超大规模集成电路的研究，现担任“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”课题首席专家, 该项目属国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”.

1982-09--1988-07   北京师范大学   理学物理博士
1978-03--1982-07   中国科学技术大学   理学学士

中国科技大学物理本科
北京师范大学 理论物理研究生

中国科技大学 物理学士
北京师范大学 理论物理博士

2009年-至今：中国科学院微电子研究所，位于北京。研究员，博士生导师， 集成电路先导工艺研发中心（十室）首席科学家；
2000年-2009年：IBM半导体研究和开发中心(SRDC)， 位于纽约的Hopewell Junction。提出了多项提高芯片性能的核心技术方案，其中包括双应力薄膜（Dual Stress Liner）、应力近临技术（stress proximity technique）、减薄栅极的应变MOSFET等　。较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象，提出了新的数学模型及解析解法，并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式；
　
1998年-2000年：英特尔(Intel)， 位于加利福尼亚州的Santa Clara。研究和开发极大规模集成电路和芯片制造工艺的建模与仿真软件。开发模拟芯片制造工艺(CMOS， 半导体存储器， 离子注入， 掺杂扩散，的软件，并用于模拟CMOS器件的生产制造过程。指导公司与大学之间的研究合作工作。　

1996年-1998年：数字设备公司(DEC)， 位于马萨诸塞州的Hudson。研究和开发大规模集成电路和芯片制造工艺的模型与仿真。设计实验并用于校准硼和磷的扩散模型;并应用这些模型来模拟亚微米CMOS器件的制造过程；参与器件的工艺设计。指导公司与大学之间的研究计划。　

1992年-1996年：伊利诺伊大学厄巴纳-尚佩恩分校（UIUC）材料研究实验室(MRL)，位于伊利诺伊州的Urbana-Champaign 　。用分子动力学研究纳米粒子烧结过程的先驱之一；第一次发现了纳米粒子超快速烧结（几十微微秒）的现象并给出了理论解释。据不完全统计，此项工作他引达139次。　

1990年-1992年：美国阿贡国家实验室(Argonne National Lab)材料科学部，位于伊利诺伊州的Argonne 。用分子动力学研究离子注入，原子混合，和原子扩散现象。

1988年-1990年：北京师范大学低能核物理研究所， 北京。从事原子扩散，离子注入表面该性和核反应堆辐射损伤的理论物理研究。

获已授权美国发明专利170件；获已授权中国发明专利和已授理中国发明专利申请130多件； 
- 中组部“****”入选者；
- IBM全公司2007年度4名引领发明家(Leading Inventor)之一；
- IBM半导体研究和开发中心2008年度的发明大师（Master Inventor）；
- 2项专利获IBM杰出专利奖;
- 获得IBM公司发明成就奖51次.。

（ 1 ） Method and Apparatus for Increase Strained Effect in a Transistor Channel, 发明, 2004, 第 2 作者, 专利号: US7118999
（ 2 ） Structure and method to enhance both nFET and pFET performance using different kinds of stressed layers, 发明, 2003, 第 1 作者, 专利号: US20050093030A1
（ 3 ） STRUCTURE AND METHOD TO ENHANCE STRESS IN A CHANNEL OF CMOS DEVICES USING A THIN GATE, 发明, 2006, 第 1 作者, 专利号: US20060160317A1
（ 4 ） 晶体管及其制造方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201510617308
（ 5 ） 具有高质量外延层的半导体器件及其制造方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201510888884
（ 6 ） semiconducntor device and method for manufacturing the same, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 14/439,514
（ 7 ） METHOD FOR MANUFACTURING MOSFET, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 14/440,463
（ 8 ） SEMICONDUCTOR arrangements AND METHODs FOR MANUFACTURING THE SAME, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 14/761,262
（ 9 ） PLANARIZATION PROCESS, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 14/722,022
（ 10 ） 金属化叠层及包括其的半导体器件和电子设备, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN201610153583
（ 11 ） 存储单元、存储器件及电子设备, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN201610048641
（ 12 ） 包括带电荷穿通阻止层以降低穿通的CMOS器件及其制造方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN201510745228
（ 13 ） 带体区的竖直型器件及其制造方法及相应电子设备, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201810099517.9
（ 14 ） 半导体器件制造方法, 发明, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN201310031150.4
（ 15 ） 半导体器件及其制造方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN201310388631.0
（ 16 ） 包括带电荷穿通阻止层以降低穿通的半导体器件及其制造方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN201510746553.6
（ 17 ） FinFET及其制造方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN201210464915.9
（ 18 ） 半导体装置及其制造方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN201310630180.7
（ 19 ） 存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN201610872740.3
（ 20 ） 半导体设置及其制造方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN201310674438.3
（ 21 ） 包括带电荷体侧墙的半导体器件及其制造方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN201510746438.9
（ 22 ） 半导体器件及其制造方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN201310050123.1
（ 23 ） 存储器件及其制造方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN201310247278.4
（ 24 ） 半导体器件, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN201510600216.6
（ 25 ） 半导体器件、其制造方法、集成电路及电子设备, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201811577677.6
（ 26 ） 具有自对准栅结构的半导体器件及其制造方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201510888498.4
（ 27 ） IC UNIT AND METHOND OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 16/421,009
（ 28 ） 半导体器件及其制造方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201310013932.5
（ 29 ） 具有均匀阈值电压分布的半导体器件及其制造方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201510516131.X
（ 30 ） SOI器件及其制造方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201510254364.7
（ 31 ） SOI器件及其制造方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201510468284.1
（ 32 ） 具有高质量外延层的半导体器件及其制造方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201510888884.3
（ 33 ） 具有高质量外延层的半导体器件及其制造方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201610439233.0
（ 34 ） 具有高质量外延层的纳米线半导体器件及其制造方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201510888321.4
（ 35 ） 具有高质量外延层的半导体器件及其制造方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201510888548.9
（ 36 ） 具有高质量外延层的纳米线半导体器件及其制造方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201610440133.X
（ 37 ） 基于外延层的半导体器件及其制造方法及包括其的电子设备, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201610440055.3
（ 38 ） 一种垂直纳米线MOSFET及其制造方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201611112523.0
（ 39 ） 存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201610872390.0

代表性论文和专利：
1) H. Zhu et al, “Improving Yields of High Performance 65 nm Chips with Sputtering Top Surface of Dual Stress Liner,” VLSI 2007, pp180-181

2) H. Zhu et al, “On the Control of Short Channel Effect for MOSFETs with Reverse Halo Implantation” IEEE Electron Device Lett., vol. 28, no. 2, pp168-170, 2007。

3）H. Zhu, “Modeling of Impurity Diffusion with Vacancy-Mechanism in Diamond Lattice and Si1-xGex,” Electrochemical Society Proceedings Volume 2004-07, pp. 923-934

4) H. Zhu et al, “STRUCTURE AND METHOD TO ENHANCE STRESS IN A CHANNEL OF CMOS DEVICES USING A THIN GATE”, US Patent application number: US20060160317A1

5) H. Zhu et al, “Structure and method for manufacturing planar SOI substrate with multiple orientations”, US Patent number: US7094634.

6) H.S. Yang and H. Zhu, “Method and Apparatus for Increase Strained Effect in a Transistor Channel,” US Patents: US7118999 and US7462915

7) K. Lee and H. Zhu, “Method for slowing down dopant-enhanced diffusion in substrates and devices fabricated therefrom,” US Patent: US7163867

8) B. Doris et al, “Structure and method to enhance both nFET and pFET performance using different kinds of stressed layers” US Patent Application: US20050093030A1

9) H. Zhu and R. S. Averback, "Sintering processes of two nanoparticles: a study by molecular-dynamics simulations," Phil. Mag. Lett. 73, no.1, (1996): 27-33.

10) H. Zhu et al, “Molecular-Dynamics Simulations of a 10-keV Cascade in Beta-NiAl,” Philosophical Magazine A71 735-758, 1995

22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设

已指导学生

于伟泽  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吴彬能  硕士研究生  430109-电子与通信工程  

肖卫平  硕士研究生  430110-集成电路工程  

吴昊  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

聂鹏飞  硕士研究生  430109-电子与通信工程  

贾昆鹏  硕士研究生  430110-集成电路工程  

许淼  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

赵恒亮  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

魏星  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

贾昆鹏  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

万光星  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李俊锋  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

尹晓艮  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

刘勇波  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李晨  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄伟兴  硕士研究生  085209-集成电路工程  

肖忠睿  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

谢璐  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李洋洋  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李鑫昊  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

马师帅  硕士研究生  085208-电子与通信工程