现阶段主要工作基于超高精度真空传感器的研发，主要涵盖：

1. 传感器所需特种合金材料研发；

2. 极限尺寸合金零部件制备工艺研发；

3. 合金材料抗腐蚀、高温阻氢特性的研究；

4. 极限尺寸零部件微观力学性能研究；

5. 传感器及微小信号电路匹配；

6. 传感器真空测量及标定

及相关领域的研发工作

   

080903-微电子学与固体电子学

合金材料、材料极限尺寸加工工艺、传感器开发、CMOS器件表征

2007-09--2012-02   Liverpool John Moores University   博士学位
2001-09--2004-06   Liverpool John Moores University   硕士学位

   

2014-12~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2013-06~2014-07,Liverpool John Moores University, 博士后
2005-02~2012-02,Global Accent Ltd LanguageLine Solutions, 资深医疗翻译

2024-03-01-今,北京中科九微科技有限公司, 顾问

   

[1] 解婧, 李超波, 林琳, 何彤, 郑旭, 远雁, 王迪. 一种温压复合传感器. CN: CN111397776B, 2022-01-11.
[2] 解婧, 李超波, 林琳, 范涛, 王迪, 远雁, 刘瑞琪. 一种温压复合传感器的制作方法. CN: CN111351607B, 2022-01-11.
[3] 刘瑞琪, 李超波, 王迪, 林琳, 郜晨希, 郑旭, 远雁, 张心强, 靳毅, 陈林. 散热结构及电容压力传感器. CN: CN111174966A, 2020-05-19.
[4] 王迪, 陈林, 林琳, 郜晨希, 刘瑞琪, 远雁, 郑旭, 李超波, 张心强, 靳毅. 真空压力计响应时间测量装置. CN: CN111044218A, 2020-04-21.
[5] 郑旭, 林琳, 远雁, 张心强, 王迪, 郜晨希, 刘瑞琪, 靳毅, 陈林, 李超波. 电容式压力检测装置及传感器. CN: CN111122020A, 2020-05-08.
[6] 王迪, 陈林, 林琳, 靳毅, 郜晨希, 刘瑞琪, 远雁, 郑旭, 李超波, 张心强. 一种检测膜片式真空压力计沉积物的装置及其应用. CN: CN111141813A, 2020-05-12.
[7] 郑旭, 林琳, 远雁, 张心强, 王迪, 郜晨希, 刘瑞琪, 靳毅, 陈林, 李超波. 差分电容式压力检测装置. CN: CN111141424A, 2020-05-12.
[8] 郑旭, 林琳, 王迪, 郜晨希, 远雁, 刘瑞琪, 李超波. 具有USB输出的高精度差分电容式压力检测装置. CN: CN111189562A, 2020-05-22.
[9] 郑旭, 林琳, 远雁, 郜晨希, 王迪, 刘瑞琪, 李超波. 基于电压时间转换的电容式压力检测装置、方法及传感器. CN: CN111122019A, 2020-05-08.
[10] 王迪, 陈林, 林琳, 郜晨希, 刘瑞琪, 远雁, 郑旭, 李超波, 张心强, 靳毅. 真空压力计响应时间测量装置及方法. CN: CN111044219A, 2020-04-21.
[11] 王迪, 林琳, 郜晨希, 刘瑞琪, 远雁, 郑旭, 李超波. 检测膜片式真空压力计沉积物的方法. CN: CN111044602A, 2020-04-21.
[12] 林琳, 刘瑞琪, 王迪, 郜晨希, 郑旭, 远雁, 李超波. 利用全反射原理提高测量精度的压力传感器及其应用. CN: CN110926668A, 2020-03-27.
[13] 林琳, 李超波, 郑旭, 张心强, 郜晨希, 王迪, 刘瑞琪, 靳毅, 陈林, 远雁. 环形支撑结构及应用其的陶瓷电容式压力传感器. CN: CN110987281A, 2020-04-10.
[14] 郜晨希, 林琳, 张心强, 王迪, 刘瑞琪, 郑旭, 远雁, 李超波, 靳毅, 陈林. 一种防沉积匀气环. CN: CN110987282A, 2020-04-10.
[15] 林琳, 王迪, 郜晨希, 郑旭, 刘瑞琪, 远雁, 李超波. 一种激光反射原理的压力传感器及其压力传感方法. CN: CN110926683A, 2020-03-27.
[16] 郜晨希, 王迪, 林琳, 刘瑞琪, 郑旭, 远雁, 李超波. 一种薄膜式电容传感器. CN: CN110926662B, 2022-02-08.
[17] 郜晨希, 林琳, 王迪, 郑旭, 刘瑞琪, 远雁, 李超波. 柔性电极支撑结构. CN: CN110879111B, 2021-07-27.
[18] 解婧, 李超波, 邢建鹏, 林琳, 王欢, 郜晨希, 郑旭. 一种纳米线压力传感器及传感器阵列. CN: CN112798156A, 2021-05-14.
[19] 解婧, 李超波, 邢建鹏, 林琳, 刘金虎, 刘瑞琪, 郜晨希. 一种纳米线压力传感器制备方法. CN: CN112798163A, 2021-05-14.
[20] 张心强, 靳毅, 陈林, 郜晨希, 王迪, 林琳, 郑旭, 远雁, 刘瑞琪, 李超波. 压差探测集成块. CN: CN210464772U, 2020-05-05.
[21] 张心强, 靳毅, 陈林, 郜晨希, 王迪, 林琳, 郑旭, 远雁, 刘瑞琪, 李超波. 压差探测集成块及其制造方法. CN: CN110567636A, 2019-12-13.
[22] 张心强, 靳毅, 陈林, 郜晨希, 王迪, 林琳, 郑旭, 远雁, 刘瑞琪, 李超波. 导气垫圈及其制造方法. CN: CN110411613A, 2019-11-05.
[23] 张心强, 靳毅, 陈林, 郜晨希, 王迪, 林琳, 郑旭, 远雁, 刘瑞琪, 李超波. 导气垫圈. CN: CN210322097U, 2020-04-14.

1.        Z.Ji, J.F.Zhang, W.Zhang, L.Lin, J.G.Ma, M.Duan, B.Kaczer, J.Franco, S.De Gendt and G.Groeseneken

       “Predicting slow AC NBTI-aging under low operation bias by As-grown-Generation (A-G) model”

       2014 International Electron Devices Meeting (IEDM) submitted.

2.    L. Lin,  Z. Ji, J. F. Zhang and W. D. Zhang

“Development of a fast technique for characterizing interface states”

ECS transactions on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging Dielectrics          11, Vol. 35, No.4, pp.81-93, 2011.

2.     L. Lin, Z. Ji, J. F. Zhang, W. D. Zhang, B. Kaczer, S. De Gendt, and G.  Groeseneken

   “A single pulse charge pumping technique for fast measurements of interface  states”

      IEEE Trans. Electron Dev., vol. 58, No.5, pp. 1490-1498, 2011.

3.  J. F. Zhang, Z. Ji, L. Lin, and W. Zhang (Invited)

    “Effective threshold voltage shift: a measure for NBTI removing uncertainty in      mobility Degradation”

Proc. of  IEEE 10^th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, pp.1600-1603, 2010.

4.  Z. Ji, L. Lin, J. F. Zhang, B. Kaczer, and G. Groeseneken

    “NBTI lifetime prediction and kinetics at operation bias based on ultrafast pulse   

    measurement”

      IEEE Trans. Electron Dev., vol. 57, No.1, pp. 228-237, 2010.

5.  Z. Ji, L. Lin and J. Zhang

    “Impact of sensing gate bias on NBTI of Hf-based dielectric stacks”

    ECS transactions on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging Dielectrics 10, Vol. 19, No.2, pp.351-362, 2009.

6.  J. F. Zhang, M. H. Chang, Z. Ji, L. Lin, I. Ferain, G. Groeseneken, L. Pantisano, S. De Gendt, and M. M. Heyns

    “Dominant layer for stress-induced positive charges in Hf-based gate stacks”

    IEEE Electron Device Letters, vol. 29, pp.1360-1363, 2008.

7.  J. F. Zhang, Z. Ji, W. Zhang, L. Lin,  B. Kaczer, S. De Gendt, and G. Groeseneken (Invited) 

    “Advanced characterization techniques for MOS devices”

    China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2012.

[1] 林琳, 罗媛媛. Au/ZnO多孔纳米片及其紫外光照射下的NO 2气敏性能. 安徽师范大学学报:自然科学版[J]. 2020, 43(1): 33-38, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7101248311.
[2] 康恒, 林琳, 符庭钊, 李勇滔, 夏洋, 景玉鹏. 微波在半导体退火工艺中的应用. 微纳电子技术[J]. 2017, 54(12): 835-839, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=673779567.

   

（ 1 ） 关键零部件研发及产业化（真空规）, 参与, 国家任务, 2017-01--2019-12
（ 2 ） PECVD 用电容式薄膜真空规研发及产业化, 参与, 国家任务, 2022-01--2024-12
（ 3 ） 半导体刻蚀工艺超高精度真空压力测量技术, 负责人, 地方任务, 2020-11--2022-10
（ 4 ） 基于真空规的高稳定度恒温快速测试系统, 负责人, 中国科学院计划, 2021-08--2023-07
（ 5 ） 碳化钽高温老化特性研究, 负责人, 国家任务, 2021-12--2024-11