半导体器件工艺与建模仿真、器件与芯片的先进热管理技术、半导体材料与器件的空间辐射效应

每年招收硕士研究生1名

140100-集成电路科学与工程

微纳尺度热输运的AI辅助计算，电子器件的自发热和微观传热机理，热设计和可靠性

2013-09--2014-09   印第安纳州立大学   博士生联合培养
2010-09--2015-09   南京大学   博士
2006-09--2010-07   聊城大学   学士

   

2021-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2018-10~2021-07,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2016-05~2018-10,中国科学院微电子研究所, 博士后

2024-08-01-今,中国核学会辐射物理分会, 第三届理事会理事

   

（1） 中国科学院微电子研究所年度优秀职工, , 其他, 2024
（2） 中国科学院青年创新促进会, , 其他, 2021
（3） 中国科学院微电子研究所“科研新星”, , 其他, 2017
（4） 中国科学院微电子研究所“党员先锋岗位”, 其他, 2017

（ 1 ） 一种过渡金属硫化物及其制备方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: 202111089128.6

（ 2 ） 一种用于改变入射角的光路调节装置及光路调节系统, 发明专利, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN202310678797.X

（ 3 ） 一种过渡金属硫化物及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: 202111089122 .9

（ 4 ） 一种绝缘体上硅材料及其抗总剂量辐射的加固方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN201811618362.1

（ 5 ） 一种多独立栅场效应管、制备方法及集成电路, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN202111469316.1

（ 6 ） 半导体器件的建模方法、装置和设备, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN202410445874.1

（ 7 ） 一种宽禁带半导体器件及制备方法, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN202311667149.0

（ 8 ） 一种半导体器件的制作方法及半导体器件, 发明专利, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN202310935514.5

   

（1） Band Alignment among CNTs with Varying Diameters and Schottky Barrier Fluctuations between CNTs and Metals: A First-Principles Study, ACS Applied Nano Materials, 2025, 
（2） Defect Engineering in �����Ga2O3/4H-SiC Heterojunctions via Kr Ion Irradiation for Enhanced Solar-Blind Photodetector Performance, ACS Applied Materials and Interfaces, 2025, 
（3） 基于机器学习和第一性原理计算的 Janus 材料预测*,  Acta  Phys.  Sin., 2024, 
（4） Band alignment and charge transfer mechanisms in the prediction of advanced gate dielectrics for carbon nanotube field-effect transistors, Applied Surface Science, 2024, 
（5） Radiation hardness evaluation of ��-Ga2O3 thin-film devices under swift heavy ion irradiation, Applied Surface Science, 2024, 
（6） Swift heavy ion irradiation-driven energy band engineering and its profound influence on the photoresponse of b-Ga2O3 ultraviolet photodetectors, Applied Physics Letters, 2024, 第 1 作者
（7） Optoelectrical Characteristics and Defect Dynamics in ��-Ga2O3 Thin Films Induced by Swift Heavy Ion Irradiation, IEEE NSREC, 2023, 
（8） White X-Ray Radiation Effects in MOS Capacitors With Atomic Layer Deposited HfO2/Al2O3 and Al2O3/HfO2/Al2O3 Gate Dielectric Stacks for High Total Doses, IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2023, 第 3 作者
（9） Investigation of Elements Migration of Organic-Inorganic Metal Halide Perovskite Films Materials Induced by Proton Irradiation, IEEE NSREC, 2023, 第 3 作者
（10） Sulfonate groups assisted texturing for efficient monocrystalline silicon solar cells, SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2023, 第 7 作者
（11） 碳纳米管薄膜场效应晶体管低温电学特性, Low Temperature Electrical Characteristics of Carbon Nanotube Thin Film Field Effect Transistors, 现代应用物理, 2023, 第 3 作者
（12） Tailoring the Phonon Polaritons in alpha-MoO3 via Proton Irradiation, Advanced Optical Materials, 2023, 第 8 作者  通讯作者
（13） Ultra-Strong Comprehensive Radiation Effect Tolerance in Carbon Nanotube Electronics, Samll, 2022, 
（14） White x-ray radiation effects in metal-oxidesemiconductor capacitors with atomic layer deposited HfO2/Al2O3 and Al2O3/HfO2/Al2O3 gate dielectric stacks for high total doses, IEEE NSREC, 2022, 第 3 作者
（15） Improvement in Performance of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors under Electron Irradiation, IEEE NSREC, 2022, 
（16） In-depth investigation of low-energy proton irradiation effect on the structural and photoresponse properties of e-Ga2O3 thin films, Materials & Design, 2022, 
（17） Evolution of optical properties and molecular structure of PCBM films under proton irradiation, Chinese Physics B, 2022, 
（18） Radiation hardness and abnormal photoresponse dynamics of the CH3NH3PbI3 perovskite photodetector, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2021, 第 7 作者  通讯作者
（19） Radiation-Resistant CsPbBr3 Nanoplate-Based Lasers, ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2020, 第 10 作者
（20） Mechanism Analysis of Proton Irradiation-Induced Increase of 3-dB Bandwidth of GaN-Based Microlight-Emitting Diodes for Space Light Communication, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 第 13 作者
（21） Comparison of X-Ray and Proton Irradiation Effects on the Characteristics of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Light-Emitting Diodes, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 第 4 作者
（22） Si离子辐照下Al2O3栅介质的漏电机制, Leakage Current Mechanism of Al2O3 Gate Dielectric Under Si Ion Irradiation, 半导体技术, 2019, 第 3 作者
（23） Influence of curvature induced stress on first principle calculation and the reliability of 4H-SiC (0001) thermally grown SiO2 gate oxide, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 第 4 作者
（24） Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 第 8 作者
（25） A new type of magnetism-controllable Mn-based single-molecule magnet, JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2018, 第 2 作者
（26） Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs, 2017, 第 4 作者

   

（ 1 ） 氧化镓材料抗位移损伤加固研究, 负责人, 国家任务, 2025-01--2027-12
（ 2 ） 超高温半导体器件研发, 参与, 国家任务, 2024-01--2030-12
（ 3 ） 结合高k 栅介质的二维氧化物半导体薄膜晶体管界面 改善与器件应用研究, 负责人, 国家任务, 2023-11--2026-10
（ 4 ） 碳硅融合新型半导体工艺技术, 参与, 国家任务, 2023-11--2027-10
（ 5 ） 异质晶圆材料界面多物理场特性研究, 负责人, 国家任务, 2023-10--2025-10
（ 6 ） 中科院青年创新促进会, 负责人, 中国科学院计划, 2021-01--2024-12
（ 7 ） 极端环境下CNT器件特性研究, 负责人, 国家任务, 2020-08--2023-08
（ 8 ） 抗辐射特种工艺研发, 参与, 国家任务, 2020-01--2023-12
（ 9 ） 晶圆级单晶二维层状半导体材料制备及高性能异质结构器件集成, 参与, 中国科学院计划, 2019-01--2024-12
（ 10 ） 纳米器件抗辐射特性的研究, 参与, 中国科学院计划, 2016-01--2018-12
（ 11 ） 纳米器件单粒子辐射损伤特性研究, 参与, 中国科学院计划, 2015-01--2017-12

（1）Comparison of Self Heating Effect between SOI and SOSiC MOSFETs   2024-05-15
（2）Optoelectrical Characteristics and Defect Dynamics in ε-Ga2O3 Thin Films Induced by Swift Heavy Ion Irradiation   2023-07-27
（3）Improvement in Performance of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors under Electron Irradiation   2022-07-18

现指导学生

王鸣亮  硕士研究生  085403-集成电路工程  

朱奕帆  硕士研究生  085403-集成电路工程