基本信息
刘洪刚  男  博导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: liuhonggang@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码: 100029

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
080904-电磁场与微波技术
招生方向
射频、微波器件与电路集成技术
高可靠性器件与集成技术
纳米电子器件

教育背景

2003-09--2006-02   Simon Fraser University   博士后
2000-09--2003-07   中科院微电子所   博士学位
学历
中国科学院微电子研究所 -- 研究生
学位
中国科学院微电子研究所 -- 博士

工作经历

   
工作简历
2009-09~现在, 中科院微电子所, 研究员
2006-02~现在, 瑞士联邦理工学院, 副研究员

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 高迁移率III-V族半导体MOS界面结构, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010118896.5
( 2 ) 一种高迁移率CMOS集成单元, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: 201010578514.7
( 3 ) 一种高迁移率衬底结构及其制备方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201010578522.1
( 4 ) 一种硅基张应变衬底结构及其制备方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201110124329.5
( 5 ) 一种硅基III-V族半导体材料的集成方法, 发明, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910312160.9
( 6 ) 一种III-V族半导体MOS界面结构, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110138043.2
( 7 ) InP基MOSHEMT结构及其制备方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106711211
( 8 ) 一种双栅InGaAs PMOS场效应晶体管, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106298947

出版信息

   
发表论文
(1) Modification of Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 通讯作者
(2) High Performance InGaAs MOSFETs with an InGaP Interface Control Layer and ALD-Al2O3 Gate Oxide for RF Switch Applications, Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH 2017), 2017, 通讯作者
(3) Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric, Chinese Physics Letters, 2017, 通讯作者
(4) Kinetic Study of GeO Disproportionation into GeO2/Ge System Using X-ray Photoelectron Spectroscopy, Applied Physics Letters, 2012, 通讯作者
(5) Extrinsic Base Surface Passivation in Terahertz GaAsSb/InP DHBTs Using InGaAsP Ledge Structures, IEEE Transaction on Electron Devices, 2011, 第 1 作者
(6) Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed Type-II GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure, Chinese Physics Letters, 2010, 第 1 作者
(7) Emitter Size Effects and Ultimate Scalability of InP: GaInP/GaAsSb/InP DHBTs, IEEE Electron Device Letters, 2008, 第 1 作者
(8) High-current-gain InP/GaInP/GaAsSb/InP DHBTs with fT = 436 GHz, IEEE Electron Device Letters, 2007, 第 1 作者
(9) Extraction of the Average Collector Velocity in High Speed “Type-II” InP-GaAsSb-InP DHBTs, IEEE Electron Device Letters, 2004, 第 1 作者
发表著作
(1) Passivation and Characterization in High-k/III-V Interfaces, Springer Publisher, New York, USA, 2017-02, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 高迁移率CMOS新结构器件与工艺集成研究, 主持, 国家级, 2011-01--2016-12
( 2 ) 半导体二维原子材料的器件构建、集成与性能研究, 主持, 国家级, 2017-01--2021-12
( 3 ) 毫米波雷达关键芯片与演示系统, 参与, 国家级, 2017-01--2021-12
参与会议
(1)Growth of Epitaxial Beryllium Oxide on Ge (111) by Molecular Beam EpitaxyGrowth of Epitaxial Beryllium Oxide on Ge (111) by Molecular Beam Epitaxy   S. K. Wang, HG Liu   2012-09-25
(2)A Multi-band THz Regime Metameterial Design Using a Paired Metallic Circular-strip Structure   Xudong Cui, Honggang Liu   2010-05-09
(3)600 GHz InP-GaAsSb DHBTs grown by MOCVD with a GaAsSb graded-base and fTXBVCEO higher than 2.5 THz-V at room temperature   HG Liu   2007-12-21
(4)The InP/GaAsSb type II heterostructure system and its application to high-speed DHBTs and photodetectors: physics, surprises, and opportunities   HG Liu   2005-12-22

指导学生

已指导学生

卢力  硕士研究生  430110-集成电路工程  

常虎东  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王虹  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

薛百清  硕士研究生  430109-电子与通信工程  

刘桂明  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

许维  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

夏庆贞  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄凯亮  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄嘉伟  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

刘建华  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吴磊  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李东泽  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李金玮  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

研究领域

先进半导体器件;射频毫米波电路;