基本信息
戴风伟  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: daifengwei@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
三维集成与系统封装技术

教育背景

2004-09--2007-03   北京科技大学   研究生
1998-09--2002-07   内蒙古工业大学   本科

工作经历

   
工作简历
2009-08~2022-01,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2007-04~2009-08,清华-富士康纳米科技研究中心, 研发工程师
2004-09~2007-03,北京科技大学, 研究生
1998-09~2002-07,内蒙古工业大学, 本科

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 以硅通孔为核心的三维系统集成技术及应用, 二等奖, 省级, 2018
(2) 基于TSV的2.5D/3D封装制造及系统集成技术, 二等奖, 其他, 2017
专利成果
( 1 ) 一种TSV转接板互连结构, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110867429A

( 2 ) 一种用于三维扇出型封装的塑封结构, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110828431A

( 3 ) CN110828408A 一种三维扇出型封装结构及其制造方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110828408A

( 4 ) 一种集成天线结构的2.5D多芯片封装结构及制造方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110649001A

( 5 ) TSV结构及TSV露头方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN109671692A

( 6 ) 重布线层结构及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN109671698A

( 7 ) 一种光模块封装结构及制作方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108983374B

( 8 ) 晶圆级带TSV通孔的薄晶圆清洗装置及清洗方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107346755B

出版信息

   
发表论文
(1) TSV转接板空腔金属化与RDL一体成形技术研究, Study Of RDL and Metallization Of Cavity Integral Forming Technology, 半导体技术, 2020, 第 2 作者
(2) 基于双面TSV互连技术的超厚硅转接板制备, [23] Fabrication of the Ultra-thick Silicon Interposer Based on Double-sided TSV Interconnection Technolog, 微纳电子技术, 2019, 第 2 作者
(3) Investigation of intermetallic compound and voids growth in fine-pitch Sn–3.5Ag/Ni/Cu microbumps, Journal of Materials SCIence: Materials in Electronics, 2017, 第 7 作者
(4) Design and fabrication of a small-form transmitter optical subassembly for 100 Gbps short reach optical interconnect, Microwave and Optical Technology Letters, 2017, 第 5 作者
(5) Development and reliability study of 3D WLCSP for CMOS image sensor using vertical TSVs with 3:1 aspect ratio, Microsystem Technologies, 2017, 第 5 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 新型多种异质芯片SiP集成封装技术工艺开发, 负责人, 国家任务, 2017-01--2020-12