基本信息
赵治国  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: zhaozhiguo@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

研究领域

新型纳米存储器件与集成技术

三维存储器工艺与器件

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
新型纳米存储器件与集成技术
三维存储器工艺与器件

教育背景

2003-09--2006-03   天津大学   工学硕士
1997-09--2001-07   长安大学   工学学士

工作经历

   
工作简历
2012-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师
2010-09~2011-09,United Microelectronics Corporation(Singapore Branch), 资深工程师
2006-05~2010-09,中芯国际集成电路制造(北京)有限责任公司, 资深工程师
社会兼职
2016-04-04-今,长江存储科技有限责任公司, 助理技术总监

出版信息

   
发表论文
(1) 小尺寸器件的金属栅平坦化新技术, 真空科学技术学报, 2016, 第 1 作者
(2) Device parameter optimization for sub-20nm node HK/MG-last bulk FinFETs, Journal of Semiconductors, 2015, 第 7 作者
(3) Planar bulk MOSFETs with self-aligned pocket well to improve short channel effects and enhance device performance, IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 第 5 作者
(4) Finfet Gate Etch Towards 16nm Node CMOS Technology, ECS Transactions, 2014, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 专项先导工艺中心流片验证, 参与, 国家级, 2011-01--2017-12
( 2 ) 体硅FinFET与关键工艺研究, 参与, 国家级, 2013-01--2017-12
( 3 ) 面向IC的超快激光精密切割, 参与, 国家级, 2018-05--2021-05