纳米芯片可制造性设计、新器件/单元模块/芯片三维集成设计与优化、新器件集成电路设计方法学

   

080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息

集成电路可制造性设计，器件建模

   

1999年7月，中国科学技术大学热科学和能源工程系获得学士学位

2002年7月，清华大学工程力学系获得硕士学位

2010年7月，北京大学信息科学技术学院微纳电子学系获得博士学位

2010年9月到2011年8月，中国科学杂志社助理编辑

2011年9月到2016年5月，中国科学院微电子研究所从事博士后研究工作

2016年5月至今，中国科学院微电子研究所副研究员

   

[1] 尹明会, 李志强, 张卫华, 刘宏伟, 周欢欢, 王晨, 尤云霞. 一种碳基集成电路设计自动化方法及系统装置. 2023103577325, 2023-04-06.
[2] 张芯瑞, 陈岚, 刘宏伟. 一种碳纳米管场效应管器件的建模方法及建模装置. CN: CN114707455A, 2022-07-05.
[3] 徐勤志, 陈岚, 刘宏伟, 方晶晶. 一种高k金属栅表面形貌仿真的方法及系统. CN: CN107153718A, 2017-09-12.
[4] 刘宏伟, 陈岚, 方晶晶, 孙艳, 张贺, 马天宇. CMP工艺仿真方法及其仿真系统. CN: CN104123428A, 2014-10-29.
[5] 刘宏伟, 陈岚. 一种护圈装置及研磨头. CN: CN203622179U, 2014-06-04.
[6] 刘宏伟, 陈岚, 孙艳, 张贺, 方晶晶. 提取芯片版图的版图图形特征的方法及CMP仿真方法. CN: CN103559364A, 2014-02-05.

   

[1] Chen, Lan, Xu, Qinzhi, Yang, Fei, Sun, Yan, Liu, Hongwei. An Oxide Chemical Mechanical Planarization Model for HKMG Structures. ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY[J]. 2018, 7(10): P529-P536, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000504855300001.
[2] Liu Hongwei, Wang Runsheng, Huang Ru, Zhang Xing. Low-field mobility and carrier transport mechanism transition in nanoscale MOSFETs. 半导体学报[J]. 2010, 044006-1, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=33407474.
[3] 刘宏伟, 王润声, 黄如, 张兴. Low-field mobility and carrier transport mechanism transition in nanoscale MOSFETs. 半导体学报[J]. 2010, 37-40, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=33407474.

参与多项02专项子课题/青年基金/其它部委项目

已指导学生

张芯瑞  硕士研究生  085211-计算机技术  

现指导学生

邹亚杰  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

包凌鹏  硕士研究生  085400-电子信息