基本信息
闫建昌  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: yanjc@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所
邮政编码: 100083

研究领域

1、氮化物半导体材料与器件;

2、氮化物半导体材料的MOCVD外延;

3、紫外发光二极管(UVLED);

4、紫外激光二极管(UV LD);

5、二维材料及微纳结构与氮化物材料、器件的创新融合;

6、氮化物半导体无源光子学;

6、氮化物半导体人工光合成。

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
氮化物半导体材料与器件
GaN基LED及激光器
低维结构材料与器件

教育背景

2004-09--2009-07   中国科学院半导体研究所   工学博士
2000-09--2004-07   清华大学   学士学位

工作经历

   
工作简历
2018-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2013-01~2017-12,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2009-07~2012-12,中国科学院半导体研究所, 助理研究员

教授课程

第三代半导体材料及应用

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 国家科学技术进步奖, 二等奖, 国家级, 2015
(2) 北京市科学技术奖一等奖, 一等奖, 省级, 2012
专利成果
[1] 梁冬冬, 魏同波, 闫建昌, 王军喜. 基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构. CN: CN109585270B, 2021-02-12.
[2] 王军喜, 张亮, 郭亚楠, 吴清清, 闫建昌. 一种基于多孔外延模板的紫外发光二极管及其制作方法. CN: CN108922947B, 2020-12-25.
[3] 刘志彬, 郭亚楠, 闫建昌, 李晋闽, 王军喜. 高质量AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法. CN: CN111710595A, 2020-09-25.
[4] 郭亚楠, 刘志彬, 闫建昌, 李晋闽, 王军喜. 高质量低应力AlN图形模板的制备方法. CN: CN111710594A, 2020-09-25.
[5] 郭亚楠, 刘志彬, 闫建昌, 李晋闽, 王军喜. 提高LED倒装芯片光提取效率的方法. CN: CN111710765A, 2020-09-25.
[6] 郭亚楠, 闫建昌, 刘志彬, 王军喜, 李晋闽. 具有p型极化掺杂的III族氮化物光电子器件. CN: CN111710762A, 2020-09-25.
[7] 刘志彬, 郭亚楠, 闫建昌, 李晋闽, 王军喜. 极性可控的高质量AlN模板制备方法. CN: CN111676451A, 2020-09-18.
[8] 闫建昌, 刘春岩, 王军喜, 李晋闽. 带有光强自动反馈校正功能的紫外光源系统及其应用. CN: CN111542152A, 2020-08-14.
[9] 闫建昌, 刘春岩, 薛斌, 郭亚楠, 王军喜, 李晋闽. 紫外LED匀光装置. CN: CN211214531U, 2020-08-11.
[10] 刘春岩, 闫建昌, 郭亚楠, 王军喜, 李晋闽. 基于紫外LED杀菌新风系统. CN: CN211204334U, 2020-08-07.
[11] 刘春岩, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 一种陶瓷基板及其封装方法. CN: CN111463334A, 2020-07-28.
[12] 薛斌, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 具有消毒功能的便携式充电装置. CN: CN210577842U, 2020-05-19.
[13] 闫建昌, 刘春岩, 郭亚楠, 崔志勇, 王兵. 紫外LED抗静电硅基板的封装结构. CN: CN108091646B, 2020-04-21.
[14] 郭亚楠, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 反极性垂直发光二极管及其制备方法. CN: CN110808319A, 2020-02-18.
[15] 闫建昌, 张亮, 郭亚楠, 吴清清, 王军喜. 一种垂直结构发光二极管芯片的制作方法. CN: CN108878604B, 2020-01-21.
[16] 闫建昌, 刘春岩, 薛斌, 郭亚楠, 王军喜, 李晋闽. 紫外LED匀光装置及其应用. CN: CN110680937A, 2020-01-14.
[17] 刘春岩, 闫建昌, 郭亚楠, 王军喜, 李晋闽. 基于紫外LED杀菌新风系统及应用. CN: CN110657545A, 2020-01-07.
[18] 薛斌, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 具有消毒功能的便携式充电装置及应用. CN: CN110417097A, 2019-11-05.
[19] 闫建昌, 刘春岩, 郭亚楠, 魏学成, 李晋闽, 王军喜. 基于人体识别深紫外LED杀菌消毒系统. CN: CN110269950A, 2019-09-24.
[20] 冉军学, 魏同波, 闫建昌, 王军喜. 化合物半导体及其外延方法. CN: CN110164757A, 2019-08-23.
[21] 闫建昌, 郭亚楠, 王军喜, 李晋闽. LED倒装芯片的图形化衬底及制备方法. CN: CN110098297A, 2019-08-06.
[22] 冉军学, 魏同波, 闫建昌, 王军喜. 肖特基二极管及其制备方法、半导体功率器件. CN: CN110071177A, 2019-07-30.
[23] 谢海忠, 闫建昌, 魏学成, 魏同波, 宋昌斌, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法. CN: CN107256911B, 2019-07-23.
[24] 魏同波, 张翔, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 基于Ga 2 O 3 衬底的垂直结构紫外LED及其制备方法. 中国: CN108630792A, 2018-10-09.
[25] 张连, 张韵, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 一种具有极化诱导掺杂高阻层的GaN基HEMT结构及生长方法. 中国: CN104241352B, 2018-10-02.
[26] 闫建昌, 谢海忠, 王军喜, 魏学成, 孙莉莉, 张韵, 李晋闽. 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表. 中国: CN206440330U, 2017-08-25.
[27] 郭亚楠, 张韵, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 高光出射效率的LED芯片及其制备方法. 中国: CN107068826A, 2017-08-18.
[28] 谢海忠, 闫建昌, 魏学成, 孙莉莉, 宋昌斌, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 一种杀菌消毒的装置. 中国: CN206337054U, 2017-07-18.
[29] 闫建昌, 孙莉莉, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 紫外发光二极管器件的制备方法. 中国: CN106784180A, 2017-05-31.
[30] 谢海忠, 闫建昌, 魏学成, 孙莉莉, 宋昌斌, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 一种杀菌消毒的装置. 中国: CN106517410A, 2017-03-22.
[31] 闫建昌, 谢海忠, 王军喜, 魏学成, 孙莉莉, 张韵, 李晋闽. 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表. 中国: CN106441485A, 2017-02-22.
[32] 孙莉莉, 张韵, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法. 中国: CN104465905A, 2015-03-25.
[33] 胡强, 李晋闽, 王军喜, 曾一平, 路红喜, 伊晓燕, 马平, 魏同波, 闫建昌, 纪攀峰. 一种MOCVD设备中的石墨盘. 中国: CN104357805A, 2015-02-18.
[34] 姬小利, 闫建昌, 郭金霞, 张连, 杨富华, 段瑞飞, 王军喜, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件. 中国: CN103887385A, 2014.06.25.
[35] 张韵, 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 一种紫外发光二极管器件的制备方法. 中国: CN103956414A, 2014-07-30.
[36] 张韵, 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 多功能LED手电筒. 中国: CN203743880U, 2014-07-30.
[37] 张韵, 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 紫外发光二极管器件的制备方法. 中国: CN103943737A, 2014-07-23.
[38] 张韵, 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 可杀菌消毒的多功能餐盒. 中国: CN203692762U, 2014-07-09.
[39] 闫建昌, 王军喜, 张韵, 丛培沛, 孙莉莉, 董鹏, 田迎冬, 李晋闽. 氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法. 中国: CN103811609A, 2014-05-21.
[40] 田迎冬, 董鹏, 张韵, 闫建昌, 孙莉莉, 王军喜, 李晋闽. 氮化镓激光器腔面的制作方法. 中国: CN103701037A, 2014-04-02.
[41] 孙莉莉, 闫建昌, 董鹏, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 一种可提高LED发光效率的金属纳米颗粒的制备方法. 中国: CN103337564A, 2013-10-02.
[42] 张连, 曾建平, 魏同波, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法. 中国: CN103325903A, 2013-09-25.
[43] 董鹏, 王军喜, 闫建昌, 张韵, 曾建平, 孙莉莉, 李晋闽. 在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法. 中国: CN103311097A, 2013-09-18.
[44] 孙莉莉, 张韵, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 一种金属纳米圆环的制备方法. 中国: CN103268910A, 2013-08-28.
[45] 曾建平, 闫建昌, 王军喜, 丛培沛, 孙莉莉, 董鹏, 李晋闽. 紫外共振腔发光二极管. 中国: CN103236479A, 2013-08-07.
[46] 孙莉莉, 张韵, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 一种无线充电系统. 中国: CN103227490A, 2013-07-31.
[47] 曾建平, 闫建昌, 王军喜, 丛培沛, 孙莉莉, 董鹏, 李晋闽. 一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法. 中国: CN103199164A, 2013-07-10.
[48] 郭金霞, 闫建昌, 伊晓燕, 田婷, 詹腾, 赵勇兵, 宋昌斌, 王军喜. 高压发光二极管芯片及其制造方法. 中国: CN103187494A, 2013-07-03.
[49] 曾建平, 闫建昌, 王军喜, 丛培沛, 孙莉莉, 董鹏, 李晋闽. 一种具有高反射薄膜的紫外发光二极管及其制作方法. 中国: CN103165775A, 2013-06-19.
[50] 孙莉莉, 闫建昌, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 紫外发光二极管结构. 中国: CN103137822A, 2013-06-05.
[51] 朱邵歆, 闫建昌, 杨华, 张宁, 司朝, 曾建平, 李晋闽, 王军喜. 用于可见光通信的通信系统和便携装置. 中国: CN202652224U, 2013-01-02.
[52] 朱邵歆, 闫建昌, 杨华, 张宁, 司朝, 曾建平, 李晋闽, 王军喜. 便携装置的可见光通信系统与方法. 中国: CN102801471A, 2012-11-28.
[53] 吴奎, 魏同波, 蓝鼎, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 张逸韵, 李晋闽. 基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法. 中国: CN102709411A, 2012-10-03.
[54] 吴奎, 魏同波, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 张逸韵, 李璟, 李晋闽. 纳米柱发光二极管的制作方法. 中国: CN102709410A, 2012-10-03.
[55] 董鹏, 闫建昌, 王军喜, 孙莉莉, 曾建平, 丛培沛, 李晋闽. 具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片. 中国: CN102709429A, 2012-10-03.
[56] 吴奎, 魏同波, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 张逸韵, 李璟, 李晋闽. 用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法. 中国: CN102694088A, 2012-09-26.
[57] 吴奎, 魏同波, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 张逸韵, 李璟, 李晋闽. 蓝宝石纳米碗阵列图形衬底的制作方法. 中国: CN102691102A, 2012-09-26.
[58] 吴奎, 魏同波, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法. 中国: CN102683523A, 2012-09-19.
[59] 吴奎, 魏同波, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 张逸韵, 李璟, 李晋闽. 具有空气桥结构发光二极管的制作方法. 中国: CN102683522A, 2012-09-19.
[60] 董鹏, 王军喜, 闫建昌, 张逸韵, 孙莉莉, 曾建平, 李晋闽. 提高紫外发光二极管出光效率的方法. 中国: CN102655194A, 2012-09-05.
[61] 吴奎, 魏同波, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 低位错氮化镓的生长方法. 中国: CN102409406A, 2012-04-11.
[62] 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜. 发光二极管的制备方法. 中国: CN102130230A, 2011.07.20.
[63] 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 刘乃鑫, 魏同波, 魏学成, 马平, 刘喆, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 一种增强LED出光效率的粗化方法. 中国: CN101976712A, 2011.02.16.
[64] 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 刘乃鑫, 魏同波, 魏学成, 马平, 刘喆, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法. 中国: CN101969088A, 2011.02.09.
[65] 纪攀峰, 李京波, 闫建昌, 刘乃鑫, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法. 中国: CN101710569, 2010.05.19.
[66] 纪攀峰, 李京波, 闫建昌, 刘乃鑫, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法. 中国: CN101740690A, 2010-06-16.

出版信息

   
发表论文
[1] 郭亮, 郭亚楠, 羊建坤, 闫建昌, 王军喜, 魏同波. 量子垒高度对深紫外LED调制带宽的影响. 发光学报. 2022, 43(1): 1-7, [2] Huang, Jinpeng, Gao, Xiang, Hu, Zelin, Yan, Jianchang, Yi, Xiaoyan, Wang, Liancheng. Multiplexing multifoci optical metasurfaces for information encoding in the ultraviolet spectrum. APPLIED OPTICS[J]. 2021, 60(8): 2222-2227, http://apps.webofknowledge.com/CitedFullRecord.do?product=UA&colName=WOS&SID=5CCFccWmJJRAuMzNPjj&search_mode=CitedFullRecord&isickref=WOS:000627868000014.
[3] 李晋闽, 刘志强, 魏同波, 闫建昌, 伊晓燕, 王军喜. 中国半导体照明发展综述. 光学学报. 2021, 41(1): 285-297, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7104409811.
[4] Gu, Wen, Lu, Yi, Lin, Rongyu, Guo, Wenzhe, Zhang, Zihui, Ryou, JaeHyun, Yan, Jianchang, Wang, Junxi, Li, Jinmin, Li, Xiaohang. BAlN for III-nitride UV light-emitting diodes: undoped electron blocking layer. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS[J]. 2021, 54(17): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000618025200001.
[5] Liu, Zhibin, Guo, Yanan, Yan, Jianchang, Zeng, Yiping, Wang, Junxi, Li, Jinmin. Polarity tuning of crystalline AlN films utilizing trace oxygen involved sputtering and post-high-temperature annealing. APPLIED PHYSICS EXPRESS[J]. 2021, 14(8): http://dx.doi.org/10.35848/1882-0786/ac114d.
[6] Zhang, Shuo, Liu, Bingyao, Ren, Fang, Yin, Yue, Wang, Yunyu, Chen, Zhaolong, Jiang, Bei, Liu, Bingzhi, Liu, Zhetong, Sun, Jingyu, Liang, Meng, Yan, Jianchang, Wei, Tongbo, Yi, Xiaoyan, Wang, Junxi, Li, Jinmin, Gao, Peng, Liu, Zhongfan, Liu, Zhiqiang. Graphene-Nanorod Enhanced Quasi-Van Der Waals Epitaxy for High Indium Composition Nitride Films. SMALL[J]. 2021, 17(19): http://dx.doi.org/10.1002/smll.202100098.
[7] Chang, Hongliang, Chen, Zhaolong, Liu, Bingyao, Yang, Shenyuan, Liang, Dongdong, Dou, Zhipeng, Zhang, Yonghui, Yan, Jianchang, Liu, Zhiqiang, Zhang, Zihui, Wang, Junxi, Li, Jinmin, Liu, Zhongfan, Gao, Peng, Wei, Tongbo. Quasi-2D Growth of Aluminum Nitride Film on Graphene for Boosting Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes. ADVANCED SCIENCE[J]. 2020, 7(15): https://doaj.org/article/32f1419021b4404d8ab8f34cfc1135ec.
[8] Gao, Xiang, Wan, Rongqiao, Yan, Jianchang, Wang, Liancheng, Yi, Xiaoyan, Wang, Junxi, Zhu, Wenhui, Li, Jinmin. Design of AIN ultraviolet metasurface for single-/multi-plane holography. APPLIED OPTICS[J]. 2020, 59(14): 4398-4403, [9] 薛斌, 闫建昌, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 紫外消毒技术与紫外光源发展趋势. 照明工程学报. 2020, 31(2): 9-10, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7101642541.
[10] 薛斌, 王军喜, 曾一平, 李晋闽, 闫建昌. 氮化物紫外LED研究与应用. 照明工程学报. 2020, 31(1): 1-7, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7100958910.
[11] Li, Weijiang, Zhang, Xiang, Zhao, Jie, Yan, Jianchang, Liu, Zhiqiang, Wang, Junxi, Li, Jinmin, Wei, Tongbo. Rectification behavior of polarization effect induced type-II n-GaN/n-type beta-Ga2O3 isotype heterojunction grown by metal organic vapor phase epitaxy. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS[J]. 2020, 127(1): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000515651000020.
[12] Zhang, Xiang, Chen, Zhaolong, Chang, Hongliang, Yan, Jianchang, Yang, Shenyuan, Wang, Junxi, Gao, Peng, Wei, Tongbo. Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes. JOVE-JOURNAL OF VISUALIZED EXPERIMENTS[J]. 2020, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000546499200071.
[13] Gu, Wen, Liu, Zhibin, Guo, Yanan, Wang, Xiaodong, Jia, Xiaolong, Liu, Xingfang, Zeng, Yiping, Wang, Junxi, Li, Jinmin, Yan, Jianchang. Comprehensive study of crystalline AlN/sapphire templates after high-temperature annealing with various sputtering conditions. JOURNAL OF SEMICONDUCTORS[J]. 2020, 41(12): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7103473598.
[14] Chang, Hongliang, Liu, Bingyao, Liang, Dongdong, Gao, Yaqi, Yan, Jianchang, Liu, Zhetong, Liu, Zhiqiang, Wang, Junxi, Li, Jinmin, Gao, Peng, Wei, Tongbo. Graphene-induced crystal-healing of AlN film by thermal annealing for deep ultraviolet light-emitting diodes. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2020, 117(18): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000591342600001.
[15] Zhao, Jie, Wei, Xuecheng, Liang, Dongdong, Hu, Qiang, Yan, Jianchang, Wang, Junxi, Wei, Tongbo. The Optical Properties of Dual-Wavelength InxGa1-xN/GaN Nanorods for Wide-Spectrum Light-Emitting Diodes. JOURNAL OF ELECTRONIC PACKAGING[J]. 2020, 142(3): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000576282500005.
[16] Wang, Yunyu, Yang, Shenyuan, Chang, Hongliang, Li, Weijiang, Chen, Xiufang, Hou, Rui, Yan, Jianchang, Yi, Xiaoyan, Wang, Junxi, Wei, Tongbo. Flexible graphene-assisted van der Waals epitaxy growth of crack -free AlN epilayer on SiC by lattice engineering. APPLIED SURFACE SCIENCE[J]. 2020, 520: http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.146358.
[17] Song, Wurui, Ren, Fang, Wang, Yunyu, Yin, Yue, Zhang, Shuo, Shi, Bo, Feng, Tao, Wang, Jianwei, Liang, Meng, Zhang, Yiyun, Wei, Tongbo, Yan, Jianchang, Wang, Junxi, Li, Jinmin, Yi, Xiaoyan, Liu, Zhiqiang. GaN-Based LEDs Grown on Graphene-Covered SiO2/Si (100) Substrate. CRYSTALS[J]. 2020, 10(9): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000580298000001.
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科研活动

   
科研项目
( 1 ) AlGaN基紫外激光二极管研究, 主持, 国家级, 2014-01--2017-12
( 2 ) 固态紫外光源高Al 组分结构材料的外延及产业化技术研究, 参与, 国家级, 2016-07--2021-06
( 3 ) 北京市科技新星计划项目, 主持, 省级, 2018-01--2020-12
( 4 ) 基于III族氮化物半导体深紫外发光材料的微盘激光器研究, 主持, 国家级, 2019-01--2019-12
( 5 ) 中国科学院青年创新促进会人才项目, 主持, 部委级, 2017-01--2020-12

指导学生

现指导学生

谷文  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

蔡听松  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

任睿  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学