信息  

陈宏  博士研究生  085271-电子与信息  

宿晓慧  博士研究生  085271-电子与信息  

胡飞  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

陆航  硕士研究生  085209-集成电路工程  

熊国栋  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

高悦欣  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李浩  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学