基本信息
时拓  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: shituo@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
忆阻器,存算一体芯片与软件

教育背景

2013-09--2017-06   华中科技大学   博士
2009-09--2011-06   华中科技大学   硕士
2005-09--2009-06   湖南大学   学士

工作经历

   
工作简历
2022-09~现在, 之江实验室, 智能计算硬件研究中心副主任
2020-05~2022-09,之江实验室, 研究专家
2020-03~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2017-07~2020-03,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2013-09~2017-06,华中科技大学, 博士
2009-09~2011-06,华中科技大学, 硕士
2005-09~2009-06,湖南大学, 学士

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 基于忆阻器脉冲耦合神经网络的最短路径获取方法及装置, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114004343A

( 2 ) 一种用于RRAM存算一体芯片补码量化的模数转换电路, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113949385A

( 3 ) 一种忆阻器阵列上符号数映射方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113870921A

( 4 ) 一种基于忆阻器可编程神经网络加速器, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113869504A

( 5 ) 一种阻变存储单元的电导线性对称调节方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113436664A

出版信息

   
发表论文
(1) Implementing in-situ self-organizing maps with memristor crossbar arrays for data mining and optimization, NATURECOMMUNICATIONS, 2022, 通讯作者
(2) FangTianSim: High-Level Cycle-Accurate Resistive Random-Access Memory-Based Multi-Core Spiking Neural Network Processor Simulator, FRONTIERS IN NEUROSCIENCE, 2022, 通讯作者
(3) A Review of Resistive Switching Devices: Performance Improvement, Characterization, and Applications, SMALL STRUCTURES, 2021, 第 1 作者
(4) Convertible Volatile and non-Volatile Resistive Switching in a Self-rectifying Pt/TiOx/Ti Memristor, 2021 5TH IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY & MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM), 2021, 通讯作者
(5) A dual-functional Ta/TaOx/Ru device with both nonlinear selector and resistive switching behaviors, RSC ADVANCES, 2021, 通讯作者
(6) A 4T2R RRAM Bit Cell for Highly Parallel Ternary Content Addressable Memory, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 其他(合作组作者)
(7) Quantitatively Evaluating the Effect of Read Noise in Memristive Hopfield Network on Solving Travelling Salesman Problem, Ieee Electron Device Letters, 2020, 通讯作者
(8) A Habituation Sensory Nervous System with Memristors, ADVANCED MATERIALS, 2020, 第 3 作者
(9) Impact of Ta/Ti electrodes on linearities of TaOx-based resistive random-access memories for neuromorphic computing, Impact of Ta/Ti electrodes on linearities of TaOx-based resistive random-access memories for neuromorphic computing, SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2020, 通讯作者
(10) Interface Engineering via MoS2 Insertion Layer for Improving Resistive Switching of Conductive-Bridging Random Access Memory, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 通讯作者
(11) Bipolar Analog Memristors as Artificial Synapses for Neuromorphic Computing, MATERIALS, 2018, 通讯作者
(12) Negative differential resistance effect induced by metal ion implantation in SiO2 film for multilevel RRAM application, NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 3 作者
(13) Behavioral Plasticity Emulated with Lithium Lanthanum Titanate-Based Memristive Devices: Habituation, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2017, 第 1 作者
(14) Defect chemistry of alkaline earth metal (Sr/Ba) titanates, PROGRESS IN MATERIALS SCIENCE, 2016, 第 1 作者
(15) Pt/WO3/FTO memristive devices with recoverable pseudo-electroforming for time-delay switches in neuromorphic computing, PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2016, 第 1 作者
(16) Coexistence of analog and digital resistive switching in BiFeO3-based memristive devices, SOLID STATE IONICS, 2016, 第 1 作者
(17) A neuromorphic core based on threshold switching memristor with asynchronous address event representation circuits, SCIENCE CHINA INFORMATION SCIENCES, 第 7 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 基于忆阻器阵列的模糊推理功能基础研究, 负责人, 国家任务, 2019-12--2021-11
( 2 ) 高密度高可靠的忆阻器件与阵列, 负责人, 国家任务, 2018-01--2021-12
( 3 ) 高性能忆阻神经形态器件与芯片, 负责人, 国家任务, 2021-12--2025-11
( 4 ) 面向存算一体芯片的软件系统, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12
( 5 ) 面向脉冲神经元的存算一体突触阵列研究, 负责人, 地方任务, 2021-12--2024-11
( 6 ) 新型神经网络处理器件研究, 负责人, 国家任务, 2019-12--2023-06
( 7 ) 基于异步通讯架构的百万级神经元类脑计算芯片关键技术研究, 参与, 国家任务, 2020-01--2024-12
( 8 ) 基于存算一体突触器件的低功耗大规模多核心类脑加速器研究, 负责人, 其他国际合作项目, 2022-01--2023-12