2017-09--2022-01   复旦大学   理学博士
2004-09--2007-03   北京科技大学   研究生
1998-09--2002-07   内蒙古工业大学   本科

   

2017-09~2022-01,复旦大学, 理学博士
2009-08~2026-10,中国科学院微电子研究所, 研究员
2007-04~2009-08,清华-富士康纳米科技研究中心, 研发工程师
2004-09~2007-03,北京科技大学, 研究生
1998-09~2002-07,内蒙古工业大学, 本科

   

（1） 中国科学院科技促进发展奖, 院级, 2022
（2） 以硅通孔为核心的三维系统集成技术及应用, 二等奖, 省级, 2018
（3） 基于TSV的2.5D/3D封装制造及系统集成技术, 二等奖, 其他, 2017

（ 1 ） 一种多层芯片至晶圆的混合键合方法及三维堆叠器件, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN116504647A

（ 2 ） 一种微型气旋式吸头, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN217788365U

（ 3 ） 一种微型伯努利吸头, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN217387125U

（ 4 ） 硅基喇叭封装天线系统集成结构及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109888456A

（ 5 ） 重布线层结构及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109671698A

（ 6 ） TSV结构及TSV露头方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109671692A

（ 7 ） 一种三维互连结构, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN203466186U

（ 8 ） 一种三维互连结构及其制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103474417A

（ 9 ） 一种通孔结构及其制作方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103367285A

（ 10 ） 一种采用转移法制作碳纳米管柔性微凸点的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103367185A

（ 11 ） 具有带屏蔽功能的微流道结构的硅基转接板及其制作方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103199086A

（ 12 ） 在基板中嵌入金属材料的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102915949A

（ 13 ） 一种将碳纳米管束填充到硅转接板的硅穿孔中的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102683265A

（ 14 ） 一种碳纳米管束垂直互连的制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102569181A

（ 15 ） 一种在转接板上实现电绝缘的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102496579A

（ 16 ） 具有金属垂直互连结构的转接板及其制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102420200A

（ 17 ） 一种把金属材料插入玻璃的方法及装置, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102276167A

（ 18 ） 嵌入光纤的玻璃板及其制造方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102200612A

   

（1） Growth and Control Mechanism of interfacial Ni3Sn4 Intermetallic Compound in Cu/Ni/Sn-3.0Ag Micro Bumps, IEICE, 2022, 第 1 作者
（2） 面向三维集成应用的Cu/SiO_（2）晶圆级混合键合技术研究进展, Progress on Cu/SiO_(2) Wafer-Level Hybrid Bonding Technology for 3D Integration Applications, 微电子学, 2022, 第 3 作者
（3） TSV转接板空腔金属化与RDL一体成形技术研究, 半导体技术, 2020, 第 1 作者
（4） TSV转接板空腔金属化与再布线层一体成型技术, Integrated Forming Technology of Cavity Metallization and Redistribution Layer of TSV Interposer, 半导体技术, 2020, 第 2 作者
（5） 基于双面ＴＳＶ互连技术的超厚硅转接板制备, 微纳电子技术, 2019, 第 1 作者
（6） 基于双面TSV互连技术的超厚硅转接板制备, Fabrication of the Ultra-Thick Silicon Interposer Based on Double-Sided TSV Interconnection Technology, 微纳电子技术, 2019, 第 2 作者
（7） Investigation of intermetallic compound and voids growth in fine-pitch Sn-3.5Ag/Ni/Cu microbumps, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2018, 第 7 作者
（8） Development and reliability study of 3D WLCSP for CMOS image sensor using vertical TSVs with 3:1 aspect ratio, MICROSYSTEM TECHNOLOGIES-MICRO-AND NANOSYSTEMS-INFORMATION STORAGE AND PROCESSING SYSTEMS, 2017, 第 5 作者
（9） Investigation of intermetallic compound and voids growth in fine-pitch Sn���3.5Ag/Ni/Cu microbumps, Journal of Materials SCIence: Materials in Electronics, 2017, 
（10） Design and fabrication of a small-form transmitter optical subassembly for 100Gbps short reach optical interconnect, MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, 2017, 第 5 作者
（11） Aging Effeet on Wettability of Negative Photoresist with Fine-piteh Miero-holes after O-2 Plasma Treatment, 2017 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONIC PACKAGING TECHNOLOGY (ICEPT), 2017, 第 7 作者
（12） Competitive Adsorption Between Suppressor and Accelerator in Copper Methanesulfonic Acid Bath tor Electrodeposition, 2017 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONIC PACKAGING TECHNOLOGY (ICEPT), 2017, 第 5 作者
（13） Aging effect on wettability of negative photoresist with fine-pitch micro-holes after O2 plasma treatment, ELECTRONIC PACKAGING TECHNOLOGY (ICEPT), 2017 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE, 2017, 第 2 作者
（14） Competitive adsorption between suppressor and accelerator in copper methanesulfonic acid bath for electrodeposition, Electronic Packaging Technology (ICEPT), 2017 18th International Conference, 2017, 第 2 作者
（15） High frequency characterization and analysis of through silicon vias and coplanar waveguides for silicon interposer, MICROSYSTEM TECHNOLOGIES-MICRO-AND NANOSYSTEMS-INFORMATION STORAGE AND PROCESSING SYSTEMS, 2016, 第 6 作者
（16） Low temperature wafer level conformal polymer dielectric spray coating for through silicon vias with 2:1 aspect ratio, MICROSYSTEM TECHNOLOGIES-MICRO-AND NANOSYSTEMS-INFORMATION STORAGE AND PROCESSING SYSTEMS, 2016, 第 3 作者
（17） Properties and electric characterizations of tetraethyl orthosilicate-based plasma enhanced chemical vapor deposition oxide film deposited at 400 ��C for through silicon via application, THIN SOLID FILMS, 2014, 第 6 作者
（18） Properties and electric characterizations of tetraethyl orthosilicate-based plasma enhanced chemical vapor deposition oxide film deposited at 400 degrees C for through silicon via application, THIN SOLID FILMS, 2014, 第 6 作者
（19） 应用子模型的高密度大规模2．5D转接板内TSV热应力仿真误差分析, The Error Analysis of Sub-modeling Method on the Thermal-stress Simulation of TSV in a High-density Large-scale 2. 5D Interposer, 科学技术与工程, 2013, 第 2 作者
（20） 硅基转接板上传输线的电学特性, Electrical properties of transmission lines fabricated on silicon interposer, 科学技术与工程, 2013, 第 3 作者
（21） New de-embedding structures for extracting the electrical parameters of a through-silicon-via pair, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2013, 第 5 作者
（22） Development of New TSV Structure Composing of Intermetallic Compounds, PROCEEDINGS OF THE 2012 IEEE 14TH ELECTRONICS PACKAGING TECHNOLOGY CONFERENCE, 2012, 第 6 作者
（23） High-speed through-silicon via filling method using Cu-cored solder balls, High-speed through-silicon via filling method using Cu-cored solder balls, 半导体学报, 2012, 第 5 作者
（24） Three-dimensional PN junction capacitor for passive integration, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 6 作者
（25） Mechanical and Electronic Analysis of 3D embedded capacitor filling with conductive adhesive, 2011 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONIC PACKAGING TECHNOLOGY AND HIGH DENSITY PACKAGING (ICEPT-HDP), 2011, 第 4 作者
（26） Fabrication of PN Junction Capacitor Using SiP Technology on Si-based Interposer Wafer, 2010 11TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONIC PACKAGING TECHNOLOGY & HIGH DENSITY PACKAGING (ICEPT-HDP), 2010, 第 1 作者

   

（ 1 ） 单片三维集成的存算一体架构及关键技术, 负责人, 国家任务, 2023-03--2027-12
（ 2 ） 异质异构小芯片三维系统集成技术, 负责人, 中国科学院计划, 2022-11--2025-10
（ 3 ） 硅通孔三维集成电路关键标准研究, 负责人, 国家任务, 2022-01--2024-12
（ 4 ） 集成电路先进核心工艺研发及产品开发, 参与, 国家任务, 2022-01--2024-12