元器件单粒子效应

       宇宙中遍布高能带电粒子，极易轰击航天器半导体器件引发单粒子效应，直接威胁卫星在轨可靠性与服役寿命。依托兰州重离子加速器大型实验平台，开展地面辐照模拟试验，开展器件失效机理与抗辐照加固技术研究，深耕航天微电子可靠性，以硬核科研奔赴星辰大海，期待有志青年一同解锁航天芯片防护核心技术！

重离子核孔膜

依托重离子辐照独特加工优势，团队深耕核孔膜精准结构化制备、微观性能调控与诸如全钒液流电池质子交换膜的多领域前沿应用。从微观孔道物理机制探索，到低成本规模化工程落地，兼具基础理论创新与产业转化价值。诚邀同学加入，探索亚纳米孔道离子输运机制，共同推进基础研究与工程突破！！！

   

070205-凝聚态物理

元器件单粒子效应
核孔膜

   

2023-02~现在, 中国科学院近代物理研究所, 研究员
2020-06~2023-01,中国科学院近代物理研究所, 研究员
2011-03~2020-05,中国原子能科学研究院, 助理研究员，副研究员，理学博士，辐射效应研究室主任助理，重离子组组长，国防抗辐照应用技术创新中心机理研究部主任
2010-04~2011-03,日本高崎量子应用研究所, 访问学者
2009-08~2010-03,中国原子能科学研究院, 研究实习员

2025-05-09-今,中国科学院兰州分院党外知识分子联谊会, 副会长
2024-10-25-2029-10-25,全钒液流电池专家委员会, 委员
2024-04-30-2027-04-29,强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室客座研究员, 客座研究员

   

（1） Deep learning-based prediction of heavy ion ionization track structures in silicon, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, 2026, 第 3 作者  通讯作者
（2） Evaluating single event effects on 28 nm FPGAs under multi conditions: high-LET ion irradiation and fault injection, RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2025, 第 2 作者  通讯作者
（3） Vertically Aligned Sub-Nanometer Channel Arrays Endow Chemically Robust PBI Membranes with High Ion Sieving Selectivity, ACS Applied Polymer Materials, 2025, 第 8 作者  通讯作者
（4） Characteristics of secondary ions and their impact on single-event upset in TMD devices under proton irradiation, NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2024, 第 2 作者  通讯作者
（5） Exploring the impact of shrinking feature sizes on proton-induced saturation SEU cross-section through simulation, Microelectronics Reliability, 2023, 
（6） Highly stable electrical performances of HfO2-based ferroelectric devices under proton irradiation, NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2023, 第 6 作者
（7） Effect of temperature on heavy ion-induced single event transient on 16-nm FinFET inverter chains, 中国物理B, 2023, 第 1 作者  通讯作者
（8） Exploring the impact of shrinking feature sizes on proton-induced saturation SEU cross-section through simulation, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2023, 第 2 作者  通讯作者
（9） Investigation of radiation response for III-V binary compound semiconductors due to protons using Geant4, NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2022, 第 2 作者
（10） 一种低开销的近似乘法器设计, Desing of a Low-overhead Approximate Multiplier, 小型微型计算机系统, 2021, 第 5 作者
（11） Impact of heavy ion energy and species on single-event upset in commercial floating gate cells, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 第 4 作者
（12） A Layout-Based Rad-Hard DICE Flip-Flop Design, JOURNAL OF ELECTRONIC TESTING-THEORY AND APPLICATIONS, 2019, 第 6 作者
（13） A single event upset tolerant latch design, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 第 5 作者
（14） 半导体器件内离子有效LET值测量方法研究, Study of Measurement of the Ion Effective LET in Semiconductor Devices, 电子学报, 2018, 第 4 作者
（15） Microbeam Heavy-Ion Single-Event Effect on Xilinx 28-nm System on Chip, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 第 5 作者
（16） 65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究, Micro-beam and Broad-beam Experimental Research of Multiple-cell Upset in 65nm Dual-well CMOS SRAM, 原子能科学技术, 2018, 第 6 作者
（17） 温度对TFT SRAM单粒子翻转及其空间错误率预估的影响, Effect of Temperature on Single Event Upset of TFT SRAM and Its Space Error Rate Prediction, 原子能科学技术, 2018, 第 1 作者
（18） Characterization of Single-Event Transient Pulse Broadening Effect in 65 nm Bulk Inverter Chains Using Heavy Ion Microbeam, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2017, 第 5 作者
（19） 

（1） Radiation Effects of Advanced Electronic Devices and Circuits, 2nd Edition, MDPI, 2025-12, 第 3 作者
（2） Radiation Effects of Advanced Electronic Devices and Circuits, MDPI, 2024-12, 第 2 作者

   

（1）高LET值离子辐照16 nm体硅FinFET反相器链诱发的SET温度依赖性研究   第二届全国电子材料与器件大会   2023-10-13

现指导学生

靳勇敢  硕士研究生  070205-凝聚态物理  

陈天灵  博士研究生  070205-凝聚态物理