2013-09--2017-06   华中科技大学   博士
2009-09--2011-06   华中科技大学   硕士
2005-09--2009-06   湖南大学   学士

   

2022-09~现在, 之江实验室, 智能计算硬件研究中心副主任
2020-05~2022-09,之江实验室, 研究专家
2020-03~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2017-07~2020-03,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2013-09~2017-06,华中科技大学, 博士
2009-09~2011-06,华中科技大学, 硕士
2005-09~2009-06,湖南大学, 学士

   

（ 1 ） 基于忆阻器脉冲耦合神经网络的最短路径获取方法及装置, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114004343A

（ 2 ） 一种用于RRAM存算一体芯片补码量化的模数转换电路, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113949385A

（ 3 ） 一种忆阻器阵列上符号数映射方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113870921A

（ 4 ） 一种基于忆阻器可编程神经网络加速器, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113869504A

（ 5 ） 一种阻变存储单元的电导线性对称调节方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113436664A

   

（1） Implementing in-situ self-organizing maps with memristor crossbar arrays for data mining and optimization, NATURECOMMUNICATIONS, 2022, 第 11 作者
（2） FangTianSim: High-Level Cycle-Accurate Resistive Random-Access Memory-Based Multi-Core Spiking Neural Network Processor Simulator, FRONTIERS IN NEUROSCIENCE, 2022, 第 11 作者
（3） A Review of Resistive Switching Devices: Performance Improvement, Characterization, and Applications, SMALL STRUCTURES, 2021, 第 1 作者
（4） Convertible Volatile and non-Volatile Resistive Switching in a Self-rectifying Pt/TiOx/Ti Memristor, 2021 5TH IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY & MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM), 2021, 第 11 作者
（5） A dual-functional Ta/TaOx/Ru device with both nonlinear selector and resistive switching behaviors, RSC ADVANCES, 2021, 第 11 作者
（6） A 4T2R RRAM Bit Cell for Highly Parallel Ternary Content Addressable Memory, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 12 作者
（7） Quantitatively Evaluating the Effect of Read Noise in Memristive Hopfield Network on Solving Travelling Salesman Problem, Ieee Electron Device Letters, 2020, 第 11 作者
（8） A Habituation Sensory Nervous System with Memristors, ADVANCED MATERIALS, 2020, 第 3 作者
（9） Impact of Ta/Ti electrodes on linearities of TaOx-based resistive random-access memories for neuromorphic computing, Impact of Ta/Ti electrodes on linearities of TaOx-based resistive random-access memories for neuromorphic computing, SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2020, 第 11 作者
（10） Interface Engineering via MoS2 Insertion Layer for Improving Resistive Switching of Conductive-Bridging Random Access Memory, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 第 11 作者
（11） Bipolar Analog Memristors as Artificial Synapses for Neuromorphic Computing, MATERIALS, 2018, 第 11 作者
（12） Negative differential resistance effect induced by metal ion implantation in SiO2 film for multilevel RRAM application, NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 3 作者
（13） Behavioral Plasticity Emulated with Lithium Lanthanum Titanate-Based Memristive Devices: Habituation, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2017, 第 1 作者
（14） Defect chemistry of alkaline earth metal (Sr/Ba) titanates, PROGRESS IN MATERIALS SCIENCE, 2016, 第 1 作者
（15） Pt/WO3/FTO memristive devices with recoverable pseudo-electroforming for time-delay switches in neuromorphic computing, PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2016, 第 1 作者
（16） Coexistence of analog and digital resistive switching in BiFeO3-based memristive devices, SOLID STATE IONICS, 2016, 第 1 作者
（17） A neuromorphic core based on threshold switching memristor with asynchronous address event representation circuits, SCIENCE CHINA INFORMATION SCIENCES, 第 7 作者

   

（ 1 ） 基于存算一体突触器件的低功耗大规模多核心类脑加速器研究, 负责人, 其他国际合作项目, 2022-01--2023-12
（ 2 ） 高性能忆阻神经形态器件与芯片, 负责人, 国家任务, 2021-12--2025-11
（ 3 ） 面向脉冲神经元的存算一体突触阵列研究, 负责人, 地方任务, 2021-12--2024-11
（ 4 ） 面向存算一体芯片的软件系统, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12
（ 5 ） 基于异步通讯架构的百万级神经元类脑计算芯片关键技术研究, 参与, 国家任务, 2020-01--2024-12
（ 6 ） 基于忆阻器阵列的模糊推理功能基础研究, 负责人, 国家任务, 2019-12--2021-11
（ 7 ） 新型神经网络处理器件研究, 负责人, 国家任务, 2019-12--2023-06
（ 8 ） 高密度高可靠的忆阻器件与阵列, 负责人, 国家任务, 2018-01--2021-12